基片支承部和基片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基片支承部和基片处理装置，能够提高基片支承部的温度控制效率。基片支承部包括：静电吸盘，其由陶瓷形成，通过静电吸附来保持被处理基片；支承所述静电吸盘的基座；和供热交换介质流动的流路，其中，所述流路的上表面由陶瓷形成。的上表面由陶瓷形成。的上表面由陶瓷形成。

【技术实现步骤摘要】
基片支承部和基片处理装置


[0001]本专利技术涉及基片支承部和基片处理装置。

技术介绍

[0002]例如，专利文献1提出了一种基片处理装置，其具有用于载置被处理基片的基片支承部。基片支承部包括：配置有流路的基座，其中流路供经过温度控制的冷却介质流动；静电吸盘，其在具有较高的抗等离子体性能的陶瓷内内置电极，并在载置面上载置被处理基片，其中，通过粘接层使基座与静电吸盘之间粘接。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2016
‑
27601号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]现有技术中，通过使经过制冷单元进行温度控制后的冷却介质在基片支承部的流路中流动，来将静电吸盘上的被处理基片冷却至所要求的温度，但是，近年来施加在基片支承部上的高频功率增大。因此，从等离子体输入到被处理基片的热量增大，被处理基片的温度控制有时会不够充分。
[0008]本专利技术提供一种能够提高基片支承部的温度控制效率的技术。
[0009]解决问题的技术手段
[0010]根据本专利技术的一个方式提供一种基片支承部，包括：静电吸盘，其由陶瓷形成，通过静电吸附来保持被处理基片；支承上述静电吸盘的基座；和供热交换介质流动的流路，上述流路的上表面由陶瓷形成(例如，由静电吸盘的面形成)。
[0011]专利技术效果
[0012]根据本专利技术的一个方面，能够提高基片支承部的温度控制效率。
附图说明
[0013]图1是表示实施方式的基片处理装置之一例的截面示意图。
[0014]图2是表示实施方式中的流路的一个例子的图。
[0015]图3是表示实施方式的基片支承部和比较例中的基片支承部的结构的一个例子的图。
[0016]图4是图3的B区域的放大图。
[0017]图5是表示实施方式中因基片支承部的温度变化导致的变形吸收的一个例子的图。
[0018]图6是将实施方式的基片支承部和比较例的基片支承部的一部分放大的图。
[0019]图7中(a)是表示第一实施方式的基片支承部的结构的一个例子的图，图7中(b)是
表示第二实施方式的基片支承部的结构的一个例子的图，图7中(c)是表示第三实施方式的基片支承部的结构的一个例子的图。
具体实施方式
[0020]下面参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。在各附图中，有时对相同的结构部分标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
[0021][等离子体处理系统][0022]下面对等离子体处理系统的结构例进行说明。等离子体处理系统包括电容耦合的等离子体处理装置1和控制部2。等离子体处理装置1是基片处理装置的一个例子。电容耦合的等离子体处理装置1包括等离子体处理腔室10、气体供给部20、电源30和排气系统40。另外，等离子体处理装置1包括基片支承部11和气体导入部。气体导入部构成为将至少一种处理气体导入等离子体处理腔室10内。气体导入部包括喷头13。基片支承部11配置在等离子体处理腔室10内。喷头13配置在基片支承部11的上方。在实施方式中，喷头13构成等离子体处理腔室10的顶部(ceiling)的至少一部分。等离子体处理腔室10具有由喷头13、等离子体处理腔室10的侧壁10a和基片支承部11规定的等离子体处理空间10s。等离子体处理腔室10具有用于向等离子体处理空间10s供给至少一种处理气体的至少一个气体供给口，和用于从等离子体处理空间排出气体的至少一个气体排出口。侧壁10a接地。喷头13和基片支承部11与等离子体处理腔室10的壳体电绝缘。
