本发明提供一种显影装置及显影方法。本发明的在基片上形成显影液的液洼来对该基片进行显影的显影装置包括：能够保持所述基片并使所述基片旋转的基片保持部；和位于所述基片的上方，向所述基片的面内供给气体的气体喷嘴，所述气体喷嘴具有对保持于所述基片...

本发明提供一种台车和基片处理装置的构成部件的支承方法。本发明的台车，其用于在基片处理装置的外部支承通过向横向滑动而能够被取出至外部的该装置的构成部件，包括：台车主体，其具有车轮而能够在地面上移动，且包括支承所述构成部件的第1支承部；和第...

本发明提供一种除电方法和等离子体处理系统。本发明的一个方式的除电方法，其在用处理等离子体对吸附在静电吸盘上的基片进行处理之后，对静电吸盘和基片进行除电，其包括：步骤a，在所述处理之后，生成除电等离子体；步骤b，在步骤a之后，使施加到吸附...

本发明的控制装置(200)包括获取部(210)、选择部(213)、计算部(215)和设定部(216)。获取部(210)从多个基片处理装置(100)获取基片处理装置(100)对基片的处理计划。选择部(213)基于多个基片处理装置(100)...

本文的技术包括用于制造用于高级电路架构的高密度逻辑和存储器的方法。这种方法可以包括在单独的衬底上形成多层堆叠并在这些多层堆叠上方形成键合膜，然后使这些键合膜接触并键合，以形成包括这些多层堆叠中的每一个的组合结构。可以重复该方法以形成其他...

本公开涉及一种基板处理方法，抑制微粒的产生并且对腔室内迅速地进行预涂。基板处理方法包括：工序(a)，在配置于腔室内的腔室内部件形成预涂膜；以及工序(b)，在工序(a)之后，对1个以上的基板进行处理。工序(a)包括：工序(a1)，不使用等...

本发明提供一种基板处理方法，用于抑制通过蚀刻而形成的凹部的侧壁的形状不良。例示的实施方式所涉及的基板处理方法包括以下工序：工序(a)，向基板支承器上提供基板，该基板具有形成有凹部的蚀刻对象膜；工序(b)，在凹部的侧壁形成保护膜；工序(c...

本公开说明一种基板处理方法和基板处理装置，在对形成于基板的表面的金属多晶膜进行蚀刻处理时，能够有效地去除蚀刻残渣。基板处理方法包括以下工序：第一工序，一边使表面形成有金属多晶膜的基板旋转一边向基板的周缘部供给蚀刻液；第二工序，一边使基板...

本发明提供输送基片的装置、处理基片的系统和输送基片的方法，能够调节叉形部件的倾斜。基片输送装置包括：末端执行器，其具有保持基片的叉形部件和保持叉形部件的根端部的腕部；以及臂，其能够安装末端执行器并具有使叉形部件移动的机构，在基片输送装置...

本发明提供一种显示装置、显示方法以及存储介质，能够容易地掌握过去执行的基板处理的状态。显示装置是在显示画面中显示与对多个基板执行规定的基板处理的基板处理装置中的处理有关的信息的装置。显示装置具备显示控制部，所述显示控制部能够根据来自用户...

本发明提供一种显影方法和基片处理系统。本发明的进行基片的显影处理的显影方法包括：向含金属涂敷膜被曝光成规定图案后的所述基片供给包含有机溶剂的显影液的步骤；和向被供给了所述显影液的所述基片供给包含有机溶剂的清洗液的步骤，在所述清洗液中的所...

本实用新型涉及基板处理装置，其能够抑制基板处理装置的占地面积。基板处理装置包括：载体模块，其载置收纳基板的载体；一个处理模块，自载体模块向一个处理模块输送基；另一处理模块，其与一个处理模块重叠并且自另一处理模块向载体模块输送基板；升降移...

本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，能够在蚀刻Si或SiN时，以使表面粗糙度良好的方式进行蚀刻。用于蚀刻存在于基板的Si或SiN的蚀刻方法包括以下处理：对具有Si或SiN的基板实施自由基氧化处理，在Si或SiN的表面生成氧化膜；利用气体对...

一种基板处理方法，其针对将第1基板和第2基板接合而成的重合基板，在基板处理装置中对进行了粗磨削的所述第1基板进行精磨削处理，其中，在所述基板处理装置中连续地处理多个重合基板，该基板处理方法包括以下步骤：测量一重合基板的精磨削前的第1基板...

一种基板处理方法，其针对将第1基板和第2基板接合而成的重合基板，对该第1基板进行磨削处理，其中，该基板处理方法包括以下步骤：测量所述重合基板的总厚度分布；测量所述第1基板的厚度分布；从所述重合基板的总厚度分布中减去所述第1基板的厚度分布...

本发明提供一种提高维护性的载置台和基板处理装置。载置台包括：电介质板，其在外周部形成有贯通孔，该电介质板具有用于载置基板的基板载置部；支承构件；第1绝热构件，其配置于所述电介质板与所述支承构件之间；第1施力构件，其配置于所述第1绝热构件...

本发明提供能够向贮存在处理槽中的处理液的内部稳定地释放气体的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理槽、第1气体喷嘴组、第2气体喷嘴组和控制部。处理槽将排列的多个基片浸渍在处理液中而对其进行处理。第1气体喷嘴组在处理槽的内部配置...

本发明提供加热装置和LED的控制方法。加热装置包括：加热机构，其具有LED，能够用LED的光对加热对象体进行加热；LED控制部，其能够在电流不超过容许电流Imax的范围控制对LED供给的电功率；修正容许电流Imax的修正部；和测量LED...

本发明提供一种具有能够在传热气体的通孔中防止异常放电的埋入部件的等离子体体处理装置。等离子体处理装置包括载置台和埋入部件，所述载置台具有：电介质部件，其具有用于载置被处理体的载置面和与所述载置面相反侧的背面，且形成有贯通所述载置面和所述...

本发明提供观察装置、减压干燥装置、显示方法和存储介质。本发明要解决的技术问题是提高减压干燥处理中的基片的拍摄结果的便利性。本发明的观察装置包括：拍摄部，其用于对减压干燥处理中的基片进行拍摄，所述减压干燥处理用于使所述基片上的溶液在减压下...