基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够适当地降低等离子体处理中的基板背面的金属污染。基板处理装置具有：处理容器，在所述处理容器的内部对基板进行处理；等离子体生成空间，其形成于所述处理容器的内部；处理空间，其经由分隔板而与所述等离子体生成空间连通；载置台，其设置于所述处理空间的内部，在所述载置台的上表面载置基板；以及升降机构，其使基板在所述载置台上进行升降，其中，在所述处理空间中的基板的等离子体处理中，使用所述升降机构使基板进行升降，来使该等离子体处理中的基板发生电位变化。理中的基板发生电位变化。理中的基板发生电位变化。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理装置


[0001]本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。

技术介绍

[0002]专利文献1中公开了一种基板处理装置，该基板处理装置具有：高频电源，其向处理容器的内部供给高频能量；气体供给源，其向处理容器的内部导入气体；载置台，其用于载置基板；以及分隔板，其将处理容器的内部分隔为等离子体生成空间和基板处理空间。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017
‑
157778号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开所涉及的技术适当地降低等离子体处理中的基板背面的金属污染。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式是利用基板处理装置来对基板进行处理的方法，基板处理装置具有：处理容器，在所述处理容器内部对基板进行处理；等离子体生成空间，其形成于所述处理容器的内部；处理空间，其经由分隔板而与所述等离子体生成空间连通；载置台，其设置于所述处理空间的内部，在所述载置台的上表面载置基板；以及升降机构，其使基板在所述载置台上进行升降，其中，在所述处理空间中的基板的等离子体处理中，使用所述升降机构使基板进行升降，来使该等离子体处理中的基板发生电位变化。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够适当地降低等离子体处理中的基板背面的金属污染。
附图说明
[0012]图1是示出等离子体处理装置的结构的一例的纵截面图。
[0013]图2是示出等离子体处理装置的结构的一例的横截面图。
[0014]图3是示出本实施方式所涉及的晶圆处理的主要工序的流程图。
[0015]图4是示出本实施方式所涉及的等离子体处理中的晶圆的Vdc变化的一例的图表。
[0016]图5是示出利用升降销来保持晶圆的情形的说明图。
[0017]图6是示出其它实施方式所涉及的等离子体处理中的晶圆的Vdc变化的一例的图表。
[0018]图7是示意性地示出降低晶圆背面的金属污染的其它方法的说明图。
[0019]图8是示意性地示出涂敷膜的形成例的说明图。
[0020]附图标记说明
[0021]1：等离子体处理装置；10：处理容器；11：分隔板；40：载置台；61：升降销；G：等离子
体生成空间；S：处理空间；W：晶圆。
具体实施方式
[0022]半导体器件中的含硅的膜被广泛地应用于各种用途。例如硅锗(SiGe)膜、硅(Si)膜等含Si膜被使用于栅电极、晶种层等。而且，以往，在纳米片或纳米线这样的GAA(Gate all around：全环绕栅极)晶体管的制造工序中，对作为形成有这样的含Si膜的基板的半导体晶圆(下面简称为“晶圆”。)进行蚀刻处理、扩散处理或者成膜处理等等离子体处理。
[0023]上述的专利文献1中公开的技术是用于对像这样形成有含Si膜的晶圆进行蚀刻处理的方法。如专利文献1中也记载的那样，利用等离子体处理来对配置于腔室内的晶圆进行该蚀刻处理，在该等离子体处理中，供给由等离子体激励后的处理气体。
[0024]另外，在对这样的晶圆进行的等离子体处理中，在开始供给用于生成等离子体的高频(RF：Radio Frequency：射频)电力时(下面有时称为“RF
‑
ON时”。)，担心在作为处理对象的晶圆的背面产生金属污染。认为该晶圆背面产生金属污染的原因为：例如由于用于载置晶圆的载置台等配置于腔室内的金属与等离子体反应而产生微粒，由于RF
‑
ON时的晶圆电位(Vdc)的变化，该微粒被静电吸附于背面。
[0025]因此，本专利技术的专利技术者们在进行深入讨论后发现，在对作为处理对象的晶圆进行的等离子体处理中，通过使用于在腔室的内部进行该晶圆的交接的升降销进行动作，Vdc发生变化。即，新发现了通过利用该升降销的动作使晶圆的带电状态发生变化可能能够使附着于背面的微粒脱离。而且，专利文献1中也没有记载该见解。
