基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的存储介质制造方法及图纸

本公开涉及基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的存储介质，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。基板处理装置具有支承部、基座构件、旋转部、气体供给部、以及气体整流部。气体整流部包含：棒状构件，其包含与基板的下表面相对的顶端部；整流构件，其配置为包围顶端部。顶端部包含以自顶端部的外周面向外侧突出后朝向下方延伸的方式设于外周面的折回部。整流构件包含：底壁部，其配置为内周缘与顶端部的外周面分离开；突出部，其以顶端部位于折回部和顶端部的外周面之间的方式自底壁部的内周部朝向上方延伸；水平整流部，其以与底壁部分离开的状态沿水平方向延伸；以及多个柱部，其连接水平整流部和底壁部。连接水平整流部和底壁部。连接水平整流部和底壁部。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的存储介质


[0001]本公开涉及基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的存储介质。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种基板处理装置，该基板处理装置一边使被保持于基板保持单元的基板绕铅垂轴线旋转，一边对基板的下表面实施洗净、干燥处理。该装置包含：基座构件，其与被保持于基板保持单元的基板的下表面相对配置；气体喷出口，其向基座构件和基板的下表面之间的空间喷出气体；以及阻断构件，其设为覆盖气体喷出口的上方。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开平10－135178号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开对能够提高蚀刻处理的面内均匀性的基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的存储介质进行说明。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]基板处理装置的一例具有：支承部，该支承部构成为支承基板；基座构件，该基座构件设置有贯通孔，构成为与被支承部支承着的基板的下表面分离开并且与该下表面相对；旋转部，该旋转部构成为使基座构件和支承部旋转；化学溶液供给部，该化学溶液供给部构成为向被支承部支承着的基板的上表面供给蚀刻液；气体供给部；以及气体整流部，该气体整流部构成为对自气体供给部供给的气体进行整流，并将整流后的气体向被支承部支承着的基板的下表面和基座构件之间的空间排出。气体整流部包含：棒状构件，该棒状构件沿上下方向延伸，包含与被支承部支承着的基板的下表面相对并且配置于贯通孔内的顶端部；以及环状的整流构件，该整流构件配置为包围顶端部。顶端部包含环状的折回部，该折回部以自顶端部的外周面向外侧突出后朝向下方延伸的方式设于外周面。整流构件包含：环状的底壁部，该底壁部配置为内周缘与顶端部的外周面分离开；环状的突出部，该突出部以上端部位于折回部和顶端部的外周面之间的方式自底壁部的内周部向上方延伸；环状的水平整流部，该水平整流部在较折回部靠外侧的位置且是底壁部的上方处，以与底壁部分离开的状态沿水平方向延伸；以及多个柱部，该柱部连接水平整流部和底壁部，沿顶端部的周向排列。
[0010]对于上述基板处理装置，也可以是，所述折回部和所述水平整流部的水平方向上的分开距离为2mm～10mm。
[0011]对于上述基板处理装置，也可以是，所述整流构件还包含环状的盖部，该盖部以位于所述折回部和所述水平整流部之间的方式设于所述折回部和所述水平整流部中的一者。
[0012]对于上述基板处理装置，也可以是，所述贯通孔设于所述基座构件的中央部，所述
底壁部的外周缘与所述贯通孔连接。
[0013]对于上述基板处理装置，也可以是，在自所述整流构件的旋转轴线方向观察时，所述多个柱部相对于该旋转轴线的周向和径向这两者倾斜地延伸。
[0014]对于上述基板处理装置，也可以是，该基板处理装置还具有控制部，所述化学溶液供给部包含：喷嘴，该喷嘴构成为喷出所述蚀刻液；以及驱动部，该驱动部构成为在被所述支承部支承着的所述基板的上方使所述喷嘴沿水平方向移动，所述控制部构成为控制所述驱动部和所述气体供给部来执行如下处理：根据所述蚀刻液向所述基板喷出的喷出位置，调节自所述气体供给部供给的气体的供给量，以使自所述喷嘴向所述基板的中央部喷出所述蚀刻液时的向所述气体整流部供给的气体的供给量较自所述喷嘴向所述基板的外周部喷出所述蚀刻液时的向所述气体整流部供给的气体的供给量少。
[0015]对于上述基板处理装置，也可以是，所述中央部的距所述基板的中心的半径为60mm～90mm的范围。
[0016]对于上述基板处理装置，也可以是，所述控制部构成为控制所述驱动部来执行如下处理：使所述喷嘴进行往复移动，从而向所述基板的中心附近和所述基板的周缘部之间供给所述蚀刻液。
[0017]对于上述基板处理装置，也可以是，所述控制部构成为控制所述驱动部来执行如下处理：使自所述喷嘴向所述基板的中央部喷出所述蚀刻液时的所述喷嘴的移动速度为150mm/sec以下。
[0018]对于上述基板处理装置，也可以是，所述控制部构成为控制所述气体供给部来执行如下处理：根据所述基板的转速，调节向所述气体整流部供给的气体的供给量。
[0019]专利技术的效果
[0020]利用本公开的基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的存储介质，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。
附图说明
[0021]图1是示意性地表示基板处理装置的一例的图。
[0022]图2是将气体整流部的一例的附近放大表示的剖视图。
[0023]图3是将整流构件的一例沿图2的III－III线剖切表示的剖视图。
[0024]图4是表示基板处理装置的主要部分的一例的框图。
[0025]图5是表示控制器的硬件结构的一例的概略图。