[0023]基片支承部11包括基座122和静电吸盘111。基片支承部11还包括环形组件112。静电吸盘111配置在基座122的上部，具有用于支承被处理基片(晶圆)(下称基片W)的中央区域(基片支承面)111a和用于支承环形组件112的环状区域(环支承面)111b。静电吸盘111的环状区域111b在俯视时包围静电吸盘111的中央区域111a。基片W配置在静电吸盘111的中央区域111a上，环形组件112以包围静电吸盘111的中央区域111a上的基片W的方式配置在静电吸盘111的环状区域111b上。在实施方式中，基座122包括导电性部件。基座122的导电性构件作为下部电极发挥功能。静电吸盘111配置在基座122上。静电吸盘111的上表面具有基片支承面111a。环形组件112包括一个或多个环状部件。一个或多个环状部件中的至少一个是边缘环。另外，基片支承部11也可以包括温度调节模块，该温度调节模块构成为将静电吸盘111、环形组件112和基片中的至少一个调节为目标温度。温度调节模块可以包括流路123、加热器、传热介质或者它们的组合。在实施方式中，在基座122形成有流路123，但不限于此。流路123中有热交换介质流动。热交换介质是液体。另外，基片支承部11也可以包括传热气体供给部，该传热气体供给部构成为向基片W的下表面与基片支承面111a之间供给传热气体。
[0024]喷头13构成为将来自气体供给部20的至少一种处理气体导入等离子体处理空间10s内。喷头13具有至少一个气体供给口13a、至少一个气体扩散室13b和多个气体导入口13c。供给至气体供给口13a的处理气体通过气体扩散室13b从多个气体导入口13c导入至等离子体处理空间10s内。另外，喷头13包括导电性部件。喷头13的导电性部件作为上部电极发挥功能。此外，气体导入部除了包括喷头13以外，还可以包括安装在形成于侧壁10a的一个或多个开口部处的一个或多个侧方气体注入部(SGI：Side Gas Injector)。
[0025]气体供给部20还可以包括至少一个气体源21和至少一个流量控制器22。在实施方
Memory：随机存取存储器)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)、SSD(Solid State Drive：固态硬盘)或者它们的组合。通信接口2a3也可以经由LAN(Local Area Network：局域网)等通信线路与等离子体处理装置1之间进行通信。
[0031][基片支承部][0032]参照图2进一步说明形成于基片支承部11中的流路123。图2是从图1的A
‑
A面观察流路123的图，是从上方观察基座122的平面图。在图2中，基座122的上表面122c呈圆板状。流路123形成于基座122，在基座122的上表面122c向静电吸盘111一侧开口。即，流路123在基座122上形成为旋涡状，在上表面具有以旋涡状开口的开口部123a。由此，能够在基片支承部11的基片支承面111a(参照图1)的整个区域控制基片W的温度。另外，流路123的形状不限于旋涡状，也可以是辐射状等。
[0033]参照图3进一步说明基片支承部11的结构。图3是表示了图3中(a)的比较例的基片支承部11
′
，和图3中(b)的实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片支承部，其特征在于，包括：静电吸盘，其由陶瓷形成，通过静电吸附来保持被处理基片；支承所述静电吸盘的基座；和供热交换介质流动的流路，其中，所述流路的上表面由陶瓷形成。2.如权利要求1所述的基片支承部，其特征在于：所述基座和所述静电吸盘为不同的材质，所述流路形成于所述基座，且在所述静电吸盘一侧开口。3.如权利要求2所述的基片支承部，其特征在于：所述流路的开口以外的所述基座与所述静电吸盘之间通过金属钎焊而接合。4.如权利要求1所述的基片支承部，其特征在于：所述基座和所述静电吸盘为不同的材质，所述流路至少形成于所述静电吸盘，且在所述基座一侧开口。5.如权利要求4所述的基片支承部，其特征在于：所述流路形成于所述静电吸盘与所述基座相对的位置并连通。6.如权利要求4或5所述的基片支承部，其特征在于：所述流路的开口以外的所述基座与所述静...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤秀翔，加藤诚人，山口伸，金泽和志，武藤亮磨，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：