升降销的接触位置调整方法及检测方法和基片载置机构技术

本发明专利技术提供能够自动且高精度地调整升降销相对于载置于基片载置台的基片的接触位置的升降销的接触位置调整方法、升降销的接触位置检测方法和基片载置机构。接触位置调整方法包括下述步骤：在基片载置台上配置基片，在对静电吸盘的电极施加电压而吸附基片的状态下，对多个电压分别生成表示使升降销的前端从比载置面靠下方的下端位置向比载置面靠上方的上端位置移动时的电机的转矩的时间变化的转矩波形；根据多个转矩波形，求取作为升降销接触到基片的时刻的接触时间点，根据接触时间点和电机的速度计算接触位置；判断接触位置是否处于适当的范围；以及在判断为接触位置偏离适当的范围的情况下，自动调整接触位置。自动调整接触位置。自动调整接触位置。

【技术实现步骤摘要】
升降销的接触位置调整方法及检测方法和基片载置机构


[0001]本专利技术涉及升降销的接触位置调整方法、升降销的接触位置检测方法和基片载置机构。

技术介绍

[0002]在对半导体晶片等基片进行处理的基片处理装置中，在载置基片的基片载置台，设置有能够相对于基片载置面伸出和没入的多个升降销，以对基片载置台交接基片。
[0003]在专利文献1中记载了一种基片处理装置，其具有利用伺服电机使这样的升降销升降来使基片升降的基片升降装置。而且记载了，利用控制部监视来自伺服电机的电机驱动器的输出值，检测升降销的前端抵接到载置于基片载置面的基片的下表面的高度位置，使用该高度位置进行升降销的高度位置调整。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2017
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50534号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术问题
[0008]本专利技术提供一种能够自动且高精度地调整升降销相对于载置在基片载置台的基片的接触位置的技术。/>[0009]用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种升降销的接触位置调整方法，其特征在于：在基片载置机构中，调整作为升降销的前端接触到基片的高度位置的接触位置，所述基片载置机构包括：基片载置台，其具有对所述基片进行静电吸附的静电吸盘，能够载置所述基片；以及基片升降机构，其包含被设置成相对于所述基片载置台的基片载置面能够伸出及没入的所述升降销和具有使所述升降销升降的电机的驱动机构，所述升降销的接触位置调整方法包括下述步骤：在所述基片载置台上配置基片，对所述静电吸盘的电极施加电压而吸附所述基片的状态下，对多个电压分别生成表示使所述升降销的前端从比所述载置面靠下方的下端位置向比所述载置面靠上方的上端位置移动时的所述电机的转矩的时间变化的转矩波形；根据多个所述转矩波形，求取作为所述升降销接触到所述基片的时刻的接触时间点，根据该接触时间点和所述电机的速度，计算所述接触位置；判断所述接触位置是否处于适当的范围内；以及在判断为所述接触位置偏离适当的范围的情况下，自动调整所述接触位置。2.根据权利要求1所述的升降销的接触位置调整方法，其特征在于：所述基片载置机构具有弹性部件，该弹性部件对所述升降销施加朝向上方的弹性力。3.根据权利要求1或2所述的升降销的接触位置调整方法，其特征在于：在计算所述接触位置时，将对所述多个电压分别生成的所述转矩波形重叠而求取所述接触时间点。4.根据权利要求3所述的升降销的接触位置调整方法，其特征在于：所述接触时间点是与所述多个电压分别对应的所述转矩波形分离的时刻。5.根据权利要求1至4中任一项所述的升降销的接触位置调整方法，其特征在于：所述接触位置被定义为以所述下端位置为原点的高度位置，所述接触位置的自动调整以通过控制所述驱动机构而调整所述下端位置的方式来进行。6.一种升降销的接触位置检测方法，其特征在于：在基片载置机构中，检测作为升降销的前端接触到基片的高度位置的检测位置，所述基片载置机构包括：基片载置台，其具有对所述基片进行静电吸附的静电吸盘，能够载置所述基片；以及基片升降机构，其包含被设置成相对于所述基片载置台的基片载置面能够伸出及没入的所述升降销和具有使所述升降销升降的电机的升降部，所述升降销的接触位置检测方法包括下述步骤：在所述基片载置台上配置基片，对所述静电吸盘的电极施加电压而吸附所述基片的状态下，对多个电压分别生成表示使所述升降销的前端从比所述载置面靠下方的下端位置向比所述载置面靠上方的上端位置移动时的所述电机的转矩的时间变化的转矩波形；以及根据多个所述转矩波形，求取作为所述升降销接触到所述基片接触的时刻的接触时间...

【专利技术属性】
技术研发人员：川和敬裕，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：