紧固结构和紧固方法以及等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种在将配设在生成等离子体的处理容器的内部的金属部件与覆盖部件经由紧固螺钉紧固的构造中，能够抑制堆积物向紧固螺钉的头部的附着的紧固结构和紧固方法以及等离子体处理装置。紧固结构包括：多个金属部件，其配设在处理容器的内部，具有露出于在处理容器的内部生成的等离子体中的露出面和螺纹孔；覆盖部件，其以跨多个金属部件的露出面的方式配设，具有绝缘性，并且具有贯通孔；金属制的紧固螺钉，其具有螺钉头部，通过将贯通孔贯通并与螺纹孔螺合而将覆盖部件紧固于金属部件；和覆盖螺钉头部的螺钉覆盖件，螺钉覆盖件包括：与螺钉头部接触的金属制的第一基部；和覆盖第一基部的表面的至少一部分的由陶瓷喷涂膜构成的第一保护膜。喷涂膜构成的第一保护膜。喷涂膜构成的第一保护膜。

【技术实现步骤摘要】
紧固结构和紧固方法以及等离子体处理装置


[0001]本专利技术涉及紧固结构和紧固方法以及等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]专利文献1公开有对处理空间内的被处理基片实施等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具有由多个导电性的部分窗形成的金属窗，金属窗将处理容器的上表面侧的开口封闭而形成处理空间。在相邻的部分窗之间设置有树脂制的绝缘部件。陶瓷制的绝缘部件覆盖件覆盖绝缘部件的处理空间侧的面，在金属窗的上方侧设置有用于通过感应耦合将处理气体等离子体化的等离子体天线。依据专利文献1公开的等离子体处理装置，通过使用陶瓷制的绝缘部件覆盖件来保护树脂制的绝缘部件使其不受等离子体影响，从而不仅能够将供给到处理空间内的处理气体等离子体化，还能够维持必要的金属窗的功能，而且能够使金属窗轻量化。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017
‑
27775号公报。

