本发明的对基片进行处理的基片处理方法包括：将包含有机金属配合物、溶剂和添加物的涂敷液涂敷于基片，形成上述涂敷液的液膜的步骤；对形成有上述涂敷液的液膜的基片进行加热，形成含有机成分的金属氧化膜的步骤，其中，上述含有机成分的金属氧化膜是包含...

一种等离子体加工方法包括：在第一源功率(SP)脉冲持续时间内向SP耦合元件提供第一SP脉冲，以在加工室中生成等离子体；在与该第一SP脉冲持续时间重叠的高频偏置功率(HBP)脉冲持续时间内向设置在该加工室中的衬底固持器提供HBP脉冲；以及...

本实用新型的液滴释放装置能够稳定地进行液滴的释放状态的检查。液滴释放装置包括输送机构、多个释放头、检查台、介质输送部和拍摄部。输送机构沿着输送方向输送工件。多个释放头对工件释放功能液的液滴。检查台吸附检查用介质，该检查用介质接收从多个释...

提供一种温度控制装置、温度控制方法以及载置台。在加热器发生了断线的情况下也将被处理基板的温度控制的精度维持为高精度。基板处理装置具备静电卡盘、控制部以及多个加热器。静电卡盘的内部的各分割区域分别嵌入有多个加热器。在各分割区域中被嵌入的多...

本发明提供能够使对输送机器人的示教自动化的输送系统、输送装置和输送方法。本发明的一方式的输送系统包括：基于动作指示利用末端执行器输送输送对象物的输送机器人；和将上述动作指示输出到上述输送机器人的控制部，上述末端执行器和上述输送对象物中的...

一种加工装置，其具有：卡盘，其保持基板；可动部，其供加工所述基板的加工工具安装；喷洒器，其自所述可动部的外部喷洒对所述可动部进行清洗的清洗液；以及壳体，其收纳所述卡盘、所述加工工具和所述喷洒器。所述喷洒器具有：固定部，其固定于所述壳体的...

本发明提供一种基板位置控制方法和基板处理系统。基板位置控制方法包括以下工序：第一计算工序，参照存储部来计算差分信息，存储部存储用于对向第一处理室和第二处理室搬送的基板进行位置调整的第一位置调整信息和第二位置调整信息，差分信息表示将基于第...

本公开的过滤器清洗系统(1、1A)具备贮存部(2)、输液路(3、3A)、循环路(4)、第一供给部(5)以及第二供给部(6)。贮存部贮存要向过滤器(100)通液的液体。输液路向所述过滤器输送贮存于贮存部的液体。循环路使从过滤器输出的液体回...

接合装置将第一基板与第二基板进行接合来得到重合基板。所述第一基板包括基底基板和器件层，该器件层形成于所述基底基板的与所述第二基板相向的相向面。所述接合装置具有：第一保持部，其保持所述第一基板；第二保持部，其保持所述第二基板；移动部，其使...

本发明提供一种许可证认证装置和许可证认证方法。一个方式的半导体制造装置的许可证认证装置，其中，该半导体制造装置提供在已认证的情况下成为能够使用的许可证对象功能，该许可证认证装置具有：获取部，其从所述半导体制造装置获取第一信息和第二信息；...

本实用新型提供一种基片液处理装置。基片液处理装置包括：处理槽；基片支承部件，其将多个基片以铅直姿态在水平方向上隔开预先设定的间隔地排列并支承；升降机构，其使基片支承部件在处理槽内的处理位置与处理槽的上方的退避位置之间升降；摄像部，其设置...

本发明提供等离子体处理装置和控制方法。等离子体处理装置包括：容器；设置在所述容器内并具有电极的载置台；在所述容器内生成等离子体的等离子体源；周期性地对所述电极供给脉冲状负直流电压的偏置电源；周边环，其以包围载置于所述载置台的基片的方式配...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够提高磷酸水溶液的使用效率。基板处理方法包括调配工序、蚀刻处理工序以及浓度上升工序。在调配工序中，向磷酸水溶液中添加析出抑制剂来调配磷酸处理液。在蚀刻处理工序中，将具有氧化硅膜和氮化硅膜的基板...

本发明涉及基板输送机构和基板输送方法。在利用基板输送机构相对于层叠的处理组件交接基板时，能够抑制微粒向基板的附着，在较大的范围内输送基板。基板输送机构相对于用于处理基板且相互层叠的多个处理组件中的每个处理组件交接该基板，以如下方式构成：...

本发明涉及基板收容装置和处理系统。削减系统整体的占地面积。一种基板处理装置，其收容利用输送装置输送的基板，该输送装置具有保持构件的末端执行器，该构件包含基板和在处理基板的基板处理装置设置的消耗部件，该基板收容装置包括容器。在容器的侧壁形...

本发明提供一种基板处理装置和基板温度校正方法，能够抑制由温度调整介质的温度变化的影响引起的基板的温度变化。基板处理装置的载置台形成有用于载置基板的载置面，在载置台的内部形成有用于流通温度调整介质的流路，在载置面形成有用于喷出传热气体的喷...

本发明涉及基板清洗方法和基板清洗装置。快速地完成通过相对于基板的下表面使刷相对地滑动而进行的清洗处理。进行以下工序：利用基板保持部对在上表面形成有膜的基板的下表面进行保持；以及清洗工序，将第1刷和第2刷按压于所述基板的下表面，并使它们相...

本发明提供等离子体处理装置和基片支承部，能够不改变气体流路部件的配置区域的尺寸，而延长气体流路部件的气体流路长度。等离子体处理装置包括：处理容器；电极，其配置在上述处理容器的内部，能够被施加所希望的高频电功率；具有上述电极的部件；和配置...

本发明提供一种进行溅射处理的装置和方法。在对基片进行溅射处理的装置中，在处理容器内以沿着包围中心位置的圆排列的方式配置有多个载置台，通过等离子体而从配置在这些载置台的上方位置的靶材释放靶材颗粒。从该靶材的上方侧俯视时，多个载置台配置在能...

本公开涉及基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的存储介质，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。基板处理装置具有支承部、基座构件、旋转部、气体供给部、以及气体整流部。气体整流部包含：棒状构件，其包含与基板的下表面相对的顶端部；整流构件，其配...