本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，在确认基板吸附于静电吸盘之后开始等离子体处理。等离子体处理装置具备静电吸盘、第一开关、第二开关以及控制部。静电吸盘利用施加于内部的电极的电压来吸附要进行等离子体处理的基板。第一开关设置于...

本发明提供一种基片处理方法、存储介质和基片处理装置，容易调整基片表面上的线宽分布。基片处理方法包括对基片实施显影处理的步骤。显影处理包括：对基片的表面供给显影液，在基片的表面形成显影液的液膜的步骤；将显影液的液膜维持于基片的表面上，推进...

本发明涉及基板输送装置和基板输送方法。在输送基板时，防止与该基板的输送以及在输送目的地的基板的处理有关的异常的产生。装置构成为包括：支承部，其用于支承基板；移动机构，其使所述支承部沿横向移动，以将所述基板从分别载置该基板的第1载置部向第...

基板处理方法具有下述(A)～(C)。(A)在水平地保持基板并使其旋转的状态下，从包括与所述基板的下表面中央相对配置的多个喷嘴的喷嘴单元，向所述基板的下表面依次供给酸性或碱性的第1化学溶液、和纯水。(B)水平地保持所述基板并使其旋转，使所...

本实用新型涉及基板输送机构。在利用基板输送机构相对于层叠的处理组件交接基板时，能够抑制微粒向基板的附着，在较大的范围内输送基板。基板输送机构相对于用于处理基板且相互层叠的多个处理组件中的每个处理组件交接该基板，以如下方式构成：该基板输送...

一种将层叠形成有表面膜的第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，包括：将作为去除对象的所述第一基板从所述第二基板剥离；对通过剥离所述第一基板而露出的、残留于所述第二基板的周缘部的所述表面膜的露出表面照射激光，来至少将所述第二基板...

本发明提供一种氮化钛膜的成膜方法和氮化钛膜的成膜装置，用于形成电阻率低的氮化钛膜。在该方法中，交替地重复实施对收容在处理容器内的基板供给原料气体的操作和对所述基板供给反应气体的操作来形成所述氮化钛膜，其中，所述原料气体含有含氯和钛的钛化...

本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：基板保持部，其具备圆盘状的基座构件和多个保持构件，所述基板保持部将基板保持为水平姿势；旋转驱动部，其以使基板保持部绕铅垂轴线旋转的方式对基板保持部进行旋转驱动；处理液喷嘴，其向保持...

本发明提供一种基板处理系统和环状构件的高度的估计方法。基板处理系统具备：基板处理装置，其具有用于载置基板和环状构件的载置台，对基板实施规定的处理；基板搬送机构，其具有基板保持部，通过基板保持部来保持基板并相对于基板处理装置搬入和搬出基板...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够抑制形成于基板表面的图案倒塌。本公开的一个方式的基板处理装置包括批处理部、单张处理部以及搬送部。批处理部对包括多个基板的基板组一并进行处理。单张处理部对基板组中包括的基板逐张地进行处理。搬送...

本发明提供一种能够探测基板背面的异常的基板检查方法和基板检查装置。本公开的一个方式的基板检查方法包括以下工序：一边使用叉来搬送基板，一边使用沿与搬送方向正交的宽度方向排列有多个受光元件的线阵相机来对所述基板的背面进行拍摄；基于搬送所述基...

一种分光分析系统,具有:光源,其具有包括发光二极管(51X)、以对自上述发光二极管(51X)输出的光的波长进行转换的方式构成的波长转换部(52X)及以对自上述波长转换部(52X)输出的光进行聚光的方式构成的聚光部(54X)的光源、以及以...

异物检测装置(50)是构成为检测基板处理用的处理液中包含的异物的装置。该异物检测装置具备：处理液流路形成部，其形成供向基板供给的处理液流通的处理液流路；检查液流路形成部，其形成供与处理液不同的检查液流通的检查液流路(65)；照射部(74...

一种第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，在所述第二基板上按照剥离促进层、激光吸收层的顺序层叠形成有所述剥离促进层、所述激光吸收层，所述处理方法包括：对所述激光吸收层照射激光来形成剥离改性层，并在所述激光吸收层的内部产生应力；...

一种第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，在所述第二基板上形成有激光吸收层，所述处理方法包括：对所述激光吸收层照射脉冲状的激光来形成剥离改性层，并在所述激光吸收层的内部蓄积应力；以及连锁地释放所蓄积的所述应力，来将所述第二基板...

本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，控制在等离子体蚀刻中形成的开口的形状。本公开所涉及的基板处理方法包括以下工序：准备具有含硅电介质膜的基板到基板支承器上；以及由包含含氢和氟的气体的处理气体生成等离子体，来蚀刻所述含硅电介质膜，所...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够实现提高蚀刻的生产率和抑制通过蚀刻形成的凹部的形状异常中的至少一方。基板处理方法包括工序a1)、工序a2)、工序a3)以及工序a4)。在工序a1)中，向腔室内提供包含含硅膜的基板。在工序a2...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，用于抑制因等离子体而产生的损伤。在一个例示性的实施方式中，提供一种基板处理装置。基板处理装置具备：腔室；基板支承器，其设置于腔室内；气体供给部，其设置于腔室内，与包含HF气体和C

系统具备：第1光学部，构成为，向测量对象物射出光，并且使来自测量对象物的第1干涉光入射；第2光学部，构成为，向构成为相对于温度变动而光路长为一定的基准物体射出光，并且使来自基准物体的第2干涉光入射；分光器，与第1光学部及第2光学部连接，...

本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质，其能够抑制基片的膜厚测量结果的偏差。基片处理装置对要由膜厚测量装置测量的基片进行处理，其包括：加热处理部，其对涂敷有涂敷膜的基片进行加热处理；和流体供给部，其对由上述加热处理部处理中或处理...