[0026]图6是用于说明基板处理的一例的流程图。
[0027]图7是将整流构件的其他例沿水平面剖切表示的剖视图。
[0028]图8是将气体整流部的其他例的附近放大表示的剖视图。
具体实施方式
[0029]在以下的说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的附图标记，并省略重复说明。此外，在本说明书中当提到附图的上、下、左、右时，以图中的附图标记的方向为基准。
[0030][基板处理装置][0031]首先，参照图1～图3，对基板处理装置1的一例的结构进行说明。例如，基板处理装置1构成为通过向基板W的上表面Wa供给处理液L，对形成于基板W的上表面Wa的膜F进行蚀刻处理。膜F也可以由例如氮化钛、氧化钛、钛、钨、钽、氮化钽、铝、氧化铝、铜、钌、氧化锆、氧化铪等金属膜构成。
[0032]基板W可以呈圆板状，也可以呈多边形等圆形以外的板状。基板W也可以具有局部被切除而得到的缺口部。例如，缺口部可以是槽口(U字形、V字形等的槽)，也可以是以直线状延伸的直线部(所谓的定位平面)。例如，基板W可以是半导体基板(硅晶圆)、玻璃基板、掩膜基板、FPD(Flat Panel Display：平板显示器)基板以及其他各种基板。基板W的直径可以为例如200mm～450mm左右。
[0033]如图1所示，基板处理装置1包含：旋转保持部10、气体整流部20、化学溶液供给部30、冲洗液供给部40、气体供给部50以及控制器Ctr(控制部)。
[0034]旋转保持部10包含旋转轴11(旋转部)、驱动机构12(旋转部)、基座构件13、多个支承销14(支承部)以及多个把持机构15(支承部)。旋转轴11是沿铅垂方向延伸的中空的管状构件。旋转轴11构成为能够绕中心轴线Ax旋转。驱动机构12连接于旋转轴11。驱动机构12构成为基于来自控制器Ctr的工作信号而工作，从而使旋转轴11旋转。例如，驱动机构12也可以是电动马达等动力源。
[0035]例如，基座构件13是呈圆环状的平板，沿水平延伸。即，在基座构件13的中央部形成有贯通孔13a。基座本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置具有：支承部，该支承部构成为支承在上表面形成有膜的基板；基座构件，该基座构件设置有贯通孔，构成为与被所述支承部支承着的所述基板的下表面分离开并且与该下表面相对；旋转部，该旋转部构成为使所述基座构件和所述支承部旋转；化学溶液供给部，该化学溶液供给部构成为向被所述支承部支承着的所述基板的上表面供给蚀刻液；气体供给部；以及气体整流部，该气体整流部构成为对自所述气体供给部供给的气体进行整流，并将整流后的气体向被所述支承部支承着的所述基板的下表面和所述基座构件之间的空间排出，所述气体整流部包含：棒状构件，该棒状构件沿上下方向延伸，包含与被所述支承部支承着的所述基板的下表面相对并且配置于所述贯通孔内的顶端部；以及环状的整流构件，该整流构件配置为包围所述顶端部，所述顶端部包含环状的折回部，该折回部以自所述顶端部的外周面向外侧突出后朝向下方延伸的方式设于所述外周面，所述整流构件包含：环状的底壁部，该底壁部配置为内周缘与所述顶端部的外周面分离开；环状的突出部，该突出部以其上端部位于所述折回部和所述顶端部的外周面之间的方式自所述底壁部的内周部向上方延伸；环状的水平整流部，该水平整流部在较所述折回部靠外侧的位置且是所述底壁部的上方处，以与所述底壁部分离开的状态沿水平方向延伸；以及多个柱部，该柱部连接所述水平整流部和所述底壁部，沿所述顶端部的周向排列。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述折回部和所述水平整流部的水平方向上的分开距离为2mm～10mm。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述整流构件还包含环状的盖部，该盖部以位于所述折回部和所述水平整流部之间的方式设于所述折回部和所述水平整流部中的一者。4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述贯通孔设于所述基座构件的中央部，所述底壁部的外周缘与所述贯通孔连接。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，在自所述整流构件的旋转轴线方向观察时，所述多个柱部相对于该旋转轴线的周向和径向这两者倾斜地延伸。6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置还具有控制部，所述化学溶液供给部包含：喷嘴，该喷嘴构成为喷出所述蚀刻液；以及
驱动部，该驱动部构成为在被所述支承部支承着的所述基板的上方使所述喷嘴沿水平方向移动，所述控制部构成为控制所述驱动部和所述气体供给部来执行如下处理：根据所述蚀刻液向所述基板喷出的喷出位置，调节自所述气体供给部供给的气体的供给量，以使自所述喷嘴向所述基板的中央部喷出所述蚀刻液时的向所述气体整流部供给的气体的供给量较自所述喷嘴向所述基板的外周部喷出所述蚀刻液时的向所述气体整流部供给的气体的供给量少。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述中央部的距所述基板的中心的半径为60mm～90mm的范围。8.根据权利要求6或7所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部构成为控制所述驱动部来执行如下处理：使所述喷嘴进行往复移动，从而向所述基板的中心附近和所述基板的周缘部之间供给所述蚀刻液。9.根据权利要求6～8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部构成为控制所述驱动部来执行如下处理：使自所述喷嘴向所述基板的中央部喷出所述蚀刻液时的所述喷嘴的移动速度为150mm/sec以下。10.根据权利要求6～9中任一项所述的基...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本佑介，东岛治郎，绪方信博，后藤大辅，二俣雄亮，中泽贵士，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：