本发明专利技术的一个方式的处理液喷嘴包括超声波施加部(60)、第一供给流路(71)、释放流路(72)和第二供给流路(73)。超声波施加部(60)具有产生超声波的振子(61)和与振子(61)接合的振动体(62)。第一供给流路(71)对与超声波施加部(60)的振动体(62)接触的位置供给第一液体(L1)。释放流路(72)将由超声波施加部(60)施加了超声波的第一液体(L1)供给到释放口(74)。第二供给流路(73)连接在释放流路(72)的比超声波施加部(60)靠下游侧的位置，对释放流路(72)供给第二液体(L2)。供给第二液体(L2)。供给第二液体(L2)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】处理液喷嘴和清洗装置
[0001]本专利技术的实施方式涉及处理液喷嘴和清洗装置。
技术介绍
[0002]现有技术中，已知有利用从处理液喷嘴释放的被施加了超声波的清洗液对半导体晶片(以下也称为晶片)等基片的表面进行清洗的技术(参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2009
‑
200331号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供一种能够抑制在处理液喷嘴内对清洗液施加超声波的振动体破损的技术。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一个方式的处理液喷嘴包括超声波施加部、第一供给流路、释放流路和第二供给流路。超声波施加部具有产生超声波的振子和与上述振子接合的振动体。第一供给流路对与上述超声波施加部的上述振动体接触的位置供给第一液体。释放流路将由上述超声波施加部施加了超声波的上述第一液体供给到释放口。第二供给流路连接在上述释放流路的比上述超声波施加部靠下游侧的位置，对上述释放流路供给第二液体。
[0010]专利技术效果
[0011]依照本专利技术，能够抑制在处理液喷嘴内对清洗液施加超声波的振动体破损。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的示意图。
[0013]图2是表示处理单元的具体结构例的示意图。
[0014]图3是表示实施方式的处理液喷嘴的结构的图。
[0015]图4是用于说明实施方式的处理液喷嘴的垂液抑制处理的图。
[0016]图5是用于说明实施方式的处理液喷嘴的垂液抑制处理的图。
[0017]图6是表示实施方式的处理液喷嘴的结构的图。
[0018]图7是表示实施方式的变形例的处理液喷嘴的结构的图。
[0019]图8是表示实施方式的伪分配槽的结构的图。
[0020]图9是表示实施方式的另一变形例的处理液喷嘴的结构的图。
[0021]图10是表示实施方式的变形例的伪分配槽的结构的图。
[0022]附图标记说明
[0023]W晶片
[0024]1基片处理系统(清洗装置的一例)
[0025]16处理单元
[0026]18控制部
[0027]30基片处理部
[0028]41a喷嘴(处理液喷嘴的一例)
[0029]60超声波施加部
[0030]61振子
[0031]62振动体
[0032]71第一供给流路
[0033]72释放流路
[0034]73第二供给流路
[0035]74释放口
[0036]82伪分配槽
[0037]83吸引嘴
[0038]84鼓风部
[0039]Da、Db、Dc内径
[0040]Dd口径
[0041]L1第一液体
[0042]L2第二液体
[0043]La、Lb长度。
具体实施方式
[0044]以下，参照附图，对本申请所公开的处理液喷嘴和清洗装置的实施方式详细地进行说明。此外，本专利技术并不由以下所示的实施方式限定。另外，附图是示意性的，需要注意各要素的尺寸的关系、各要素的比例等有时与现实不同。而且，在附图之间，有时也包含相互的尺寸关系、彼此不同的部分。
[0045]现有技术中，已知有利用从处理液喷嘴释放的被施加了超声波的清洗液对半导体晶片(以下也称为晶片)等基片的表面进行清洗的技术。另一方面，在该清洗液使用发泡性的液体的情况下，由于被施加的超声波，液体内的气泡爆裂，因此有可能因气泡爆裂时的冲击力而导致施加超声波的振动体破损。
[0046]因此，希望能够克服上述问题，实现能够抑制在处理液喷嘴内对清洗液施加超声波的振动体破损的技术。
[0047]<基片处理系统的概要>
[0048]首先，参照图1，对实施方式的基片处理系统1的概略结构进行说明。图1是表示实施方式的基片处理系统1的概略结构的图。另外，基片处理系统1是清洗装置的一例。以下为了明确位置关系，规定相互正交的X轴、Y轴和Z轴，令Z轴正方向为铅垂向上方向。
[0049]如图1所示，基片处理系统1具有送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻地设置。
[0050]送入送出站2具有承载器载置部11和输送部12。在承载器载置部11载置有将多个
