本发明涉及紧固构造、等离子体处理装置以及紧固方法。在利用紧固螺纹件将构成基板处理装置的构件彼此紧固的紧固构造中，使紧固螺纹件不产生松动。一种紧固构造，其对构成基板处理装置的第1构件和第2构件进行紧固，其中，第1构件具有内螺纹部，第2构件...

描述了形成晶体管器件的方法，该方法包括：在衬底上形成第一晶体管平面，该第一晶体管平面包括适用于形成场效应晶体管的沟道的至少一层外延膜；在该第一晶体管平面上沉积第一绝缘体层；在该第一绝缘体层上沉积第一多晶硅层；使用激光加热对该第一多晶硅层...

提供一种检查系统,具有:第一冷却单元,其用于供给被控制为第一温度的第一热介质；第二冷却单元,其用于供给被控制为比上述第一温度低的第二温度的第二热介质；载置台,其设有流路,该流路被供给将上述第一热介质和上述第二热介质混合为期望的混合比的热...

本发明涉及基片处理装置、状态判断方法和计算机存储介质，不取决于干扰物的周围的气氛的湿度、温度地准确地进行关于构成基片处理装置的一部分的功能部与干扰物之间的距离的状态的判断。本发明的用于对基片进行处理的基片处理装置包括：构成所述基片处理装...

一种真空搬送装置，配置于工艺腔室与加载互锁室之间，用于在工艺腔室与加载互锁室之间搬送基板，所述真空搬送装置具备容器、搬送装置、排气装置、露点计以及控制装置。容器经由闸阀来与工艺腔室及加载互锁室分别连接。搬送装置设置于容器内，用于在工艺腔...

本发明提供一种成膜系统和成膜方法，能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜。成膜系统的成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮...

本发明涉及基板处理装置。提供一种能够在液处理中提升去除对象物的去除效率的技术。本公开的基板处理装置具有流体供给部、处理液供给部以及喷嘴。流体供给部供给包含经过了加压的纯水的蒸汽或水雾的流体。处理液供给部供给至少包含硫酸的处理液。喷嘴具有...

本发明说明能够简易且高效地除去附着于支承基片的支承部及其周边部件的异物的基片清洗装置、基片清洗方法和计算机可读取的存储介质。基片清洗装置包括：支承部，其构成为能够与基片的背面抵接来支承基片；环状部件，其以包围由支承部支承的基片的周围的方...

本发明的课题在于改善使用了适于EUV光刻的抗蚀剂材料的基板的曝光时的灵敏度。在基板处理方法中，在处理容器内，对形成有基于EUV光刻用抗蚀剂材料的抗蚀剂膜的基板的表面，在曝光处理前照射包含真空紫外光的光。光处理前照射包含真空紫外光的光。光...

本发明在包含分批处理部和单片处理部这两者的基片处理系统中，能够适当地进行从分批处理部向单片处理部的基片的输送。基片处理系统包括分批处理部、单片处理部和输送部。分批处理部对以规定的节距包含多个基片的批次一并地进行处理。单片处理部对批次中包...

本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够在含硅膜的等离子体蚀刻中对通过蚀刻形成的凹部的底部的宽度进行调整。一个例示性的实施方式所涉及的蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，向基板支承器上提供基板；工序(b)，将基板支承器的温度调整为

本发明提供一种在具有批处理部和单片处理部这两者的基片处理系统中，提高基片的输送控制的容易性的技术。本发明的基片处理系统具有送入部、批处理部、单片处理部、接口部和送出部。送入部包含能够载置承载器的第一载置部，该承载器收纳多个基片。批处理部...

本发明提供一种成膜系统和成膜方法，能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜。成膜系统的成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮...

提供一种检测系统，其能够在保持占地面积的同时应对多种规格。该检测系统包括：多个检查室，设置有在对台上的基板进行检查时所使用的检测头；以及热介质供给部，向所述台供给热介质，其中，所述热介质供给部布置在布置有多个所述检查室的检查区域的下部区...

一种用于在基板上选择性地进行成膜的成膜方法，其包括：准备工序、第1成膜工序、第2成膜工序和第1去除工序。在准备工序中，准备在表面露出第1膜和第2膜的基板。在第1成膜工序中，通过向基板上供给具有包含氟和碳的官能团、且用于成膜为抑制形成第3...

本发明涉及液处理装置和清洗方法。使附着于内杯的涂布液不会在清洗了液处理装置的内杯之后残留。一种在基板上涂布涂布液的液处理装置，其包括：保持部，其保持基板并使其旋转；涂布液供给部，其向被保持部保持着的基板供给涂布液；外杯，其围绕被保持部保...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括处理容器、气体供给部、电功率供给部和控制装置。处理容器收纳基片。气体供给部向处理容器内供给处理气体。电功率供给部通过向处理容器内供给电功率，来从被供给到处理容器内的处理气...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够适当地降低等离子体处理中的基板背面的金属污染。基板处理装置具有：处理容器，在所述处理容器的内部对基板进行处理；等离子体生成空间，其形成于所述处理容器的内部；处理空间，其经由分隔板而与所述等离...

所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内生成处理气体的等离子体。等离子体在腔室内具有下部电极的基板支承器上载置有基板的状态下生成。基板具有膜和掩模。掩模设置于膜上。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)...

本发明涉及处理装置和处理方法。提供一种能够扩大膜厚的面内分布的调整范围的技术。本公开的一技术方案的处理装置包括：处理容器，其具有大致圆筒形状，在侧壁形成有排气狭缝；以及多个气体喷嘴，其沿着所述处理容器的所述侧壁的内侧在铅垂方向上延伸设置...