一种将层叠形成有表面膜的第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，包括：将作为去除对象的所述第一基板从所述第二基板剥离；对通过剥离所述第一基板而露出的、残留于所述第二基板的周缘部的所述表面膜的露出表面照射激光，来至少将所述第二基板的周缘部处的所述表面膜的表层去除或改性。部处的所述表面膜的表层去除或改性。部处的所述表面膜的表层去除或改性。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法和基板处理装置
[0001]本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。
技术介绍
[0002]在专利文献1中公开了一种晶圆的磨削方法。该晶圆的磨削方法包括以下工序：从晶圆的一面侧在比外周缘更靠内侧规定量的位置处沿外周缘照射激光光线，来去除晶圆的外周部；以及对被去除了外周部的晶圆的被磨削面进行磨削来形成规定的加工厚度。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2006
‑
108532号公报
[0006]专利文献2：日本特开2006
‑
212646号公报
技术实现思路
[0007]专利技术要解决的问题
[0008]根据本公开所涉及的技术，能够适当地抑制在将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中由于从第二基板去除第一基板而露出的第二基板的周缘部处的微粒等的飞散。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]本公开的一个方式是一种重合基板的处理方法，该重合基板是将层叠形成有表面膜的第一基板与第二基板接合而成，该重合基板的处理方法包括：将作为去除对象的所述第一基板从所述第二基板剥离；以及对通过剥离所述第一基板而露出的、残留于该第二基板的周缘部的所述表面膜的露出表面照射激光，来至少将所述第二基板的周缘部处的所述表面膜的表层去除或改性。
[0011]专利技术的效果
[0012]根据本公开，能够适当地抑制在将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中由于从第二基板去除第一基板而露出的第二基板的周缘部处的微粒等的飞散。
附图说明
[0013]图1是表示通过晶圆处理系统被进行处理的重合晶圆的一例的侧视图。
[0014]图2是示意性地表示晶圆处理系统的结构概要的俯视图。
[0015]图3是表示本实施方式所涉及的晶圆处理的主要工序的说明图。
[0016]图4是表示本实施方式所涉及的晶圆处理的主要工序的流程图。
[0017]图5是表示形成于第一晶圆的背面的激光透过抑制膜的情形的说明图。
[0018]图6是表示形成于第一晶圆的内部的周缘改性层的情形的说明图。
[0019]图7是表示残留于重合晶圆的微粒和边缘空隙的情形的说明图。
[0020]图8是表示本实施方式所涉及的微粒抑制处理的情形的说明图。
[0021]图9是表示本实施方式所涉及的微粒抑制处理的情形的说明图。
[0022]图10是表示本公开内容所涉及的技术的其它应用例的说明。
[0023]图11是表示本实施方式所涉及的微粒抑制处理的情形的说明图。
具体实施方式
[0024]近年来，在半导体器件的制造工序中，在将表面形成有多个电子电路等器件的半导体基板(下面称为“晶圆”)彼此接合而成的重合晶圆中，进行以下处理：将形成该重合晶圆的第一晶圆进行薄化；以及将形成于该第一晶圆的器件转印于形成该重合晶圆的第二晶圆。
[0025]另外，通常，晶圆的周缘部被进行了倒角加工，但当如上述那样在重合晶圆中进行薄化处理、转印处理时，有时薄化后的第一晶圆、转印后的重合晶圆的周缘部成为尖锐的形状(所谓的刀刃形状)。于是，在这些晶圆的周缘部产生破片，晶圆可能会受损。因此，需要在进行薄化处理、转印处理之前预先进行用于抑制像这样在晶圆的周缘部形成刀刃形状的处理。
[0026]上述的专利文献1所记载的磨削方法作为抑制由于薄化处理而在晶圆形成刀刃形状的方法的一例，是用于去除薄化处理前的晶圆的周缘部、即进行所谓的边缘修剪的磨削方法。然而，在通过专利文献1所记载的方法进行晶圆的边缘修剪的情况下，有时在进行边缘修剪后露出的晶圆的表面残留有微粒、残膜。而且，像这样残留于晶圆的表面的微粒、残膜会在搬送过程中、后续工序中掉落、飞散，由此可能会污染装置、前开式晶圆传送盒或其它晶圆。因而，以往的边缘修剪方法存在改善的余地。
[0027]本公开所涉及的技术能够适当地抑制在将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中由于从第二基板去除第一基板而露出的第二基板的周缘部处的微粒等的飞散。下面，参照附图对作为本实施方式所涉及的基板处理装置的晶圆处理系统和作为基板处理方法的晶圆处理方法进行说明。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，由此省略重复说明。
