【技术实现步骤摘要】
等离子体处理系统和环状部件的安装方法
[0001]本公开涉及等离子体处理系统和环状部件的安装方法。
技术介绍
[0002]专利文献1公开了一种将基片配置在处理室内，并以包围该基片的周围的方式配置聚焦环，来对基片实施等离子体处理的基片处理装置。该基片处理装置包括具备承载器的载置台和多个定位销，承载器具有用于载置基片的基片载置面和用于载置聚焦环的聚焦环载置面。定位销由能够因加热而在径向上膨胀的材料构成为销状，在聚焦环上安装成从其下表面突出，并且被插入到形成于承载器的聚焦环载置面上的定位孔中，通过加热使其在径向上膨胀而嵌合，由此对聚焦环进行定位。另外，专利文献1公开的基片处理装置包括升降销和输送臂。升降销以相对于聚焦环载置面突出或没入的方式设置于载置台，将聚焦环连同定位销一起抬升而使之脱离聚焦环载置面。输送臂被设置在处理室的外侧，经由设于处理室的送入送出口，在输送臂与升降销之间，对聚焦环在安装有定位销的状态下进行交接。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2011
‑
54933号公报。
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本公开涉及的技术之目的是，在使用输送装置将环状部件安装到基片支承台上时，相对于基片支承台恰当地对环状部件进行定位。
[0008]解决问题的技术手段
[0009]本专利技术的一个方面提供一种等离子体处理系统，其包括对基片进行等离子体处理的等离子体处理装置、...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理系统，其特征在于：包括对基片进行等离子体处理的等离子体处理装置、与所述等离子体处理装置连接的减压输送装置和控制装置，所述等离子体处理装置包括具有支承部的基片支承台，所述支承部具有用于载置基片的基片载置面和用于载置以包围基片的方式配置的环状部件的环状部件载置面，所述基片支承台在所述支承部设置有在所述环状部件载置面上开口的多个插通孔，并且具有：升降器，其对每个所述插通孔设置，能够以从所述环状部件载置面突出的方式升降；使所述升降器升降的升降机构；和调节所述支承部的温度的温度调节机构，所述减压输送装置包括相对于所述基片支承台输送所述环状部件的输送机构，在所述环状部件的底面形成有向上方凹陷的能够容纳所述升降器的上端部的凹部，所述控制装置控制所述升降机构、所述温度调节机构和所述输送机构，以执行以下步骤：将所述支承部的温度调节为能够使所述环状部件的所述凹部各自的位置与对应的所述升降器和所述插通孔的位置一致的预定的温度的步骤；和将所述环状部件输送到所述支承部的上方，用从温度已被调节为所述预定的温度的所述支承部的所述环状部件载置面突出的所述升降器，来接收所述环状部件，并将该环状部件载置在所述环状部件载置面上的步骤。2.如权利要求1所述的等离子体处理系统，其特征在于：所述控制装置在所述环状部件被载置于所述环状部件载置面之后且所述等离子体处理开始之前，控制所述温度调节机构，以执行将所述支承部的温度调节为预定的所述等离子体处理开始时的温度的步骤。3.如权利要求2所述的等离子体处理系统，其特征在于：所述基片支承台具有用于利用静电力将所述环状部件吸附并保持于所述支承部的电极，所述控制装置在将所述支承部的温度调节为所述预定的所述等离子体处理开始时的温度的步骤之前，控制施加于所述电极的电压，以执行将所述环状部件吸附并保持于所述支承部的步骤。4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理系统，其特征在于：所述控制装置控制所述升降机构和所述输送机构，以执行将所述环状部件从所述环状部件载置面拆除，并从所述等离子体处理装置送出的步骤。5.如权利要求4所述的等离子体处理系统，其特征在于：所述等离子体处理装置构成为能够进行除去在所述等离子体处理时附着于所述环状部件的反应生成物的除去处理，所述控制装置控制所述等离子体处理装置，以在所述送出的步骤之前执行进行所述除去处理的步骤。6.如权利要求5所述的等离子体处理系统，其特征在于：所述控制装置控制所述温度调节机构，以在进行所述除去处理的步骤之后且所述送出
的步骤之前，执行将所述环状部件冷却的步骤。7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理系统，其特征在于：所述预定的温度在40℃～80℃的范围内设定。8.如权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理系统，其特征在于：所述预定的温度以预定的所述等离子体处理开始时的温度为基准，在
±
10℃的范围内设定。9.如权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理系统，其特征在于：所述输送机构具有调节所述环状部件的温度的其他的温度调节机构，所述控制装置在将所述环状部件载置于所述环状部件载置面的步骤中，控制所述其他的温度调节...
【专利技术属性】
技术研发人员：松浦伸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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