检查系统以及检查方法技术方案

提供一种检查系统,具有:第一冷却单元,其用于供给被控制为第一温度的第一热介质；第二冷却单元,其用于供给被控制为比上述第一温度低的第二温度的第二热介质；载置台,其设有流路,该流路被供给将上述第一热介质和上述第二热介质混合为期望的混合比的热介质；以及控制部,该检查系统用于对载置于上述载置台上的基板进行检查,上述控制部控制以下工序:测定工序,其对上述流路的入口处的上述热介质的温度和上述流路的出口处的上述热介质的温度进行测定；以及校正工序,其基于上述入口处和出口处的上述热介质的温度的差值以及上述热介质的流量,对上述第一热介质与上述第二热介质的上述混合比进行校正。上述混合比进行校正。上述混合比进行校正。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】检查系统以及检查方法


[0001]本专利技术涉及检查系统以及检查方法。

技术介绍

[0002]例如,在专利文献1中,公开了等离子体蚀刻装置的温度控制方法。在专利文献1中,基于在下部电极施加的高频的电力值,根据事先求得的热量计算用的一次近似式,计算在处理时晶圆所负荷的热量Q。接下来,基于热量,计算制冷剂循环路径的入口温度与出口温度的理论温度差即目标差值ΔT。并且,基于目标差值ΔT进行温度控制。
[0003]<现有技术文献>
[0004]<专利文献>
[0005]专利文献1:日本国特开2001
‑
044176号公报