[0026]本公开所涉及的技术是基于上述见解而完成的，适当地降低等离子体处理中的基板背面的金属污染。下面，参照附图来说明作为本实施方式所涉及的基板处理装置的等离子体处理装置、以及作为使用该等离子体处理装置来进行的基板处理方法的等离子体处理方法。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的标记，由此省略重复说明。
[0027]<等离子体处理装置>
[0028]图1是示意性地示出等离子体处理装置1的结构的概要的纵截面图。在等离子体处理装置1中，在晶圆W表面进行任意的等离子体处理，例如蚀刻处理、扩散处理或者成膜处理等。此外，在下面的说明中，有时将晶圆W中的被实施等离子体处理的一侧的表面称为“表面”，将与表面为相反侧的、被后述的载置台40保持的一侧的表面称为“背面”。
[0029]如图1所示，等离子体处理装置1具备收容晶圆W的密闭构造的处理容器10。处理容器10例如由铝或铝合金构成，上端开放，处理容器10的上端被作为顶部的盖体10a封闭。在处理容器10的侧面设置有晶圆W的搬入搬出口(未图示)，处理容器10经由该搬入搬出口而与外部连接。搬入搬出口构成为通过闸阀(未图示)开闭自如。
[0030]处理容器10的内部被分隔板11分隔为上方的等离子体生成空间G和下方的处理空间S。即，本实施方式所涉及的等离子体处理装置1构成为等离子体生成空间G与处理空间S分离的远程等离子体处理装置。
[0031]分隔板11具有从等离子体生成空间G朝向处理空间S重叠地配置的至少两个板状构件12、13。在板状构件12、13之间配置有用于调节该板状构件12、13的间隔的间隔物14。另外，板状构件12、13分别具有贯通重叠方向地形成的狭缝12a、13a。各狭缝12a、13a以俯视时
不重合的方式配置，由此分隔板11作为所谓的离子阱发挥功能，在等离子体生成空间G中生成等离子体时，该离子阱抑制等离子体中的离子透过到处理空间S。更具体地说，利用将狭缝12a及狭缝13a以不重合的方式配置的狭缝配置构造、即利用迷宫构造，来阻止各向异性地移动的离子的移动，另一方面，使各向同性地移动的自由基透过。
[0032]另外，换言之，等离子体生成空间G与处理空间S通过像这样构成的分隔板11，以经由狭缝12a、13a连通的方式连接。由此，在如后述那样在处理空间S中进行晶圆W的等离子体处理时，通过后述的升降销61的动作来使晶圆W发生电位变化(Vdc变化)。
[0033]此外，分隔板11的构造不限于图示的例子，只要能够通过后述的升降销61的动作来使晶圆W发生Vdc变化即可，可以采用任意的结构。
[0034]等离子体生成空间G具有：供气部20，其向处理容器10内供给处理气体；以及等离子体生成部30，其将被供给到处理容器10内的处理气体进行等离子体化。
[0035]供气部2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，是利用基板处理装置对基板进行处理的方法，所述基板处理装置具有：处理容器，在所述处理容器的内部对基板进行处理；等离子体生成空间，其形成于所述处理容器的内部；处理空间，其经由分隔板而与所述等离子体生成空间连通；载置台，其设置于所述处理空间的内部，在所述载置台的上表面载置基板；以及升降机构，其使基板在所述载置台上进行升降，其中，在所述处理空间中的基板的等离子体处理中，使用所述升降机构使基板进行升降，来使该等离子体处理中的基板发生电位变化。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，在利用所述升降机构使基板远离了所述载置台的状态下开始进行所述等离子体处理，在该等离子体处理期间，利用所述升降机构使基板下降并将基板载置于所述载置台。3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，紧接在开始所述等离子体处理之后利用所述升降机构使基板下降。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其中，所述升降机构是在相对于所述基板处理装置进行所述基板的搬入和搬出时保持该基板的升降销。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的基板处理方法，其中，利用比构成该载置台的金属材料更具有抗自由基性质的涂敷材料，来至少涂敷所述载置台的用于保持基板的保持面。6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，还利用所述涂敷材料对所述升降机构进行涂敷。7.根据权利要求5或6所述的基板处理方法，其中，所述涂敷材料是从YF3和YOF中选择的至少任一种材料。8.根据权利要求1～7中的任一项所述的基板处理方法，其中，利用至少比构成所述载置台的金属材料更具有抗自由基性质的构成构件，来构成所述升降机构。9.一种基板处理装置，在该基板处理装置的处理容器的内...

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤启，三好秀典，土场重树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：