掩膜版及其制备方法、半导体结构制备方法及半导体结构技术

本申请提供一种掩膜版及其制备方法、半导体结构制备方法及半导体结构，该掩膜版用于在基底上方形成图形化的目标膜层，该掩膜版包括：金属掩膜层；设置于所述金属掩膜层与所述基底之间的胶膜，用于将所述金属掩膜层与所述基底粘结固定；所述金属掩膜层上的第一开口在所述基底上的正投影与所述胶膜上的第二开口在所述基底上的正投影至少部分重叠；且所述第一开口在所述基底上的正投影和所述第二开口在所述基底上的正投影的重叠部分与所述目标膜层在所述基底上的正投影重合。该掩膜版通过多层结构的掩膜的设计，可以简化目标膜层的制备工艺，减少目标膜层的制备时间，防止基底被污染，且同时保持图形较高的尺寸精度。且同时保持图形较高的尺寸精度。且同时保持图形较高的尺寸精度。

【技术实现步骤摘要】
掩膜版及其制备方法、半导体结构制备方法及半导体结构


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种掩膜版及其制备方法、半导体结构制备方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]目前在半导体的制备工艺中，图形化沉积工艺多用于晶圆的沉积处理工艺上，通常采用湿法和干法两种工艺进行图形化加工沉积。两种工艺虽然精度高，但过程复杂，工序繁琐，并不适合小批量生产和运用。
[0003]此外，硅晶圆的图形化沉积工艺有些技术并不适用于所有基底。比如，硅晶圆图案化需要的光刻胶和清洗剂，会对陶瓷基底有一定污染和腐蚀，破坏陶瓷基体。因此，硅晶圆常用的光刻胶清洗剂并不适用于陶瓷基体图形化制备，则陶瓷基体上的光刻胶则需要特别定制，否则会出现难以去除，或者去除不彻底的情况。这样无疑增加了陶瓷基体气相沉积图形化涂层的难度。
[0004]此外，目前工艺有采用金属等作为图形化沉积的固体掩膜，可以有效解决沉积结束的后处理问题。但固体掩膜同样存在一定问题，当陶瓷作为沉积对象时，金属等固体掩膜厚度较薄，则在沉积过程中，由于热效应和热膨胀匹配差异大而带来掩膜的翘曲变形，会影响沉积图形的精度；当固体掩膜厚度较厚时，图形尺寸和掩膜之间的陡直度过大，同样造成图形尺寸变形，精度变差。

