本发明提供一种等离子体处理系统和环状部件的安装方法。等离子体处理系统包括等离子体处理装置、减压输送装置和控制装置，基片支承台在支承部设置有多个插通孔，且具有升降器、升降机构和温度调节机构，在环状部件的底面形成有凹部，控制装置进行控制以执...

本发明涉及基板处理装置和基板处理装置的控制方法。在处理容器内进行与基板载置台或载置于基板载置台的基板相关的各种测量。基板处理装置具有处理容器、基板载置台、旋转臂、传感器和旋转机构。处理容器在内部形成有多个处理空间。基板载置台分别配置于多...

基板处理装置具备保持部、液供给部、回收部、循环路、气体供给部以及控制部。所述保持部用于保持基板。所述液供给部用于对保持于所述保持部的所述基板的第一主表面供给处理液。所述回收部回收在所述基板的处理中使用过的已使用的所述处理液。所述循环路用...

本发明提供能够提高基片温度的可控性的基片支承部和基片处理装置。其包括：基座；第一流路，其在上述基座的中央部于上述基座的下表面开口；第二流路，其包围上述第一流路的周围，在上述基座的下表面开口；第三流路，其被配置成与上述第一流路连通并从上述...

本发明涉及气体处理装置。提供一种能够在使用含氟气体和碱性气体的气体处理时抑制由于微粒而在基板产生缺陷的气体处理装置。对基板实施气体处理的气体处理装置具有：腔室，其收容基板；气体供给机构，其将含氟气体和碱性气体独立地供给；以及气体导入构件...

本发明涉及配管连接构造和处理装置。提供一种能够吸收装置组装时的误差的技术。本公开的一技术方案的配管连接构造是处理装置所具备的配管连接构造，其中，该配管连接构造具有：第1配管，其在一端具有第1凸缘部；第2配管，其在一端具有与所述第1凸缘部...

本发明提供一种等离子体处理装置，其能够降低因基片周围的部件的随时间变化而导致的对处理的影响。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；构成为能够在上述等离子体处理腔室内生成等离子体的等离子体生成部；配置在上述等离子体处理腔室内的基片支承部...

本发明提供一种对开口部进行开闭的开闭装置和输送室。本发明的开闭装置对将第一室和与上述第一室相邻的第二室连通的开口部进行开闭，上述开闭装置包括：平面电机，其具有排列于上述第一室的线圈；移动体，其在能够上述平面电机上移动，具有封闭上述开口部...

本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置。本发明的一个方式的基片处理方法包括准备工序、掩模去除工序和干燥工序。准备工序准备基片，其中，在该基片的层叠膜上形成有作为掩模的氧化锆膜，并且进而被干蚀刻成了规定形状。掩模去除工序在准备工序之后对...

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。本发明的等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；配置在等离子体处理腔室内的基片支承部；环状挡板，其以包围基片支承部的方式配置，且具有多个开口；第一环状板，其配置在环状挡板的下方；第二环状...

本发明公开了用于旋涂碳平坦化的技术，其中描述了用于SOC平坦化的系统和方法。在实施例中，用于SOC平坦化的设备包括被配置成支承微电子衬底的衬底保持器。另外，该设备可以包括被配置成朝向微电子衬底的表面发射紫外(UV)光的光源。在实施例中，...

本发明提供基片处理装置、研磨垫检查装置和研磨垫检查方法，其在适当的时机检查对基片进行研磨的研磨垫的研磨面。基片处理装置包括：对基片进行研磨的研磨垫；盒，其收纳上述研磨垫的与上述基片接触的研磨面；拍摄部，其隔着上述盒对上述研磨垫的上述研磨...

本公开涉及处理治具。本公开的目的在于，提供一种容易进行基板保持工具的操作的处理治具。一种处理治具，其对基板保持工具进行保持并容易进行操作，该基板保持工具由顶板、底板以及与所述顶板和所述底板连接着的多个支柱构成，并利用所述多个支柱保持基板...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够得到表示混合流体中的干燥液的浓度的指标。基板处理装置具有处理容器、排出线路以及密度检测部。向所述处理容器供给超临界流体来将盛放在基板上的干燥液置换为所述超临界流体，由此将所述基板干燥。所述排...

一种形成器件的方法包括使用极紫外(EUV)光刻工艺在衬底上方形成图案化抗蚀剂层。该方法包括通过在该图案化抗蚀剂层上方选择性地沉积芯轴材料来在等离子体加工室中形成芯轴，该芯轴包括该图案化抗蚀剂层和该芯轴材料。该芯轴包括该图案化抗蚀剂层和该...

本发明涉及调温单元和处理装置。提供一种能够在短时间内调整气体阀的温度的技术。本公开的一技术方案的调温单元是对气体阀的温度进行调整的调温单元，其中，该调温单元具有：散热器，其安装于所述气体阀；以及壳体，其覆盖所述散热器，并包含用于导入调温...

本发明提供能够实现稳定的等离子体点火的点火方法和等离子体处理装置。该点火方法是在等离子体处理装置中的点火方法，上述等离子体处理装置包括：高频电源，其施加被控制为可变的频率的高频；等离子体生成部，其具有能够被施加上述高频的电极，从气体生成...

本发明提供一种统计方法和处理装置。统计方法包括：获取日志信息的步骤，所述日志信息包含由处理基片的处理装置所具有的传感器测量出的、所述处理装置使用了的资源消耗的测量值和测量日期时间；将获取到的所述日志信息中包含的所述资源消耗的测量值和所述...

本发明的基片处理装置和基片处理方法能够在基片形成膜厚均匀的处理膜。本发明的对基片的表面形成处理膜的基片处理装置包括：作为保持基片的基片保持部的旋转卡盘(21)，其中，该基片涂敷有用于形成处理膜的干燥前的处理液；和气体供给部(40)，其对...

一种加工方法，是加工装置中的基板的加工方法，所述方法包括：在第一磨削部中对所述基板实施第一磨削处理；在第二磨削部中对所述基板实施第二磨削处理；在所述第一磨削部中对所述基板实施第一再次磨削处理；以及在所述第二磨削部中对所述基板实施第二再次...