温度校正信息计算装置及方法、半导体制造装置、介质制造方法及图纸

提供一种能够对针对被处理物的热处理的设定温度进行调整的温度校正信息计算装置及方法、半导体制造装置、记录介质。半导体制造装置以接近根据累积在半导体制造装置的内壁上的累积膜厚而校正的设定温度的方式使用加热器对温度进行控制，并执行被处理物的成膜处理，半导体制造装置的温度校正信息计算装置包括：存储部，存储用于对设定温度进行校正的温度校正值；取得部，取得包含在通过执行成膜处理而生成的日志信息中的施加到加热器的第一加热器功率；功率预测部，将因设定温度的变化而引起的加热器功率的波动量加到第一加热器功率以预测第二加热器功率；以及温度校正信息生成部，通过由功率预测部预测的第二加热器功率，对温度校正值进行校正。对温度校正值进行校正。对温度校正值进行校正。

【技术实现步骤摘要】
温度校正信息计算装置及方法、半导体制造装置、介质


[0001]本公开涉及一种温度校正信息计算装置及方法、半导体制造装置、记录介质。

技术介绍

[0002]在半导体的制造工序中，例如，使用用于进行半导体晶圆的成膜处理等的热处理系统。在热处理系统中，根据与工艺对应的处理配方，决定设定温度、压力、气体流量等由半导体制造装置控制的处理条件。当半导体制造装置重复进行热处理时，虽然在半导体晶圆上例如进行成膜，但是会在半导体制造装置的内壁面上附着附着物。如果该附着物的累积膜厚变厚，则即使半导体制造装置以基于工艺配方的设定温度进行控制，炉内温度也会下降，并且会无法在半导体晶圆上以所需的膜厚进行成膜。
[0003]因此，已知一种热处理系统，其根据累积膜厚对设定温度进行校正(例如参见专利文献1)。专利文献1公开了一种技术，其生成将设定温度的校正量与累积膜厚相关联而成的温度校正信息。
[0004]<现有技术文献>
[0005]<专利文献>
[0006]专利文献1：日本特开2008
‑
218558号公报

