舟搬入方法和热处理装置制造方法及图纸

本公开提供一种舟搬入方法和热处理装置，能够在抑制了基底膜的氧化的状态下进行成膜。基于本公开的一个方式的舟搬入方法是用于将保持有基板的舟搬入处理容器内的方法，所述舟搬入方法包括以下工序：向所述处理容器内供给还原性气体；以及在所述处理容器内存在所述还原性气体的状态下将所述舟搬入所处理容器内。原性气体的状态下将所述舟搬入所处理容器内。原性气体的状态下将所述舟搬入所处理容器内。

【技术实现步骤摘要】
舟搬入方法和热处理装置
[0001]技术区域
[0002]本公开涉及一种舟搬入方法和热处理装置。

技术介绍

[0003]已知有如下一种技术：一边从由构成处理容器的外筒和内筒形成的间隙向内筒内供给N2气，一边将载置有晶圆的舟装入内筒内，在将处理容器内气密地密封后，在晶圆的表面形成薄膜(例如参照专利文献1)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2002
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280385号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]本公开提供一种能够在抑制了基底膜的氧化的状态下进行成膜的技术。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]基于本公开的一个方式的舟搬入方法是用于将保持有基板的舟搬入处理容器内的方法，所述舟搬入方法包括以下工序：向所述处理容器内供给还原性气体；在所述处理容器内存在所述还原性气体的状态下将所述舟搬入所述处理容器内。
[0011]专利技术的效果
[0012]根据本公开，能够在抑制了基底膜的氧化的状态下进行成膜。
附图说明
[0013]图1是表示实施方式的热处理装置的一例的概要图。
[0014]图2是表示实施方式的热处理装置的一例的概要图。
[0015]图3是表示实施方式的热处理装置的热处理炉的一例的概要图。
[0016]图4是表示实施方式的舟搬入方法的一例的流程图。
[0017]图5是将实施了实施方式的舟搬入方法时的结果与比较例一同示出的图。
[0018]附图标记说明
[0019]1：热处理装置；50：晶圆舟；56：升降机构；90：控制部；100：热处理炉；110：处理容器；130：喷射器；133：流量控制器；134：阀；140：喷射器；143：流量控制器；144：阀；150：排气口；152：排气阀；W：晶圆。
具体实施方式
[0020]下面，参照附图来说明本公开的非限定性的例示的实施方式。在所附的全部附图中，对相同或对应的构件或部件标注相同或对应的标记，并省略重复的说明。
[0021]〔热处理装置〕
[0022]参照图1和图2来说明实施方式的热处理装置的一例。
[0023]热处理装置1以收容在构成装置的封装体的壳体2内的方式构成。在壳体2内形成有承载件搬送区域A1和晶圆搬送区域A2。承载件搬送区域A1和晶圆搬送区域A2通过隔壁4被分隔开。在隔壁4设置有用于搬送晶圆W的搬送口6，该搬送口6使承载件搬送区域A1与晶圆搬送区域A2连通。搬送口6通过依据FIMS标准(Front
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Opening Interface Mechanical Standard：前开口接口机械标准)的门机构8来打开和关闭。门机构8与盖体开闭装置7的驱动机构连接，门机构8构成为通过驱动机构来沿前后方向和上下方向移动自如，以将搬送口6打开和关闭。
[0024]下面，将承载件搬送区域A1和晶圆搬送区域A2的排列方向设为前后方向，将与前后方向垂直的水平方向设为左右方向。
[0025]承载件搬送区域A1是处于大气气氛下的区域。承载件搬送区域A1是用于在热处理装置1内的后述的要素间搬送收纳有半导体晶圆(下面称作“晶圆W”。)的承载件C、从外部向热处理装置1内搬入所述承载件C或者从热处理装置1向外部搬出所述承载件C的区域。承载件C例如可以是FOUP(Front
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Opening Unified Pod：前开式晶圆传送盒)。FOUP内的清洁度被保持为规定的水平，由此能够防止异物向晶圆W的表面的附着、自然氧化膜的形成。承载件搬送区域A1包括第一搬送区域10和位于第一搬送区域10的后方(晶圆搬送区域A2侧)的第二搬送区域12。