技术实现思路

[0006]<本专利技术要解决的问题>
[0007]本专利技术提供一种检查系统,其能够进行根据基板与流路之间的热阻抗的基板的温度调整。
[0008]<用于解决问题的手段>
[0009]根据本专利技术的一个方式,提供一种检查系统,具有:第一冷却单元,其用于供给被控制为第一温度的第一热介质；第二冷却单元,其用于供给被控制为比上述第一温度低的第二温度的第二热介质；载置台,其设有流路,该流路被供给将上述第一热介质和上述第二热介质混合为期望的混合比的热介质；以及控制部,该检查系统用于对载置于上述载置台的基板进行检查,上述控制部控制以下工序:测定工序,其对上述流路的入口处的上述热介质的温度和上述流路的出口处的上述热介质的温度进行测定；以及校正工序,其基于上述入口处和出口处的上述热介质的温度的差值以及上述热介质的流量,对上述第一热介质与上述第二热介质的上述混合比进行校正。
[0010]<专利技术的效果>
[0011]根据本专利技术,能够在检查系统中进行根据基板与流路之间的热阻抗的基板的温度调整。
附图说明
[0012]图1是示出本实施方式的检查系统的概略构成的俯视横剖视图。
[0013]图2是示出本实施方式的检查系统的概略构成的主视纵剖视图。
[0014]图3是示出本实施方式的检查系统的检查区域的构成的主视纵剖视图。
[0015]图4是示出本实施方式的检查系统的测试器的详细内容的局部放大图。
[0016]图5是示出本实施方式的检查系统的卡盘上端部件的详细内容的剖视图。
[0017]图6是用于说明本实施方式的检查系统的卡盘上端部件的热关系的图。
[0018]图7是用于说明本实施方式的检查系统的热介质的流路的图。
[0019]图8是本实施方式的检查系统的功能框图。
[0020]图9是用于说明本实施方式的检查系统的处理的流程图。
[0021]图10是对使本实施方式的检查系统进行动作时的温度进行说明的图。
[0022]图11是对使比较例的检查系统进行动作时的温度进行说明的图。
[0023]图12是用于说明本实施方式的检查系统的变形例的热介质的流路的图。
[0024]图13是用于说明本实施方式的检查系统的变形例的热介质的流路的图。
具体实施方式
[0025]以下,参照附图对用于实施本专利技术的方式进行说明。需要说明的是,在本说明书以及附图中,对于实质上相同的构成,通过赋予相同的附图标记而省略重复的说明。
[0026]<检查系统的整体构成>
[0027]图1是示出本实施方式的检查系统1的概略构成的俯视横剖视图。图2是示出本实施方式的检查系统1的概略构成的主视纵剖视图。
[0028]基于针对每一个作为基板的一个例子的晶圆W而设定的设定温度来进行电特性的检查的装置即检查系统1包括壳体10。壳体10的内部被分割为搬入搬出区域11、输送区域12、以及检查区域13。
[0029]搬入搬出区域11是用于将检查前的晶圆W搬入检查系统1,将检查后的晶圆W自检查系统1搬出的区域。另外,其是用于将后述探针卡80搬入检查系统1,并且自检查系统1搬出的区域。在搬入搬出区域11中,设有用于接受容纳有多个晶圆W的盒体C的口部20、以及用于容纳后述探针卡80的装载机21。另外,在搬入搬出区域11中,设有用于控制检查系统1的各构成要素的控制部22。
[0030]输送区域12是用于在搬入搬出区域11与检查区域13之间搬运晶圆W等的区域。在输送区域12中,配置有能够在保持晶圆W等的状态下移动自如的输送装置30。该输送装置30在搬入搬出区域11的口部20内的盒体C与检查区域13的后述对位部50之间,进行晶圆W的输送。另外,输送装置30将固定于检查区域13内的后述的弹簧框架70的探针卡80中的需要维护的探针卡80输送至搬入搬出区域11的装载机21。而且,输送装置30将新的或者维护完的探针卡80自装载机21输送至检查区域13内的上述弹簧框架70。
[0031]检查区域13是进行在晶圆W上形成的电子器件的电特性的检查的区域。在检查区域13中,设有多个作为检查部的测试器40。具体而言,如图2所示,检查区域13在铅直方向被分割成三个区域,在各分割区域13a中,设有由在图2的水平方向排列的四个测试器40构成的测试器列。另外,在各分割区域13a中,设有一个对位部50和一个摄像机60。需要说明的是,测试器40、对位部50、摄像机60的数量、配置可以任意选择。测试器40在与晶圆W之间发送以及接收电特性检查用的电信号。
[0032]对位部50包括卡盘上端部件51和对准器53。对于卡盘上端部件51和对准器53的详细内容后述。对位部50载置作为基板的晶圆W。另外,对位部50进行该被载置的晶圆W与配置于测试器40的下方的探针卡80的对位。对位部50为了进行对位而以能够在测试器40的下方的区域内移动的方式设置。
[0033]摄像机60对配置于该测试器40的下方的探针卡80与载置于对位部50的晶圆W的位
置关系进行摄像。摄像机60水平移动,其以位于设有该摄像机60的分割区域13a内的各测试器40之前的方式设置。
[0034]在本实施方式的检查系统1中,在输送装置30向分割区域13a的多个测试器40之中的一个测试器40输送晶圆W的期间内,分割区域13a的其他的测试器40能够进行形成于其他的晶圆W的电子器件的电特性的检查。
[0035]接下来,使用图3以及图4,对测试器40、对位部50以及与其相关联的构成进行详细说明。图3是示出本实施方式的检查系统1的检查区域13的构成的主视纵剖视图。图4是示出本实施方式的检查系统1的测试器40的详细内容的局部放大图。
[0036]如图3以及图4所示,测试器40具有在测试器40的底部水平设置的测试器母板41。在测试器母板41上以立设状态安装有未图示的多个检查电路基板。另外,在测试器母板41的底面设有多个电极。
[0037]而且,在测试器40的下方自上侧依次分别设有一个弹簧框架70和一个探针卡80。
[0038]在测试器4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种检查系统,具有:第一冷却单元,其用于供给被控制为第一温度的第一热介质；第二冷却单元,其用于供给被控制为比上述第一温度低的第二温度的第二热介质；载置台,其设有流路,该流路被供给将上述第一热介质和上述第二热介质混合为期望的混合比的热介质；以及控制部,该检查系统用于对载置于上述载置台上的基板进行检查,上述控制部控制以下工序:测定工序,其对上述流路的入口处的上述热介质的温度和上述流路的出口处的上述热介质的温度进行测定；以及校正工序,其基于上述入口处和出口处的上述热介质的温度的差值以及上述热介质的流量,对上述第一热介质与上述第二热介质的上述混合比进行校正。2.根据权利要求1所述的检查系统,其中,上述控制部控制以下工序:计算工序,其基于上述入口处和出口处的上述热介质的温度的差值以及上述热介质的流量,对上述基板的发热量进行计算；以及校正工序,其基于上述发热量,对上述第一热介质和上述第二热介质的上述混合比进行校正。3.根据权利要求1或2所述的检查系统,其中,上述控制部以成为校正后的上述混合比的方式,对上述第一冷却单元的出口的阀的开度和上述第二冷却单元的出口的阀的开度进行控制。4.根据权利要求1至3中任一项所述的检查系统,其中,上述控制部对测定上述流路的入口处的上述热介质的压力和上述流路的出口处的上述热介质的压力的工序进行控制,上述控制部根据上述入口处和出口处的上述热介质的压力的差值,求得上述热介质的流量。5.根据权利要求1至4中任一项所述的检查系统,其中,上述第一冷却单元的出口的阀是第一三通阀,其供上述第一热介质流...

【专利技术属性】
技术研发人员：小西显太朗，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：