蚀刻方法及等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供改善蚀刻形状的技术。提供一种蚀刻方法，其包括下述工序：提供包括第一膜和第一膜上的第二膜的基板工序，且第一膜包含硅，第二膜包含至少1个开口；以及，由处理气体生成等离子体并对第一膜进行蚀刻的工序，且处理气体包含氟化氢气体、第一含卤素气体以及含磷气体，第一含卤素气体至少包含碳和除氟以外的卤素。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开的例示性实施方式涉及蚀刻方法及等离子体处理装置。

技术介绍

1、专利文献1中公开了一种对基板的膜进行蚀刻的方法。膜含有硅。基板具有设置在膜上的掩模。掩模包含无定形碳或有机聚合物。蚀刻使用由包含烃气体以及氟代烃的处理气体生成的等离子体。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2016-39310号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的问题

2、本公开提供改善蚀刻形状的技术。

3、用于解决问题的手段

4、在本公开的一个例示性实施方式中，提供一种蚀刻方法，其包括下述工序：提供包括第一膜和第一膜上的第二膜的基板的工序，且第一膜包含硅，第二膜包含至少1个开口；以及，由处理气体生成等离子体并对第一膜进行蚀刻的工序，且处理气体包含氟化氢气体、第一含卤素气体以及含磷气体，第一含卤素气体至少包含碳和除氟以外的卤素。

5、专利技术效果

6、根据本公开的一个例示性实施方式，能够提供改善蚀刻形状的技术。

【技术保护点】

1.一种蚀刻方法，其包括下述工序：

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述第一含卤素气体包含CsHtBruClvFw表示的气体，式中，s为1以上且7以下的整数，u与v之和为1以上的整数，t、u、v和w分别为0以上且16以下的整数。

3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述第一含卤素气体包含溴作为所述除氟以外的卤素。

4.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述第一含卤素气体包含氯作为所述除氟以外的卤素。

5.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述第一含卤素气体还包含氟。

6.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述第...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种蚀刻方法，其包括下述工序：

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述第一含卤素气体包含cshtbruclvfw表示的气体，式中，s为1以上且7以下的整数，u与v之和为1以上的整数，t、u、v和w分别为0以上且16以下的整数。

3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述第一含卤素气体包含溴作为所述除氟以外的卤素。

4.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述第一含卤素气体包含氯作为所述除氟以外的卤素。

5.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述第一含卤素气体还包含氟。

6.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述第一含卤素气体包含选自由chcl3气体、ch2cl2气体以及cf2br2cl2气体组成的组中的至少1种。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的蚀刻方法，其中，所述含磷气体包含卤化磷气体。

8.根据权利要求1～6中的任一项所述的蚀刻方法，其中，所述含磷气体包含氧卤化磷气体。

9.根据权利要求8所述的蚀刻方法，其中，所述氧卤化磷气体包含选自由pocl3气体、pocl2f气体、poclf2气体以及pof3气体组成的组中的至少1种。

10.根据权利要求1～6中的任一项所述的蚀刻方法，其中，所述含磷气体包含氧卤...

【专利技术属性】
技术研发人员：松原棱，泷野裕辅，户村幕树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：