本发明提供一种电感耦合等离子体激发用天线、电感耦合等离子体激发用天线组件和等离子体处理装置。该电感耦合等离子体激发用天线包括：多个线圈单元；和导电性板，其与所述多个线圈单元连接，具有中央开口部和至少一个板端子。根据本发明，在使用电感耦合...

本发明的一个方式的输送装置具有:第一保持部,其用于与基板的端部接触而对上述基板进行保持；以及第二保持部,其由弹性部件形成,用于仅与上述基板的背面接触而对上述基板进行保持。保持。保持。

一种回收机构，其是在周缘去除机构中去除了的基板的周缘部的回收机构，该回收机构具备：排出部，其将对去除了的所述周缘部进行回收的回收部与所述周缘去除机构连接；以及路径切换部，其构成为能够切换所述排出部中的所述周缘部的排出路径。周缘部的排出路...

本文披露了用于生产射频(RF)线圈的模具和方法的多个不同的实施例。所披露的模具包括圆柱形内芯和两件式压缩套筒，该圆柱形内芯具有在圆柱形内芯的外表面内形成的第一螺旋形凹槽，该两件式压缩套筒具有在两件式压缩套筒的内表面内形成的第二螺旋形凹槽...

本实用新型涉及基板清洗装置，其能够快速地完成通过相对于基板的下表面使刷相对地滑动而进行的清洗处理。该基板清洗装置进行以下工序：利用基板保持部对在上表面形成有膜的基板的下表面进行保持；以及清洗工序，将第1刷和第2刷按压于所述基板的下表面，...

一种基板处理装置，其对基板进行处理，其中，该基板处理装置具有：基板输送机构，其保持所述基板的一面并进行输送；以及清洗机构，其设于所述基板输送机构输送所述基板的输送路径的下方，对所述基板的另一面进行清洗，所述清洗机构具有：吸水性辊，其构成...

本发明提供一种膜厚测定装置、成膜系统以及膜厚测定方法，用于抑制由于载置基板的载置台倾斜引起载置台上的基板的膜厚的测定结果产生偏差。测定在基板上形成的膜的厚度的膜厚测定装置具备：载置台，其用于载置基板；受光发光单元，其向所述载置台上的基板...

本发明提供一种使成膜结果的再现性提高的成膜系统以及成膜方法。该成膜系统包括用于在基板上成膜的成膜装置以及控制装置,上述控制装置具有:方案存储部,其用于存储规定了通过上述成膜装置进行的基板处理工序的步骤的方案；预测部,其使用自基于上述方案...

本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够提高氧化硅膜相对于蚀刻停止层的蚀刻选择比。蚀刻方法包括工序(a)，在工序(a)中，在腔室内准备具有氧化硅膜的基板。基板具备配置在氧化硅膜内的多个蚀刻停止层。氧化硅膜的厚度方向上的多个蚀刻停止...

本发明提供一种温度控制性良好且不易产生由热冲击引起的损伤的基片加热装置、基片加热方法和基片加热部的制造方法。在进行基片处理的处理容器内对基片进行加热的基片加热装置包括：基片加热部，其具有载置基片的载置面，利用加热器对载置于载置面的基片进...

本发明提供能够抑制接液杯状体内的气氛被污染的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括基片保持部、液供给部、接液杯状体、排气管线、排液管线和减压部。基片保持部保持基片，液供给部对基片供给处理液。接液杯状体包围由基片保...

本发明涉及处理装置。提供一种能够调整面间方向上的气体的流动的技术。本公开的一技术方案的处理装置包括：处理容器，其具有大致圆筒形状；气体供给管，其向所述处理容器内供给气体；排气窗，其沿所述处理容器的长度方向延伸，将所述气体自所述处理容器内...

一种等离子体处理装置,其缩短自等离子体处理装置的等离子体处理空间中的异常的产生至停止向等离子体处理空间的电力的供给的时间。该等离子体处理装置具有:装置侧控制器部,其用于进行与在等离子体处理空间进行的处理相关的控制；高频电源生成部,其用于...

成膜方法包括：在处理容器内设置基板；对处理容器内的基板进行金属系膜的成膜；之后，在处理容器内设置有基板的状态下，向处理容器内供给含Si气体。内供给含Si气体。内供给含Si气体。

本实用新型涉及基板处理装置，其不提高排气压地防止自基板甩出的成膜处理液向液体接受部的外部泄漏。基板处理装置包括：保持基板并使其旋转的保持旋转部、向基板供给成膜处理液的供给部以及接受因旋转而自基板甩出的成膜处理液的液体接受部，液体接受部在...

本发明涉及涂敷处理装置、涂敷处理方法和计算机存储介质，涂敷处理装置能够对基片涂敷含有光学材料的涂敷液，涂敷处理装置包括：用于保持基片的保持部；对保持于保持部的基片排出涂敷液的涂敷嘴；和使保持部与涂敷嘴在正交方向相对地移动的移动机构，能够...

本发明提供基片支承器、等离子体处理系统和等离子体蚀刻方法。本发明要解决的技术问题是在等离子体处理中恰当地控制相对于基片的等离子体分布。在等离子体处理装置中使用的基片支承器包括：基台；配置在基台上的陶瓷板，其具有基片支承区域和将基片支承区...

本发明提供基片处理装置和基片处理方法，其使形成于基片上的由彩色抗蚀剂形成的抗蚀剂膜的膜厚更均匀。作为基片处理装置的液处理单元(U5)是对曝光处理前的基片的正面，使用处理液进行处理的基片处理装置，其中，该基片的正面露出有已干燥的彩色抗蚀剂...

本发明要解决的技术问题是提供一种能够对被从电源施加电压或电流的导电性部件的电位状态进行切换的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置包括：处理容器；配置在所述处理容器内的第一导电性部件；第二导电性部件，其具有与所述第一导电性部件的第一...

本发明涉及磨削装置。提供一种改善磨削装置的扩展性的技术。磨削装置包括磨削模块和清洗模块。所述磨削模块包含：保持部，其保持基板；工具驱动部，其对磨削所述基板的磨削工具进行驱动；临时放置部，其临时保管所述基板；和内部输送部，其在所述临时放置...