本发明提供一种直线运动机构，其包括：内部移动体，设置在内部可被排气的壳体内，进行直线移动并且使与从上述开口部向该壳体的外部伸出的连接部连接的壳体外部的外部移动体移动；密封带，其在上述直线方向上延伸，以封闭上述开口部的方式设置在壳体内，并...

本发明提供一种基片处理装置，其包括：真空输送模块，其具有真空输送空间和开口部；壁单元，其安装在所述开口部，包含第一闸门和第二闸门，所述第二闸门的宽度尺寸比所述第一闸门的宽度尺寸大；基片处理模块，其安装在所述壁单元，具有基片处理空间，所述...

本公开涉及一种基板搬送装置、基板搬送方法以及基板处理系统，能够使用平面马达来以高位置精度向处理室内的搬送位置搬送基板。用于搬送基板的基板搬送装置具有：搬送单元，其具有用于保持基板的基板保持部以及内部具有磁体来用于使基板保持部移动的基部；...

本公开提供一种基板搬送装置、基板搬送方法以及基板处理系统。基板搬送装置具有：搬送单元，其具有用于保持基板的基板保持部、内部具有多个磁体来用于使基板保持部移动的基部、以及将基板保持部与基部连结的连杆构件；以及平面马达，其具有主体部、排列在...

公开的蚀刻方法包括提供基板的工序(a)。基板具有第一区域和第二区域。第二区域包含氧化硅，第一区域由与第二区域不同的材料形成。蚀刻方法还包括工序(b)，在工序(b)中，利用从包含一氧化碳气体的第一处理气体生成的第一等离子体在第一区域上优先...

本发明提供一种能够兼顾排气效率的提高和等离子体的泄漏抑制的排气环组件和等离子体处理装置。本发明的排气环配置于基板支承部的周围，包括：第一环状部件，其具有沿周向交替地排列的多个第一排气孔和多个第一杆状部分，各第一排气孔沿径向延伸，各第一杆...

本公开的一形态的处理基板液处理装置(16)具有杯(30)、多个喷嘴循环循环系统(40)、第2喷嘴(61)以及收纳部(70)。杯(30)包围基板的周缘。多个喷嘴循环系统(40)均包含第1喷嘴(41)、受液槽(42)以及循环部(43)，该受...

本公开的一个方式的基板处理装置(1)具备控制部(61)，所述控制部(61)并行地执行第一制程和第二制程，所述第一制程和第二制程是包括从交接部(14)向液处理部(17)搬送基板的第一搬送处理、通过液处理部(17)进行的液处理、从液处理部(...

蚀刻方法具有如下工序：将至少具有钼膜或钨膜以及含硅物且钼膜或钨膜露出的状态的基板设置于腔室内；向腔室内供给氧化气体和作为蚀刻气体的六氟化物气体来相对于含硅物选择性地蚀刻钼膜或钨膜。性地蚀刻钼膜或钨膜。性地蚀刻钼膜或钨膜。

提供一种不论应用对象如何均能够进行高精度的推论的推论装置、推论方法以及推论程序。推论装置(160B)具有:取得部(140B_1、140B_2、

本实用新型提供一种基片处理装置。该基片处理装置包括：能够将基片收纳于内侧的处理容器；在处理容器的内侧的保持位置保持基片的保持部；流体供给部，其具有向处理容器的内侧释放处理流体的供给开口部；和供给引导部件，其在供给开口部与保持位置之间与供...

本公开涉及一种液供给装置、液供给方法和计算机存储介质。液供给装置具备：贮存部，其用于贮存处理液；喷出部，其用于向基板喷出所述处理液；配管，其被设置于从所述贮存部到所述喷出部的送液线路；送液部，其配置于所述送液线路的所述贮存部与所述喷出部...

本发明涉及处理模块和处理方法。检测在处理容器内进行输送时的晶圆的位置偏移。处理模块具有处理容器、旋转臂和传感器。处理容器在内部具有多个处理空间，该多个处理空间各自的中心位于同一圆周上且分别配置有载置台。旋转臂具有多个保持部，该多个保持部...

本发明提供能够降低占地面积的处理模块、基板处理系统以及处理方法。处理模块在处理模块的内部具有以两行两列的方式布局的四个载置台，构成布局的行间隔和列间隔为不同的尺寸。寸。寸。

本发明提供一种流量测量方法和基片处理装置，其能够利用分支气体配管进行分流，并高精度地测量流到处理室内的分支后的气体的流量。流量测量方法在基片处理装置中测量气体的流量，上述基片处理装置包括：供给气体的气体供给配管；从上述气体供给配管分支的...

提供一种输送基板的基板输送装置。基板输送装置包括：第1平面马达，其设于第1室，并具有排列着的线圈；第2平面马达，其设于与所述第1室连接的第2室，并具有排列着的线圈；一对输送单元，其在所述第1平面马达和/或所述第2平面马达上移动，并能够输...

提供一种输送基板的基板输送装置。本公开的一技术方案的基板输送装置包括：平面马达，其设于输送室，并具有排列着的线圈；输送单元，其在所述平面马达上移动；以及控制部，其控制所述线圈的通电，所述输送单元包括：两个基座，其具有排列着的磁体，并在所...

一种对基板进行处理的装置，具有：腔室，其用于收容基板；热源，其对基板进行热处理；热线感应型传感器，其设置于所述腔室的外部，接受从基板辐射的红外线；以及红外线透过窗，其设置于所述腔室并使具有8μm以上的波长的红外线透过并朝向所述热线感应型...

一种用于操作等离子体加工系统的方法，包括确定用于为等离子体加工室内的第一等离子体供电的第一频率。该方法包括在宽带功率放大器处生成具有该第一频率的第一放大RF信号。该方法包括供应该第一放大RF信号，以使用包括该第一等离子体的第一等离子体工...

描述了用于不同3D晶体管堆叠体中的源极/漏极区的3D制作的方法，其中同时制作多个平面。这些方法允许制造任何3D源极/漏极序列以针对给定3D逻辑电路或设计来定制逻辑布局。描述了基于NMOS和PMOS场效应晶体管来形成堆叠式SRAM器件、双...