一种基板的处理方法，是交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理方法，所述基板的处理方法包括以下工序：使用被利用远程等离子体自由基化后的、包含氟和氧的气体，选择性地将所述硅锗层的露出面的表层氧化来形成氧化膜；以及去除所形成的所述氧化膜。去除所...

本公开的一个方式的原料供给系统具有：第一贮存部，其用于贮存将第一固体原料溶解于溶剂所得到的溶液或者将第一固体原料分散于溶剂所得到的分散系；第二贮存部，其用于贮存从所述第一贮存部输送的所述溶液或所述分散系；探测部，其探测贮存于所述第一贮存...

关于本公开的一个方式的清洁方法，通过将静电吸盘暴露于等离子体，并将所述静电吸盘的电位与所述等离子体的电位的关系保持为电子电流从所述等离子体朝向所述静电吸盘流入的关系，来清洁静电吸盘。来清洁静电吸盘。

异物检测装置包括：检测部，其具有流路形成部和测量部，流路形成部形成供对基板供给的处理液流动的处理液流路，测量部能够通过对处理液流路照射来自光源的照射光来接收从该处理液流路射出的出射光；异物判断部，其能够基于出射光的信号强度，判断处理液内...

本公开涉及基板搬送装置和臂的冷却方法。一种基板搬送装置，用于搬送基板，基板搬送装置具备：搬送臂，其具有用于支承基板的基板支承部以及与所述基板支承部连结来用于使该基板支承部移动的臂；冷却机构，其将来自流体供给源的冷却流体分配地供给至所述臂...

本发明提供能够控制等离子体电子密度的等离子体处理装置用的电极和等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置用的电极包括：导电性的第一部件；和设置在所述第一部件的内部的第二部件，其由二次电子发射系数与所述第一部件不同的材质形成。一部件不同的...

本发明提供一种基板搬送装置和基板搬送方法。在基板搬送装置中，设置于基板的搬送区域内的移动用区块具备移动面和能够改变磁场的状态的多个第一磁体，保持基板的基板搬送模块具备第二磁体，该第二磁体受到作用于该第二磁体与所述第一磁体的磁场之间的磁力...

本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括保持基片的保持部、液排出部、第一供给部、第二供给部和控制部。液排出部对保持在保持部上的基片排出处理液。第一供给部对液排出部供给处理液。第二供给部对液排出部供给水蒸气。第二供给部具...

本发明提供一种基片保持部的位置调节方法、基片处理系统和存储介质。该位置调节方法包括：步骤A，使支承着基片的基片保持部水平地移动至基片载置部的上方；步骤B，使支承着基片的基片保持部下降至当前设定中的基准高度位置；步骤C，使基片保持部移动至...

本发明提供基板载置台的研磨方法和基板处理装置。抑制在基板载置台的加工时因切削负荷的影响使加工工具倾斜导致加工错移而产生台阶，抑制蚀刻斑的产生。基板载置台的研磨方法用于研磨作为基板载置台的上表面的基板载置面，该基板载置台包括基材、设于所述...

本发明涉及等离子体产生装置、成膜装置以及成膜方法。提供能够应对工艺的高温化、能够调整线圈的倾斜度的等离子体产生装置和使用了该等离子体产生装置的成膜装置以及成膜方法。该等离子体产生装置具有：壳体，其以嵌入于成膜装置的处理室的上表面的局部的...

本发明提供一种提高多个基板处理部依次对基板进行处理的基板处理装置的生产率的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括多个第1基板处理部、一个以上的第2基板处理部以及输送部。所述第1基板处理部对基板一张一张地进行处理。所述第2基板处理部...

本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法，使利用了适于EUV光刻的抗蚀剂材料的基板中的曝光时的感光度在面内均匀。基板处理装置(1)具有：光源(42)，在对利用EUV光刻用抗蚀剂材料形成了抗蚀剂膜的基板进行曝光处理前该光源(42)向该基板...

本发明提供一种气体供给装置、气体供给方法以及基板处理装置，能够简易地抑制由于用于供给和切断气体的开闭阀的Cv值的变化引起的气体供给量的变动。气体供给装置具有：气体供给源，其供给气体；气体供给路径，其用于从气体供给源向处理空间供给气体；开...

本发明提供异物降落防止部件和基片处理装置，其能够防止设置于真空泵或压力控制阀的上游侧的保护网被异物堵塞。异物降落防止部件配置在设置有保护网的处理容器的排气口，包括：第一板；第二板，其以相对于上述第一板具有第一间隙的方式配置在上述排气口侧...

本发明提供一种基片液处理装置和基片液处理方法。基片液处理装置包括：处理槽；基片支承部件，其将多个基片以铅直姿态在水平方向上隔开预先设定的间隔地排列并支承；升降机构，其使基片支承部件在处理槽内的处理位置与处理槽的上方的退避位置之间升降；摄...

本发明提供一种能够恰当地提高厚度方向上的传热效率的上部电极组件。在等离子体处理装置中使用的上部电极组件包括：电极板；金属板；和传热片，其配置在上述电极板与上述金属板之间且具有垂直取向部分，上述垂直取向部分具有沿垂直方向取向的多个垂直取向...

本发明涉及蚀刻方法。提供在使用物理溅射现象的加工方法中，抑制溅射的原子向蚀刻侧壁附着的技术。在一个实施方式的蚀刻方法中，通过使用等离子体中的离子的溅射对晶圆进行蚀刻。在晶圆中，将包含难挥发性材料的多层膜的表面上的掩模层的高度(h)除以限...

本实用新型涉及信息获取系统。防止位于在基板处理装置处理的基板附近的构件被配置在不适当的位置而产生处理不良的情况。构成一种信息获取系统，其用于获取与对保持于基板保持部的基板进行处理的基板处理装置相关的信息，其中，该信息获取系统构成为包括：...

本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在内表面具有含铝物的处理容器内，使用含氯气体对Ti/Al/Ti叠层膜进行等离子体蚀刻时，抑制含铝物的消耗。本发明的等离子体蚀刻方法包括：向内表面的至少一部分由含铝物形成的处理容器内，搬入具有下层Ti膜、A...