东京毅力科创株式会社专利技术

东京毅力科创株式会社共有7373项专利

  • 本发明提供一种基板保持机构,其能够将存在翘曲的基板吸附保持于载置台。本发明的一个方式的基板保持机构具有:载置台,其用于载置基板;多个保持部,其包括用于对上述基板的周缘部的下表面进行保持的上表面、以及用于对载置于上述载置台的上述基板的周缘...
  • 本发明提供一种在将配设在生成等离子体的处理容器的内部的金属部件与覆盖部件经由紧固螺钉紧固的构造中,能够抑制堆积物向紧固螺钉的头部的附着的紧固结构和紧固方法以及等离子体处理装置。紧固结构包括:多个金属部件,其配设在处理容器的内部,具有露出...
  • 提供了一种半导体器件。该半导体器件具有形成在衬底上方的第一晶体管对。第一晶体管对包括堆叠在彼此上方的n型晶体管和p型晶体管。n型晶体管具有第一沟道区,该第一沟道区包括具有第一应力的一个或多个第一纳米沟道。该一个或多个第一纳米沟道沿着该衬...
  • 本发明提供一种处理装置和处理方法,用于削减在搬送室的周围设置有多个气体处理室的基板的处理装置中的向所述气体处理室供给处理气体的气体箱的设置数量。对基板进行处理的处理装置具有:多个处理室,在所述多个处理室中在期望的处理气体的气氛下对所述基...
  • 本发明提供能够利用隔热部件适当地对相邻设置的第1基片处理室与第2基片处理室之间进行隔热、并且能够适当地抑制基片处理时的该隔热部件的消耗的基片处理系统。本发明的基片处理系统包括:具有第1基片输送口的第1腔室;具有第2基片输送口的第2腔室,...
  • 在衬底上形成第一晶体管的第一源极/漏极(S/D)结构,并且其位于第一晶体管的第一沟道结构的第一端处。在第一S/D结构的表面上沉积第一替代硅化物层,并且其由第一电介质制成。形成第二电介质以覆盖第一替代硅化物层和第一S/D结构。随后在第二电...
  • 本发明涉及一种滤波器电路。滤波器电路设置于使用等离子体进行处理的等离子体处理装置,该等离子体是使用4MHz以上的第一频率的电力和100Hz以上且小于4MHz的第二频率的电力来生成的,该滤波器电路具备第一滤波器部和第二滤波器部。第一滤波器...
  • 本发明提供有利于减少向基片排出的处理液中的异物的技术。基片处理装置包括:具有向基片排出处理液的喷嘴的排出部(30);将处理液送至排出部的送液部(60);和将用于送至排出部(30)的处理液向送液部(60)供给的作为供给源的液源(51),送...
  • 本发明提供即使在处理单元中发生了异常的情况下,也能够减少废弃的基片的数量的技术。本发明的一个方式的基片处理系统包括:能够对基片实施同种的处理的多个处理单元;对多个处理单元进行基片的输送的输送装置;以及控制多个处理单元和输送装置的控制部。...
  • 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法,其利用施加到偏压电极的电压脉冲来控制冲击基片的离子的能量。公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承器、等离子体生成部和偏压电源。基片支承器设置在腔室内,包含偏压电极。等离子体生成部构成为...
  • 本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置,抑制形成于含硅膜的凹部的形状异常,并且使凹部的底部的蚀刻进展。公开的蚀刻方法包括准备具有含硅膜的基板的工序(a),所述含硅膜包括氧化硅膜。将基板载置在设置于腔室内的基板支承器上。蚀刻方法还包括向...
  • 本公开提供一种有机电致发光面板的制造方法和有机电致发光面板,提高在显示区域具有贯通孔的有机电致发光面板的该贯通孔处的针对水分的密封性能。一种有机电致发光面板的制造方法,所述有机电致发光面板在显示区域内具有贯通孔,所述有机电致发光面板的制...
  • 本发明提供一种边框区域窄的有机电致发光面板的制造方法。包括以下工序:准备在表面形成有构成显示屏的多个发光元件的基板;在所述基板形成第一无机绝缘膜;通过湿式成膜法在所述第一无机绝缘膜上形成有机绝缘膜,所述有机绝缘膜具有覆盖所述多个发光元件...
  • 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置,能够抑制等离子体处理中的基板的过度带电。等离子体处理方法包括工序a)、工序b)以及工序c)。在工序a)中,通过向设置于基板吸附部的电极供给电压,来使基板吸附于基板吸附部的上表面。在工序b...
  • 一种用于图案化基板的方法,在该方法中,可以在基板上形成图案化的光致抗蚀剂结构,图案化的光致抗蚀剂结构具有侧壁。可以在侧壁上沉积间隔物材料的共形层。然后,可从基板去除图案化的光致抗蚀剂结构,留下间隔物材料。然后,可以使用侧壁间隔物作为蚀刻...
  • 本实用新型涉及基板处理装置。提供一种能够在液处理中提升去除对象物的去除效率的技术。本公开的基板处理装置具有流体供给部、处理液供给部以及喷嘴。流体供给部供给包含经过了加压的纯水的蒸汽或水雾的流体。处理液供给部供给至少包含硫酸的处理液。喷嘴...
  • 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置,能够抑制在液处理中使基板被污染。基于本公开的一个方式的基板处理方法包括处理液喷出工序和混合流体喷出工序。在处理液喷出工序中,向基板喷出将硫酸和过氧化氢水溶液混合生成的处理液。在混合流体喷出工序中...
  • 本发明的一个方式的处理液喷嘴包括超声波施加部(60)、第一供给流路(71)、释放流路(72)和第二供给流路(73)。超声波施加部(60)具有产生超声波的振子(61)和与振子(61)接合的振动体(62)。第一供给流路(71)对与超声波施加...
  • 本发明的一个方式的原料供给装置包括:容器,其用于贮存使第一固体原料溶解于溶剂而得到的溶液或使第一固体原料分散于分散介质而得到的分散体系;注入部,其用于将所述溶液或所述分散体系进行喷雾而注入到所述容器内;排气口,其用于对所述容器内进行排气...
  • 本发明的一种方式的原料供给装置具有:贮存使第一固体原料溶解于溶剂而成的溶液或使第一固体原料分散于分散介质而成的分散体系的容器;通过从贮存在上述容器内的上述溶液或上述分散体系中除去上述溶剂或上述分散介质而形成第二固体原料的除去部;检测上述...