【技术实现步骤摘要】
本专利技术的示例性实施方式涉及一种蚀刻方法及等离子体处理装置。
技术介绍
1、在电子设备的制造中，对基板的含硅膜进行等离子体蚀刻。在等离子体蚀刻时，使用由处理气体生成的等离子体来进行含硅膜的蚀刻。在专利文献1中，公开有包含氟碳气体的处理气体作为用于含硅膜的等离子体蚀刻的处理气体。
2、美国专利申请公开第2016/0343580号说明书
技术实现思路
1、本专利技术提供一种抑制形状异常并对膜进行蚀刻的技术。
2、在一例示性实施方式中，蚀刻方法包括：(a)向具备腔室、用于在所述腔室内支承基板的基板支承器、被供应源功率的等离子体生成部、及被供应偏置功率的偏置电极的等离子体处理装置的所述基板支承器提供具有蚀刻对象膜和所述蚀刻对象膜上的掩模的基板的工序；及(b)对所述蚀刻对象膜进行蚀刻而形成凹部的工序。在所述(b)中，以如下周期周期性地供应所述源功率及所述偏置功率，所述周期包括所述源功率及所述偏置功率分别以规定功率值供应的第1期间、及不供应所述源功率及所述偏置功率中的至少一者或功率值维持成低于所述第1期间内的功率值的第2期间。在所述第1期间内，通过由供应到所述腔室内的第1处理气体生成的第1等离子体对所述蚀刻对象膜进行蚀刻，在所述第2期间内，供应到所述腔室内的第2处理气体吸附于所述蚀刻对象膜。
3、专利技术效果
4、根据一个例示性实施方式，提供一种抑制形状异常并对膜进行蚀刻的技术。
【技术保护点】
1.一种蚀刻方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，
4.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，
5.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，
6.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
7.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
8.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
9.根据权利要求7或8所述的蚀刻方法，其中，
10.根据权利要求8所述的蚀刻方法，其中，
11.根据权利要1所述的蚀刻方法，其中，
12.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
13.根据权利要求12所述的蚀刻方法，其中，
14.根据权利要求12所述的蚀刻方法，其中，
15.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
16.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
17.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
18.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
19.根据权
20.一种等离子体处理装置，其具备：
...【技术特征摘要】
1.一种蚀刻方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，
4.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，
5.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，
6.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
7.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
8.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
9.根据权利要求7或8所述的蚀刻方法，其中，
10.根据权利要求8所述的蚀刻方法，其中，
11....
【专利技术属性】
技术研发人员：高桥笃史，户村幕树，松原稜，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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