[0028]在本实施方式所涉及的后述的晶圆处理系统1中，对作为如图1所示那样将作为第一基板的第一晶圆W1与作为第二基板的第二晶圆W2接合而成的重合基板的重合晶圆T进行处理。而且，在晶圆处理系统1中，去除第一晶圆W1的周缘部We。下面，将第一晶圆W1中与第二晶圆W2接合的一侧的面称为表面W1a，将与表面W1a相反一侧的面称为背面W1b。同样地，将第二晶圆W2中与第一晶圆W1接合的一侧的面称为表面W2a，将与表面W2a相反一侧的面称为背面W2b。另外，在第一晶圆W1中，将比作为去除对象的周缘部We更靠径向内侧的区域称为中央部Wc。
[0029]第一晶圆W1例如是硅基板等半导体晶圆，在第一晶圆W1的表面W1a形成有包括多个器件的器件层D1。另外，在器件层D1还形成有接合用膜F1，经由该接合用膜F1来与第二晶圆W2进行接合。作为接合用膜F1，例如能够列举氧化膜(SiO2膜、TEOS膜)、SiC膜、SiCN膜或粘接剂等。此外，第一晶圆W1的周缘部We被进行了倒角加工，周缘部We的截面的厚度随着去向其前端而变小。另外，周缘部We是在后述的边缘修剪中被去除的部分，例如为从第一晶圆W1的外端部起的径向0.5mm～3mm的范围。此外，可以在第一晶圆W1与器件层D1的界面还形成有能够吸收在去除周缘部We时照射于重合晶圆T的内部的激光的激光吸收层(未图示)。另外，也可以将形成于器件层D1的接合用膜F1用作激光吸收层。
[0030]第二晶圆W2例如具有与第一晶圆W1同样的结构，在表面W2a形成有器件层D2和接合用膜F2，周缘部被进行了倒角加工。此外，第二晶圆W2无需为形成有器件层D2的器件晶圆，例如也可以为支承第一晶圆W1的支承晶圆。在该情况下，第二晶圆W2作为保护第一晶圆W1的器件层D1的保护件发挥功能。
[0031]此外，在本实施方式中，有时将形成于第一晶圆W1及第二晶圆W2的器件层D1、D2以及接合用膜F1、F2分别称为“表面膜”。换言之，在本实施方式所涉及的第一晶圆W1和第二晶圆W2层叠形成有多个表面膜。
[0032]如图2所示，晶圆处理系统1具有将搬入搬出块G1、搬送块G2以及处理块G3连接为一体的结构。搬入搬出块G1、搬送块G2以及处理块G3从X轴负方向侧起按照搬入搬出块G1、搬送块G2、处理块G3的顺序排列配置。
[0033]搬入搬出块G1例如与外部之间搬入和搬出能够收容多个重合晶圆T的盒C。在搬入搬出块G1设置有盒载置台10。在图示的例子中，在盒载置台10上将多个、例如三个盒C沿Y轴方向自由地载置成一列。此外，载置于盒载置台10的盒C的个数并不限定于本实施方式，能够任意本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理方法，是将层叠形成有表面膜的第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，所述基板处理方法包括：将作为去除对象的所述第一基板从所述第二基板剥离；以及对通过剥离所述第一基板而露出的、残留于所述第二基板的周缘部的所述表面膜的露出表面照射激光，来至少将所述第二基板的周缘部处的所述表面膜的表层去除或改性。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第一基板的剥离中，至少将该第一基板的周缘部从所述第二基板剥离。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，在所述表面膜的去除或改性中，将从所述露出表面起至所述第一基板与所述第二基板的接合界面为止的所述表面膜去除或改性。4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，在所述表面膜的去除或改性中，将残留于所述第二基板的周缘部的所述表面膜全部去除，来使所述第二基板的表面露出。5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，在去除所述表面膜时，脉冲状地照射所述激光，控制该激光的能量密度以及激光照射区域的重叠。6.根据权利要求4或5所述的基板处理方法，其特征在于，所述激光为超短脉冲激光。7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，在去除残留于所述第二基板的周缘部的所述表面膜时，依次进行以下处理：向所述表面膜照射激光来去除所述表面膜；以及向所述表面膜被去除后的所述第二基板的表面照射激光来去除所述表面膜的残膜，并且在该第二基板的表面形成微细周期构造。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在去除所述周缘部之前包括以下处理：去除形成于所述第一基板的背面的所述激光的抑制膜；以及向所述重合基板的内部照射激光，来降低所述周缘部处的所述第一基板与所述第二基板的接合强度。9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第一基板的与所述周缘部对应的位置进行所述抑制膜的去除。10.一种基板处理装置，对将层叠形成有表面膜的第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理，所述基板处理装置具有：去除部，其将作为去除对象的所述第一基板从所述第二基板剥离；第一激光照射部，其对通过剥离所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：田之上隼斗，山下阳平，沟本康隆，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。