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本专利技术提供一种能够将配设在处理容器的内部的金属部件与覆盖部件紧固在一起，且对于抑制堆积物向紧固螺钉的头部的附着是有利的紧固结构和紧固方法以及等离子体处理装置。
[0008]用于解决问题的技术手段
[0009]本专利技术的一个方式的紧固结构，其包括：多个金属部件，其配设在处理容器的内部，具有露出于在所述处理容器的内部生成的等离子体中的露出面和螺纹孔；覆盖部件，其以跨多个所述金属部件的所述露出面的方式配设，具有绝缘性，并且具有贯通孔；金属制的紧固螺钉，其具有螺钉头部，通过贯通所述贯通孔并与所述螺纹孔螺合而将所述覆盖部件紧固于所述金属部件；和覆盖所述螺钉头部的螺钉覆盖件，所述螺钉覆盖件包括：与所述螺钉头部接触的金属制的第一基部；和覆盖所述第一基部的表面的至少一部分的由陶瓷喷涂膜构成的第一保护膜。
[0010]专利技术效果
[0011]依据本专利技术，能够将配设在处理容器的内部的金属部件与覆盖部件紧固在一起，且能够抑制堆积物向紧固螺钉的头部的附着。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式的等离子体处理装置的一例的纵截面图。
[0013]图2是从处理室侧看金属窗的一例的俯视图。
[0014]图3是图2的III部的放大图，是表示多个覆盖部件的交叉区域的图。
[0015]图4是图3的IV
‑
IV向视图，是第一实施方式的紧固结构的一例的纵截面图。
[0016]图5是第二实施方式的紧固结构的一例的纵截面图。
[0017]图6是第三实施方式的紧固结构的一例的纵截面图。
[0018]图7是第四实施方式的紧固结构的一例的纵截面图。
[0019]图8是第五实施方式的紧固结构的一例的纵截面图。
[0020]附图标记的说明
[0021]20：处理容器
[0022]31：金属窗单元(金属部件)
[0023]34a：露出面
[0024]38：覆盖部件(第一覆盖部件)
[0025]38a：贯通孔
[0026]39、39A：覆盖部件(第二覆盖部件)
[0027]39a：贯通孔
[0028]40、40A：紧固结构
[0029]41：紧固螺钉
[0030]42：螺钉头部
[0031]44：螺钉覆盖件
[0032]45：第一基部
[0033]46：第一保护膜
具体实施方式
[0034]以下，对于本专利技术的实施方式的紧固结构和紧固方法以及等离子体处理装置，参照附图进行说明。此外，在本说明书和附图中，存在对于实质上相同的构成要素标注相同的附图标记，并省略重复说明的情况。
[0035][实施方式的等离子体处理装置][0036]首先，参照图1和图2，对本专利技术的实施方式的等离子体处理装置的一例进行说明。在此，图1是表示实施方式的等离子体处理装置的一例的纵截面图，图2是从处理室侧看金属窗的一例的俯视图。
[0037]图1所示的等离子体处理装置100是对于平板显示器(Flat Panel Display，以下称为“FPD”)用的俯视为矩形的基片G(以下简称为“基片”)，实施各种基片处理方法的感应耦合型等离子体(Inductive Coupled Plasma：ICP)处理装置。作为基片的材料，主要使用玻璃，根据用途有时也能够使用透明的合成树脂等。在此，基片处理中包括蚀刻处理或使用CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法的成膜处理等。作为FPD，能够例示液晶面板(Liquid Crystal Display：LCD)或电致发光显示器(Electro Luminescence：EL)、等离子体显示面板(Plasma Display Panel；PDP)等。基片不仅包括在其表面将电路形成图案的形态，也包括支承基片。另外，FPD用基片的平面尺寸随着代际更替而大规模化，由等离子体处理装置100处理的基片G的平面尺寸至少包括例如第6代的1500mm
×
1800mm程度的尺寸至第10.5代的3000mm
×
3400mm程度的尺寸。另外，基片G的厚度为0.2mm至数mm程度。
[0038]图1所示的等离子体处理装置100具有：长方体状的箱型的处理容器20；配设在处理容器20内的能够载置基片G的俯视为矩形的外形的基片载置台70；和控制部90。此外，处理容器也可以为圆筒状的箱型或椭圆筒状的箱型等的形状，在该方式中，基片载置台也为圆形或者椭圆形，载置在基片载置台的基片也为圆形等。
[0039]处理容器20由金属窗30划分为上下2个空间，作为上方空间的天线室A由上腔室13形成，作为下方空间的处理室S由下腔室17形成。在处理容器20中，在成为上腔室13与下腔室17的边界的位置，以向处理容器20的内侧突出设置的方式配置有矩形环状的支承框14，在支承框14安装有金属窗30。
[0040]形成天线室A的上腔室13由侧壁11和顶板12形成，作为整体由铝或铝合金等的金属形成。
[0041]内部具有处理室S的下腔室17由侧壁15和底板16形成，作为整体由铝或铝合金等的金属形成。另外，侧壁15通过接地线21接地。
[0042]并且，支承框14由导电性的铝或铝合金等的金属形成，也能够称为金属框。
[0043]在下腔室17的侧壁15的上端形成有矩形环状(闭环状)的密封槽22，在密封槽22中嵌入有O型环等的密封部件23，支承框14的抵接面保持密封部件23，由此形成下腔室17和支承框14的密封构造。
[0044]在下腔室17的侧壁15开设有用于相对于下腔室17将基片G送入送出的送入送出口18，送入送出口18构成为能够通过闸阀24自由开闭。下腔室17与内置有输送机构的输送室(均未图示)相邻，对闸阀24进行开闭控制，并利用输送机构经由送入送出口18进行基片G的送入送出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种紧固结构，其特征在于，包括：多个金属部件，其配设在处理容器的内部，具有露出于在所述处理容器的内部生成的等离子体中的露出面和螺纹孔；覆盖部件，其以跨多个所述金属部件的所述露出面的方式配设，具有绝缘性，并且具有贯通孔；金属制的紧固螺钉，其具有螺钉头部，通过贯通所述贯通孔并与所述螺纹孔螺合而将所述覆盖部件紧固于所述金属部件；和覆盖所述螺钉头部的螺钉覆盖件，所述螺钉覆盖件包括：与所述螺钉头部接触的金属制的第一基部；和覆盖所述第一基部的表面的至少一部分的由陶瓷喷涂膜构成的第一保护膜。2.如权利要求1所述的紧固结构，其特征在于：所述陶瓷喷涂膜由含有钇的陶瓷形成。3.如权利要求1或2所述的紧固结构，其特征在于：所述陶瓷喷涂膜覆盖所述第一基部的露出于所述等离子体的表面。4.如权利要求1～3中任一项所述的紧固结构，其特征在于：在所述螺钉头部的侧面形成有第一螺纹槽，所述螺钉覆盖件具有凹部，在所述凹部的壁面形成有第二螺纹槽，所述凹部在所述第一螺纹槽与所述第二螺纹槽螺合的状态下覆盖所述螺钉头部。5.一种等离子体处理装置，其具有生成等离子体来对基片进行处理的处理容器，该等离子体处理装置的特征在于，包括：多个金属部件，其配设在处理容器的内部，具有露出于所述等离子体中的露出面和螺纹孔；覆盖部件，其以跨多个所述金属部件的所述露出面的方式配设，具有绝缘性，并且具有贯通孔；金属制的紧固螺钉，其具有螺钉头部，通过贯通所述贯通孔并与所述螺纹孔螺合而将所述覆盖部件紧固于所述金属部件；和覆盖所述螺钉头部的螺钉覆盖件，所述螺钉覆盖件包括：与所述螺钉头部接触的金属制的第一基部；和覆盖所述第一基部的表面的至少一部分的由陶瓷喷涂膜构成的第一保护膜。6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述陶瓷喷涂膜由含有钇的陶瓷形成。7.如权利要求5或6所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述陶瓷喷涂膜覆盖所述第一基部...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木芳彦，南雅人，佐佐木和男，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：