本发明提供能够将边缘环高精度地载置在基片支承台的等离子体处理装置及系统和边缘环的位置对准方法。等离子体处理装置包括支承基片和边缘环的基片支承台、使边缘环在上下方向上移动的升降机构和控制部，边缘环具有与该边缘环同心的孔，基片支承台包括：载...

本发明提供一种能够提高基板处理的控制性的基板处理装置以及基板处理方法。该基板处理装置包括:处理容器,其具有用于支承基板的基板支承台；气体供给部,其用于向上述处理容器供给多种处理气体；等离子体生成部,其用于生成上述处理气体的等离子体；以及...

本发明提供一种能够将电极板悬挂保持于保持板的保持部件、上部电极组件、以及等离子体处理装置。该保持部件在将电极板保持于保持板时使用,其包括:轴部,其具有内螺纹部；以及卡定部,其在俯视时与上述轴部相比在至少一个方向扩大形成。方向扩大形成。方...

本发明提供能够降低边缘环的更换频率、并且能够抑制传热气体的泄漏和颗粒的产生的边缘环和基片处理装置。边缘环是能够配置在被处理基片的周围的边缘环，其包括：由第一材料形成的环状的第一部件，该第一部件在内周侧的侧面下部具有第一倾斜部；和设置在第...

本发明提供等离子体处理装置及其制造方法和等离子体处理方法，即使在等离子体处理装置大型化的情况下，也能够使放电稳定。等离子体处理装置在生成有等离子体的处理容器的处理室中对基片进行处理，并包括：等离子体生成用高频电源；能够载置上述基片并与偏...

本发明提供无需设置定位装置就能够对输送对象物进行定位的检测装置、处理系统和输送方法。本发明的一个方式的检测装置是检测输送对象物相对于输送机构的位置偏移的检测装置，其包括：图像传感器，其获取包含上述输送机构和由该输送机构保持的上述输送对象...

本发明提供一种温度调节装置和基片处理装置。温度调节装置具有第1部件、流路和空腔。第1部件形成有作为温度控制的对象的第1面。流路沿着第1面形成在第1部件的内部，可流通制冷剂。空腔与流路的制冷剂的流速比其他区域高的流速变化区域相邻地设置于第...

所发明的蚀刻方法包括向腔室内提供基板的工序。基板具有包含硅氮化膜的含硅膜。蚀刻方法包括在腔室内由处理气体生成等离子体来对含硅膜进行蚀刻的工序。处理气体包含含氟气体及含硼气体。在进行蚀刻的工序中，支撑基板的基板支撑器的温度设定为小于0℃的...

本发明提供一种等离子体处理装置，目的在于高精度地控制具有由多载波实现的带宽的电力的经脉冲调制后的功率。装置包括能够产生具有带宽的电力的电力供给部，电力供给部产生的电力的功率被实施了脉冲调制使得具有高水平功率和低水平功率，并且，由设定脉冲...

本发明涉及一种等离子体处理装置。使腔室的内壁的温度均匀性提高。提供一种该等离子体处理装置，其中，该等离子体处理装置包括：圆筒状的腔室，其形成对基板进行处理的处理空间；以及构件，其构成所述腔室的外周，所述构件具有：流路的入口，其至少为一个...

本发明提供一种载置台、检查装置和检查方法。本发明的载置台，其上表面载置处理对象的器件，包括：具有所述器件的载置面的顶板；对所述顶板进行加热的加热单元；多个温度传感器，其在俯视时的所希望的测量位置获取所述顶板的温度；和定位单元，其与所述温...

本发明提供基板处理方法和基板处理装置。在使基板吸附于利用加热器加热的基板台并进行基板处理时，降低基板的吸附时产生于基板的背面的损伤。基板处理方法为在基板处理装置中对基板进行液处理的方法，该基板处理装置包括：基板台，其吸附所述基板；加热器...

本发明提供检查装置和探针的研磨方法。检查装置用于对检查对象基片进行检查，包括：检查用载置台；输送机构；载置研磨用基片的研磨用载置台，研磨用基片用于对在检查时与基片接触的探针进行研磨、且具有可由输送机构输送的形状和大小；使检查用载置台移动...

本发明提供处理系统和处理方法，能够使用设置于输送叉形部件的传感器测量等离子体处理腔室的内部状态，基于该测量结果适当地进行基片的处理。在减压环境下对基片进行处理的系统包括：对基片实施所希望的处理的处理腔室；输送腔室，其具有进行上述基片相对...

本发明提供一种处理系统和输送方法，涉及能够高效地更换处理室内的消耗部件的技术。处理系统包括：内部能够安装消耗部件的腔室；用于收纳消耗部件的收纳模块；检测消耗部件的位置的位置检测传感器；能够与腔室和收纳模块连接的真空输送模块，其具有在腔室...

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。更可靠地抑制在基板的表面形成的图案的倒塌。基板处理装置使用超临界状态的处理流体对在表面附着有液体的基板进行干燥，其包括：处理容器，其容纳基板；基板保持部，其在处理容器内将基板以表面朝向上的方式保持为...

一种半导体器件包括形成在衬底上方的第一晶体管对。第一晶体管对包括堆叠在彼此上方的n型晶体管和p型晶体管。n型晶体管具有第一沟道区，该第一沟道区包括具有第一带隙值的一个或多个第一纳米沟道。该一个或多个第一纳米沟道沿着该衬底横向延伸、堆叠在...

本发明提供一种等离子体处理装置，能够抑制由贯通孔引起的异常放电的发生。等离子体处理装置具有：静电卡盘，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，在该静电卡盘形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔；以及基台，其具有支承所述静电...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理系统。基板处理方法包括将具有形成有凹部的第一膜和掩模的基板搬入第一腔室内的工序、将设基板的温度为200℃以上的工序、向第一腔室内供给含硅反应种并使含硅反应种吸附于凹部的侧壁的工序、向第一腔室内供给含氮...

本发明提供能够容易且简单地测量基片的处理中使用的处理液的释放量的基片处理系统、液量测量方法和计算机可读存储介质。基片处理系统包括：相对于载置台的载置部可拆装的测量单元；用于处理液的测量的测量治具；包含供给部的液处理单元，该供给部构成为能...