基片——在实施方式中为半导体晶片W(以下称为晶片W)——以水平状态收纳的多个承载器C。
[0051]输送部12与承载器载置部11相邻地设置，在内部具有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13具有保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在承载器C与交接部14之间进行晶片W的输送。
[0052]处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3具有输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16排列地设置在输送部15的两侧。
[0053]输送部15在内部具有基片输送装置17。基片输送装置17具有保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片W的输送。
[0054]处理单元16对由基片输送装置17输送的晶片W进行规定的基片处理。
[0055]另外，基片处理系统1具有控制装置4。控制装置4例如是计算机，具有控制部18和存储部19。在存储部19中保存有对在基片处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读出并执行存储于存储部19的程序来控制基片处理系统1的动作。
[0056]另外外，该程序也可以记录于计算机可读取的存储介质中，从该存储介质安装到控制装置4的存储部19。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
[0057]在如上述那样构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于承载器载置部11的承载器C取出晶片W，将取出的晶片W载置在交接部14。载置于交接部14的晶片W由处理站3的基片输送装置17从交接部14取出，向处理单元16送入。
[0058]被送入处理单元16的晶片W在由处理单元16处理后，由基片输送装置17从处理单元16送出，载置在交接部14。然后，载置于交接部14的已处理的晶片W由基片输送装置13送回承载器载置部11的承载器C。
[0059]<处理单元的结构>
[0060]接着，参照图2，对处理单元16的结构进行说明。图2是表示处理单元16的具体结构例的示意图。如图2所示，处理单元16具有腔室20、基片处理部30、液供给部40和回收杯状体50。
[0061]腔室20收纳基片本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种处理液喷嘴，其特征在于，包括：超声波施加部，其具有产生超声波的振子和与所述振子接合的振动体；第一供给流路，其对与所述超声波施加部的所述振动体接触的位置供给第一液体；释放流路，其将由所述超声波施加部施加了超声波的所述第一液体供给到释放口；以及对所述释放流路供给第二液体的第二供给流路，其连接在所述释放流路的比所述超声波施加部靠下游侧的位置。2.根据权利要求1所述的处理液喷嘴，其特征在于：所述第一液体具有强酸性或强碱性，所述第二液体具有发泡性。3.根据权利要求1或2所述的处理液喷嘴，其特征在于：在所述释放流路中，从与所述第一供给流路连接的连接部至与所述第二供给流路连接的连接部的长度为所述释放口的口径以上的长度。4.根据权利要求1至3中任一项所述的处理液喷嘴，其特征在于：在所述释放流路中，从与所述第二供给流路连接的连接部至所述释放口的长度为所述释放口的口径以上的长度。5.根据权利要求1至4中任一项所述的处理液喷嘴，其特征在于：所述释放流路的内径与所述释放口的口径相等。6.根据权利要求1至4中任一项所述的处理液喷嘴，其特征在于：所述释放流路中的上游侧的内径比所述释放口的口径大。7.根据权利要求1至6中任一项所述的处理液喷嘴，其特征在于：在所述第一液体的粘度比所述第二液体的粘度大的情况下，所述释放流路中的从与所述第二供给流路连接的连接部至所述释放口的长度，比所述释放流路中的从与所述第一供给流路连接的连接部至与所述第二供给流路连接的连接部的长度长。8.根据权利要求1至7中任一项所述的处理液喷嘴，其特征在于：在所述第一液体的流量比所述第二液体的流量小的情况下，所述释放流路中的从与所述第一供给流路连接的连接部至与所述第二供给流路连接的连接部的长度，比所述释放流路中的从与所述第二供给流路连接的连接部至所述释放口的长度长。9.根据权利要求1至8中任一项所述的处理液喷嘴，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：后藤大辅，森川胜洋，古贺贵广，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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