本实用新型提供一种基片处理系统，该基片处理系统具有送入部、批处理部、单片处理部、接口部和送出部。送入部包含能够载置承载器的第一载置部，该承载器收纳多个基片。批处理部对包含多个基片的基片组一并进行处理。单片处理部对基片组中所含的基片逐个进...

一种喷嘴待机装置以及液处理装置，喷嘴在喷嘴收容部待机并在顶端部吸入溶剂而形成液层时，即使喷出的处理液高粘度也能在顶端部形成溶剂的液层。包括：喷嘴收容部，包含以包围喷嘴顶端部的方式形成的内周面并与喷嘴的喷出口相对地形成排出口；溶剂喷出口，...

本发明为一种对处理装置供给原料气体的原料气体供给系统，所述原料气体是通过将固体原料气化来生成的，所述原料气体供给系统包括：将所述固体原料气化来生成所述原料气体的气化装置；送出机构，其从贮存有分散系的贮存容器向所述气化装置送出所述分散系，...

本发明提供能够自动且高精度地调整升降销相对于载置于基片载置台的基片的接触位置的升降销的接触位置调整方法、升降销的接触位置检测方法和基片载置机构。接触位置调整方法包括下述步骤：在基片载置台上配置基片，在对静电吸盘的电极施加电压而吸附基片的...

本发明提供一种基片处理装置、基片处理系统和维护方法，能够易于对形成在其中对基片进行处理的处理空间的腔室进行维护。本发明的基片处理装置包括：第1腔室和第2腔室、基片支承器、升降机构、夹具和解除机构。第1腔室包括提供开口的侧壁以及可动部。升...

本发明提供一种等离子体处理装置，能够提高等离子体的面内均匀性。等离子体处理装置具有腔室、第一下部电极、第二下部电极、第一上部电极、第二上部电极以及第一电源。第一下部电极设置于腔室的内部，所述第一下部电极具有用于载置基板的基板载置区域。第...

本发明提供一种载置台和基片处理装置，即使在贯通孔中发生偏移也能移动销并缩小与贯通孔中的销之间的间隙。载置台包括：基座；形成有贯穿载置所支承的对象物的第1面和作为该第1面的背面的第2面的第1贯通孔。支承部；按照与基座的第2面侧重叠的方式配...

本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置用于提高上部电极或其周边的温度的测定精度。该等离子体处理装置具有：处理室；载置台，其配置于所述处理室内，用于载置基板；上部电极，其与所述载置台相向；调整所述上部电极的温度的构件；第一传感...

本公开提供一种舟搬入方法和热处理装置，能够在抑制了基底膜的氧化的状态下进行成膜。基于本公开的一个方式的舟搬入方法是用于将保持有基板的舟搬入处理容器内的方法，所述舟搬入方法包括以下工序：向所述处理容器内供给还原性气体；以及在所述处理容器内...

本发明提供一种基板处理系统、控制方法及计算机可读取的存储介质，能够事先防止将允许范围外的电压施加于基板处理装置的特定配件。基板处理系统具有：基板处理装置，其具有用于进行基板的处理的处理容器和对所述处理容器内的特定配件施加直流电压的直流电...

本发明提供能够高效地排出颗粒的基片输送装置。输送基片的基片输送装置包括：基片保持部；支承部；使支承部在一个方向上移动的驱动部；具有在支承部的移动方向上延伸的开口的壳体；在壳体内被固定于支承部来密封开口的开口密封部；和排气部，开口密封部包...

本发明提供一种具有多个流路的紧凑的气体供给环和包括该气体供给环的基片处理装置。一种在基片处理装置中使用的气体供给环，具有内周面、外周面、位于内周面与外周面之间的第一面、和位于内周面与外周面之间且位于与第一面相反的一侧的第二面，外周面具有...

本发明涉及等离子体处理装置和天线组件。使进行等离子体处理时的电场强度降低，并且使对基板而言的等离子体分布的均匀性提高。等离子体处理装置具有：主线圈，其设于等离子体处理腔室的上部或上方；和副线圈组件，其设于主线圈的径向内侧或径向外侧。副线...

本发明提供一种磁控溅射装置和磁控溅射方法。磁控溅射装置包括：真空容器；多个溅射机构，其分别包括靶材、磁体排列体和使磁体排列体在第一位置与第二位置之间往复移动的移动机构；电源，为了利用被选择的溅射机构在基片上进行成膜，而向上述靶材供给电功...

本发明提供降低疏水化剂的使用量，且使基片整体疏水化的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理槽、保持部、有机溶剂供给部、排液口、气体供给部和排气口。上述处理槽积存浸渍基片的水层。上述保持部保持上述基片。上述有机溶剂供给部对上述水...

本发明所公开的等离子体处理装置具备产生负直流电压的直流电源。设置于腔室内的基板支承器的偏置电极交替连接于直流电源和接地。将偏置电极连接到接地之后偏置电极的电位达到接地电位为止的时间，设定为比直流电源连接到偏置电极之后偏置电极的电位达到负...

本发明涉及喷嘴的位置调整方法和液处理装置。使用低分辨率的摄像图像，准确地调整喷出喷嘴相对于旋转保持部的位置。一种在液处理装置中进行喷嘴的位置调整的方法，其包括以下工序：一边使用于保持基板并使其旋转的旋转保持部在未保持基板的状态下旋转，一...

本发明涉及半导体装置的制作方法。半导体装置的制作方法具有：在氮化硅膜和第一导电膜上形成含有碳的第一膜的工序；形成包围第一膜的第一氧化硅膜的工序，其中，上述第一氧化硅膜位于氮化硅膜和第一导电膜上；除去第一膜而在第一氧化硅膜形成使氮化硅膜的...

在向保存基板的处理容器供给处理气体来进行处理的气体供给装置中，具备：原料容器，其收容液体或固体的原料；载气供给部，其用于向所述原料容器内供给载气；气体供给路，其从所述原料容器向所述处理容器供给包含气化后的所述原料和所述载气的处理气体；流...

提供一种处理液供给装置、通知方法以及存储介质。在处理液供给装置中的处理液的贮存容器更换时，以更换作业中的作业者能够立即视觉辨认的方式通知更换后的贮存容器是否适当。处理液供给装置对使用处理液处理基板的基板处理装置供给处理液，具备：收容部，...