基板处理方法、基板处理装置和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于改善使用了适于EUV光刻的抗蚀剂材料的基板的曝光时的灵敏度。在基板处理方法中，在处理容器内，对形成有基于EUV光刻用抗蚀剂材料的抗蚀剂膜的基板的表面，在曝光处理前照射包含真空紫外光的光。光处理前照射包含真空紫外光的光。光处理前照射包含真空紫外光的光。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法、基板处理装置和存储介质


[0001]本专利技术涉及基板处理方法、基板处理装置和存储介质。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了一种辅助曝光装置，其通过对形成在基板上的抗蚀剂膜照射与曝光处理不同的紫外线，来实现抗蚀剂图案的膜压或线宽的精度或面内均匀性的提高。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013
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186191号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的课题
[0007]本专利技术提供一种能够改善使用了适于EUV光刻的抗蚀剂材料的基板的曝光时的灵敏度的技术。
[0008]用于解决课题的方法
[0009]本专利技术的一个方式的基板处理方法中，在处理容器内，对形成有基于EUV光刻用抗蚀剂材料的抗蚀剂膜的基板的表面，在曝光处理前照射包含真空紫外光的光。
[0010]专利技术效果
[0011]根据本专利技术，能够提供一种能够改善使用了适于EUV光刻的抗蚀剂材料的基板的曝光时的灵敏度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，其特征在于：在处理容器内，对形成有基于EUV光刻用抗蚀剂材料的抗蚀剂膜的基板的表面，在曝光处理前照射包含真空紫外光的光。2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：所述包含真空紫外光的光是包含波长100nm～200nm中所含的至少一部分频带的连续的光谱成分的光。3.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：所述包含真空紫外光的光相对于所述基板的表面的每单位面积的光量，比在所述曝光处理之后照射所述包含真空紫外光的光的情况下的光量小。4.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：在所述基板的温度与气氛温度大致同等的状态下进行所述光的照射。5.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：在对所述处理容器内进行了减压的状态下照射包含所述真空紫外光的光。6.如权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于：在将所述处理容器内减压到规定的真空度之后，在将所述处理容器内的压力升压至大气压以下的规定的压力的状态下，照射包含所述真空紫外光的光。7.如权利要求1～6中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：在照射包含所述真空紫外光的光之后，不进行加热处理地进行曝光处理。8.如权利要求1～6中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：在照射包含所述真空紫外光的光之后且曝光处理之前进行加热处理。9.如权利要求1～6中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：对进行了包含所述真空紫外光的光的照射的所述基板的表面进行评价，根据其结果来变更对所述基板的处理条件。10.如权利要求1～6中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：通过使从光源部出射的包含所述真空紫外光的光透过光调节部件，在使各波长的光的强度分布的偏差比透过前小的状态下，对所述基板的表面进行照射。11.一种计算机可读取的存...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中启一，吉原孝介，近藤良弘，村松诚，小玉辉彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：