[0026]在第一搬送区域10设置有加载端口14，作为一例，设置有上下两层(参照图1)的加载端口14，并且在各层分别设置有左右两个加载端口14(参照图2)。加载端口14是用于在承载件C被搬入热处理装置1时接受承载件C的搬入用的载置台。加载端口14设置在壳体2的壁开放的位置，使得能够从外部访问热处理装置1。具体地说，能够通过设置于热处理装置1的外部的搬送装置(未图示)将承载件C搬入并载置到加载端口14上，并能够从加载端口14向外部搬出承载件C。另外，由于加载端口14例如存在上下两层，因此能够在这两层进行承载件C的搬入和搬出。也可以在加载端口14的下层具备存储部16，以使得能够保管承载件C。在加载端口14的用于载置承载件C的面的例如三个位置处设置有用于对承载件C进行定位的定位销18。另外，也可以构成为：在将承载件C载置到了加载端口14上的状态下，加载端口14能够沿前后方向移动。
[0027]在第二搬送区域12的下部，以沿上下方向排列的方式配置有两个(参照图1)FIMS端口24。FIMS端口24是用于在针对晶圆搬送区域A2内的后述的热处理炉100搬入和搬出承载件C内的晶圆W时保持承载件C的保持台。FIMS端口24构成为沿前后方向移动自如。与加载端口14同样地，也在FIMS端口24的用于载置承载件C的面的三个位置处设置有用于对承载件C进行定位的定位销18。
[0028]在第二搬送区域12的上部设置有用于保管承载件C的存储部16。存储部16例如由三层架构成，在各层架上能够沿左右方向载置两个以上的承载件C。另外，也可以是在第二搬送区域12的下部且未配置承载件载置台的区域也配置存储部16的结构。
[0029]在第一搬送区域10与第二搬送区域12之间设置有用于在加载端口14、存储部16以及FIMS端口24之间搬送承载件C的承载件搬送机构30。
[0030]承载件搬送机构30具备第一引导件31、第二引导件32、移动部33、臂部34以及手部35。第一引导件31构成为沿上下方向延伸。第二引导件32构成为与第一引导件31连接并沿
左右方向延伸。移动部33构成为一边被第二引导件32引导一边沿左右方向移动。臂部34具有一个关节和两个臂部，设置于移动部33。手部35设置于臂部34的前端。在手部35的三个位置处设置有用于对承载件C进行定位的销18。
[0031]晶圆搬送区域A2用于是从承载件C取出晶圆W并对晶圆W实施各种处理的区域。晶圆搬送区域A2被设为非活性气体气氛、例如氮气(N2)气氛，以防止在晶圆W形成氧化膜。由此，晶圆搬送区域A2的氧气(O2)浓度例如被维持为比30ppm小。在晶圆搬送区域A2设置有立式的热处理炉100，该热处理炉100在下端具有作为炉口的开口。
[0032]热处理炉100具有石英制的圆筒状的处理容器110，该处理容器110能够收容晶圆W，用于对晶圆W进行热处理。在处理容器110的周围配置有圆筒状的加热器180，通过加热器180的加热来对所收容的晶圆W进行热处理。在处理容器110的下方设置有闸门(未图示)。闸门是用于在从热处理炉100搬出晶圆舟50后搬入下一个晶圆舟50之前的期间盖住热处理炉100的下端的门。在热处理炉1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种舟搬入方法，是用于将保持有基板的舟搬入处理容器内的方法，所述舟搬入方法的特征在于，包括以下工序：向所述处理容器内供给还原性气体；以及在所述处理容器内存在所述还原性气体的状态下将所述舟搬入所述处理容器内。2.根据权利要求1所述的舟搬入方法，其特征在于，在进行所述供给的工序中，使所述处理容器的内部相比于外部为高压。3.根据权利要求1或2所述的舟搬入方法，其特征在于，在进行所述供给的工序中，通过具有被多孔质体覆盖的开口的喷射器来供给所述还原性气体。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的舟搬入方法，其特征在于，所述还原性气体是合成气体。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的舟搬入方法，其特征在于，在进行所述供给的工序之前还包括停止进行所述处理容器内的排气的工序。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的舟搬入方法，其特征在于，还包括以下工序：在进行所述搬入的工序中，对所述处理容器内进...

【专利技术属性】
技术研发人员：菱屋晋吾，池川宽晃，V，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：