技术实现思路

[0007]<本专利技术要解决的问题>
[0008]本公开提供一种技术，其能够对针对被处理物的热处理的设定温度进行调整。
[0009]<用于解决问题的手段>
[0010]根据本公开，提供一种半导体制造装置的温度校正信息计算装置，所述半导体制造装置以接近根据累积在半导体制造装置的内壁上的累积膜厚而校正的设定温度的方式使用加热器对温度进行控制，并执行被处理物的成膜处理，所述温度校正信息计算装置包括：存储部，存储用于对所述设定温度进行校正的温度校正值；取得部，取得包含在通过执行所述成膜处理而生成的日志信息中的施加到所述加热器的第一加热器功率；功率预测部，将因所述设定温度的变化而引起的加热器功率的波动量加到所述第一加热器功率以预测第二加热器功率；以及温度校正信息生成部，通过由所述功率预测部预测的所述第二加热器功率，对所述温度校正值进行校正。
[0011]<专利技术的效果>
[0012]能够提供一种技术，其能够对针对被处理物的热处理的设定温度进行调整。
附图说明
[0013]图1是热处理系统的概要构成图的一个示例。
[0014]图2是半导体制造装置的概要剖面图的一个示例。
[0015]图3是划分出的区域的一个示例。
[0016]图4是控制部的构成图的一个示例。
[0017]图5是温度校正信息计算装置的硬件构成图的一个示例。
[0018]图6是通过将温度校正信息计算装置所具有的功能构成划分为块来进行说明的功能框图的一个示例。
[0019]图7是温度校正表的一个示例。
[0020]图8是用于对存储在模型存储部中的模型示意性地进行说明的图的一个示例。
[0021]图9是用于对存储在表存储部中的温度功率表、累积膜厚功率表示意性地进行说明的图的一个示例。
[0022]图10是在使用温度校正表进行基于累积膜厚的温度校正并进行成膜处理的情况下的成膜结果的一个示例。
[0023]图11是用于对温度校正信息生成部导出温度校正表的步骤进行说明的流程图的一个示例。
[0024]图12是用于对温度校正表的更新中的加热器功率的作用进行说明的图的一个示例。
[0025]图13是用于对加热器功率的预测方法示意性地进行说明的图的一个示例。
[0026]图14是对(i)因温度设定值的变化而引起的加热器功率的波动量的计算方法进行说明的图的一个示例。
[0027]图15是对(ii)因累积膜厚的变化而引起的加热器功率的波动量的计算方法进行说明的图的一个示例。
[0028]图16是用于对温度校正信息生成部导出温度校正表的步骤进行说明的流程图的一个示例。
[0029]图17是用于对加热器功率的预测所起到的效果进行说明的图的一个示例。
具体实施方式
[0030]以下，参照附图对本公开的非限制性的示例性的实施方式进行说明。作为用于实施本专利技术的实施方式的一个示例，参照附图对热处理系统以及由热处理系统进行的温度校正信息计算方法进行说明。
[0031][针对累积膜厚的温度校正的概要][0032]热处理系统在1个周期中进行多次成膜处理。另外，在成膜处理中，热处理系统使用温度校正表，对在工艺配方中设定的设定温度进行校正。在温度校正表的生成中，对在日志中记录的加热器功率进行考虑。然而，由于所考虑的加热器功率是基于在1个周期所具有的任意的成膜处理(虽然能够由用户选择，但是主要选择第1次的成膜处理的日志)中得到的日志，因此第2次以后的成膜处理的加热器功率有可能与第1次的加热器功率不同。如果通过利用与实际的加热器功率不同的加热器功率进行校正的温度校正表来对成膜时的温度进行校正，则有可能无法得到作为目标的膜厚等。
[0033]因此，本实施方式的热处理系统通过从第1次(初次)的加热器功率对1个周期的第2次以后的加热器功率进行预测，从而能够更适当地对温度校正表进行校正，并能够得到接近目标的膜厚等。
[0034]以下详细进行说明。
[0035][包括半导体制造装置的热处理系统的整体构成][0036]图1示出了热处理系统的概要构成图的一个示例。如图1所示，本实施方式的热处理系统1具有多台半导体制造装置2(图1中的21～2
n
)、主机计算机3、温度校正信息计算装置4、以及将各部相互连接的网络5、6。另外，热处理系统1例如具备用于对由半导体制造装置2处理的被处理物(以下称为半导体晶圆)的状态(膜的状态等)进行测定的测定装置60。
[0037]在半导体制造装置2中可以包括基于工艺的各种装置。例如包括进行用于在半导体晶圆上形成薄膜的处理的成膜装置、进行用于对半导体晶圆的表面区域进行氧化的氧化装置、进行用于在半导体晶圆的表面区域上扩散(掺杂)杂质的扩散装置等。以下，作为半导体制造装置的一个示例，以图2所示的批次式的立式热处理装置的情况为例进行说明。另外，在本实施方式中，作为针对半导体晶圆的处理，以成膜处理为例进行说明。
[0038]图2是半导体制造装置的概要剖面图的一个示例。如图2所示，半导体制造装置2具备大致圆筒状的反应管11。反应管11以其长度方向朝向垂直方向的方式布置。反应管11由耐热性和耐腐蚀性优异的材料、例如石英形成。
[0039]在反应管11的上侧，气密地连接有用于将反应管11内的气体排出的排气管12。在排气管12上设置有由阀、真空泵等构成的压力调整部13，并将反应管11内调整为所需的压力(真空度)。
[0040]在反应管11的下侧设置有大致圆筒状的歧管14。歧管14的上端与反应管11的下端气密地接合。
[0041]在歧管14(反应管11)的下方布置有盖体15。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造装置的温度校正信息计算装置，所述半导体制造装置以接近根据累积在半导体制造装置的内壁上的累积膜厚而校正的设定温度的方式使用加热器对温度进行控制，并执行被处理物的成膜处理，所述温度校正信息计算装置包括：存储部，存储用于对所述设定温度进行校正的温度校正值；取得部，取得包含在通过执行所述成膜处理而生成的日志信息中的施加到所述加热器的第一加热器功率；功率预测部，将因所述设定温度的变化而引起的加热器功率的波动量加到所述第一加热器功率以预测第二加热器功率；以及温度校正信息生成部，通过由所述功率预测部预测的所述第二加热器功率，对所述温度校正值进行校正。2.根据权利要求1所述的温度校正信息计算装置，其中，所述功率预测部进一步将因累积膜厚的变化而引起的加热器功率的波动量加到所述第一加热器功率以预测所述第二加热器功率。3.根据权利要求1或2所述的温度校正信息计算装置，其中，所述功率预测部使用在所述成膜处理中使用的与累积膜厚相关联的所述温度校正值、以及将温度的波动量与加热器功率的波动量相关联的温度功率表，计算所述因设定温度的变化而引起的加热器功率的波动量。4.根据权利要求2所述的温度校正信息计算装置，其中，所述功率预测部使用将温度的波动量与膜厚的波动量相关联的模型、以及将累积膜厚的波动量与加热器功率的波动量相关联的累积膜厚功率表，计算所述因累积膜厚的变化而引起的加热器功率的波动量。5.根据权利要求3所述的温度校正信息计算装置，其中，所述半导体制造装置的反应管被划分为多个区域，具备针对每个所述区域具有所述温度校正值的温度校正表，所述温度功率表在每一列具有各个区域的加热器功率的波动量，并在每一行具有各个区域的加热器功率的波动量，所述功率预测部将与区域相对应的所述温度校正值和与该区域相对应的一列的加热器功率的波动量相乘，并在所述温度功率表的行方向上将相乘得到的值相加，从而针对每个区域计算所述因设定温度的变化而引起的加热器功率的波动量。...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边达也，竹永裕一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：