技术实现思路

[0005]针对上述问题，本申请提供了一种掩膜版及其制备方法、半导体结构制备方法及半导体结构，解决了现有的图案化工艺中光刻胶难以去除和图案化精度差的技术问题。
[0006]第一方面，本申请提供一种掩膜版，用于在基底上方形成图形化的目标膜层，包括：
[0007]金属掩膜层；其中，所述金属掩膜层包括第一遮挡部以及至少一个贯穿所述第一遮挡部的第一开口；
[0008]设置于所述金属掩膜层与所述基底之间的胶膜，用于将所述金属掩膜层与所述基底粘结固定；其中，所述胶膜包括第二遮挡部以及至少一个贯穿所述第二遮挡部的第二开口；
[0009]其中，所述第一开口在所述基底上的正投影与所述第二开口在所述基底上的正投影至少部分重叠；且所述第一开口在所述基底上的正投影和所述第二开口在所述基底上的正投影的重叠部分与所述目标膜层在所述基底上的正投影重合。
[0010]在一些实施例中，上述掩膜版中，所述金属掩膜层和所述胶膜的总厚度大于或等于所述目标膜层的厚度。
[0011]在一些实施例中，上述掩膜版中，所述胶膜的材料包括可溶于有机溶剂的硅橡胶材料或硅胶材料。
[0012]第二方面，本申请提供一种掩膜版的制备方法，所述掩膜版用于在基底上方形成图形化的目标膜层，包括：
[0013]在所述基底上方形成胶膜；其中，所述胶膜包括第二遮挡部以及至少一个贯穿所述第二遮挡部的第二开口；
[0014]将金属掩膜层设置于所述胶膜上方；
[0015]其中，所述金属掩膜层包括第一遮挡部以及至少一个贯穿所述第一遮挡部的第一开口，所述金属掩膜层与所述基底之间通过所述胶膜粘结固定；所述第一开口在所述基底上的正投影与所述第二开口在所述基底上的正投影至少部分重叠；且所述第一开口在所述基底上的正投影和所述第二开口在所述基底上的正投影的重叠部分与所述目标膜层在所述基底上的正投影重合。
[0016]在一些实施例中，上述掩膜版的制备方法中，在所述基底上方形成胶膜，包括以下步骤：
[0017]采用印刷的方法将胶膜前驱体印刷至所述基底上方，以形成胶膜。
[0018]在一些实施例中，上述掩膜版的制备方法中，将金属掩膜层设置于所述胶膜上方，包括以下步骤：
[0019]对所述胶膜进行第一次固化处理，得到未完全固化的所述胶膜；
[0020]将金属掩膜层设置于未完全固化的所述胶膜上方；
[0021]对所述胶膜进行第二次固化处理，以使所述金属掩膜层与所述基底之间通过所述胶膜粘结固定。
[0022]第三方面，本申请提供一种半导体结构制备方法，包括：
[0023]提供基底；
[0024]将如第一方面中任一项所述的掩膜版设置于所述基底上方或者利用如第二方面中任一项所述的制备方法在所述基底上方制备形成掩膜版；
[0025]通过所述掩膜版上的第一开口和第二开口，采用沉积工艺，在所述基底上方形成目标膜层；其中，所述第一开口在所述基底上的正投影和所述第二开口在所述基底上的正投影的重叠部分与所述目标膜层在所述基底上的正投影重合。
[0026]在一些实施例中，上述半导体结构制备方法中，还包括：
[0027]去除所述掩膜版上的胶膜；
[0028]将所述掩膜版的金属掩膜层移除。
[0029]在一些实施例中，上述半导体结构制备方法中，去除所述掩膜版上的胶膜，包括以下步骤：
[0030]通过有机溶剂去除所述掩膜版上的胶膜。
[0031]第四方面，本申请提供一种半导体结构，利用如第三方面中任一项所述的制备方法制备而成。
[0032]采用上述技术方案，至少能够达到如下技术效果：
[0033]本申请提供了一种掩膜版及其制备方法、半导体结构制备方法及半导体结构，该掩膜版用于在基底上方形成图形化的目标膜层，该掩膜版包括：金属掩膜层；设置于所述金属掩膜层与所述基底之间的胶膜，用于将所述金属掩膜层与所述基底粘结固定；所述金属掩膜层上的第一开口在所述基底上的正投影与所述胶膜上的第二开口在所述基底上的正
投影至少部分重叠；且所述第一开口在所述基底上的正投影和所述第二开口在所述基底上的正投影的重叠部分与所述目标膜层在所述基底上的正投影重合。该掩膜版可用于多种基底的图形化沉积，成本低，避免了光刻胶等液态掩膜对基底的污染和腐蚀，同时避免了金属掩膜高温下热变形，以及金属掩膜过厚带来的图形精度变差的问题。通过多层结构的掩膜的设计，可以简化目标膜层的制备工艺，减少目标膜层的制备时间，防止基底被污染，且同时保持图形较高的尺寸精度。
附图说明
[0034]附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：
[0035]图1是本申请一示例性实施例示出的一种掩膜版的正面俯视示意图；
[0036]图2是图1沿切线A
‑
A
’
的剖面结构示意图；
[0037]图3是本申请一示例性实施例示出的一种掩膜版的制备方法流程示意图；
[0038]图4是本申请一示例性实施例示出的一种掩膜版的制备方法的相关步骤形成的第一中间结构的剖面结构示意图；
[0039]图5是本申请一示例性实施例示出的一种掩膜版的制备方法的相关步骤形成的第二中间结构的剖面结构示意图；
[0040]图6是本申请一示例性实施例示出的一种掩膜版的制备方法的相关步骤形成的第三中间结构的剖面结构示意图；
[0041]图7是本申请一示例性实施例示出的一种半导体结构的制备方法流程示意图；
[0042]图8是本申请一示例性实施例示出的一种半导体结构的制备方法的相关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，用于在基底上方形成图形化的目标膜层，其特征在于，包括：金属掩膜层；其中，所述金属掩膜层包括第一遮挡部以及至少一个贯穿所述第一遮挡部的第一开口；设置于所述金属掩膜层与所述基底之间的胶膜，用于将所述金属掩膜层与所述基底粘结固定；其中，所述胶膜包括第二遮挡部以及至少一个贯穿所述第二遮挡部的第二开口；其中，所述第一开口在所述基底上的正投影与所述第二开口在所述基底上的正投影至少部分重叠；且所述第一开口在所述基底上的正投影和所述第二开口在所述基底上的正投影的重叠部分与所述目标膜层在所述基底上的正投影重合。2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述金属掩膜层和所述胶膜的总厚度大于或等于所述目标膜层的厚度。3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述胶膜的材料包括可溶于有机溶剂的硅橡胶材料或硅胶材料。4.一种掩膜版的制备方法，所述掩膜版用于在基底上方形成图形化的目标膜层，其特征在于，包括：在所述基底上方形成胶膜；其中，所述胶膜包括第二遮挡部以及至少一个贯穿所述第二遮挡部的第二开口；将金属掩膜层设置于所述胶膜上方；其中，所述金属掩膜层与所述基底之间通过所述胶膜粘结固定，所述金属掩膜层包括第一遮挡部以及至少一个贯穿所述第一遮挡部的第一开口；所述第一开口在所述基底上的正投影与所述第二开口在所述基底上的正投影至少部分重叠；且所述第一开口在所述基底上的正投影和所述第二开口在所述基底上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王超星，杨鹏远，王建冲，吕天龙，
申请(专利权)人：北京华卓精科科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：