【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及等离子体处理装置。
技术介绍
1、在等离子体处理装置中，例如通过向处理对象的基片供给rf(radio frequency：射频)电压，来将由等离子体生成的离子、自由基引入到基片，执行蚀刻等工艺。此时，基片的电压(vpp)作为工艺的状态的指标而被监视和记录，用于工艺结果的预测、状态监视、异常检测等。另外，提出了监视脉冲rf偏置电压的峰电压值来进行反馈控制的技术方案(专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特表2010-504614号公报。
5、专利文献2：美国专利申请公开第2015/0262704号说明书。
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术提供一种能够提高工艺(process)的稳定性的等离子体处理装置。
3、用于解决技术问题的技术手段
4、本专利技术的一个方式的等离子体处理装置具有：腔室；配置在腔室内的、包括rf电极的基片支承部；第一rf电...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求2～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：
9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于
10...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求2～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：
9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：
10.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：
11.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：
12.如权利要求9～11中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
13.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于：
14.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：
15.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：
16.如权利要求15所述的等离子体处理装置，其特征在于：
17.如权利要求15或16所...
【专利技术属性】
技术研发人员：山泽阳平，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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