基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够适当地降低等离子体处理中的基板背面的金属污染。基板处理装置具有：处理容器，在所述处理容器的内部对基板进行处理；等离子体生成空间，其形成于所述处理容器的内部；处理空间，其经由分隔板而与所述等离子体生成空间连通；载置台，其设置于所述处理空间的内部，在所述载置台的上表面载置基板；以及升降机构，其使基板在所述载置台上进行升降，其中，在所述处理空间中的基板的等离子体处理中，使用所述升降机构使基板进行升降，来使该等离子体处理中的基板发生电位变化。理中的基板发生电位变化。理中的基板发生电位变化。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理装置


[0001]本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。

技术介绍

[0002]专利文献1中公开了一种基板处理装置，该基板处理装置具有：高频电源，其向处理容器的内部供给高频能量；气体供给源，其向处理容器的内部导入气体；载置台，其用于载置基板；以及分隔板，其将处理容器的内部分隔为等离子体生成空间和基板处理空间。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017
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157778号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开所涉及的技术适当地降低等离子体处理中的基板背面的金属污染。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式是利用基板处理装置来对基板进行处理的方法，基板处理装置具有：处理容器，在所述处理容器内部对基板进行处理；等离子体生成空间，其形成于所述处理容器的内部；处理空间，其经由分隔板而与所述等离子体生成空间连通；载置台，其设置于所述处理空间的内部，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，是利用基板处理装置对基板进行处理的方法，所述基板处理装置具有：处理容器，在所述处理容器的内部对基板进行处理；等离子体生成空间，其形成于所述处理容器的内部；处理空间，其经由分隔板而与所述等离子体生成空间连通；载置台，其设置于所述处理空间的内部，在所述载置台的上表面载置基板；以及升降机构，其使基板在所述载置台上进行升降，其中，在所述处理空间中的基板的等离子体处理中，使用所述升降机构使基板进行升降，来使该等离子体处理中的基板发生电位变化。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，在利用所述升降机构使基板远离了所述载置台的状态下开始进行所述等离子体处理，在该等离子体处理期间，利用所述升降机构使基板下降并将基板载置于所述载置台。3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，紧接在开始所述等离子体处理之后利用所述升降机构使基板下降。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其中，所述升降机构是在相对于所述基板处理装置进行所述基板的搬入和搬出时保持该基板的升降销。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的基板处理方法，其中，利用比构成该载置台的金属材料更具有抗自由基性质的涂敷材料，来至少涂敷所述载置台的用于保持基板的保持面。6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，还利用所述涂敷材料对所述升降机构进行涂敷。7.根据权利要求5或6所述的基板处理方法，其中，所述涂敷材料是从YF3和YOF中选择的至少任一种材料。8.根据权利要求1～7中的任一项所述的基板处理方法，其中，利用至少比构成所述载置台的金属材料更具有抗自由基性质的构成构件，来构成所述升降机构。9.一种基板处理装置，在该基板处理装置的处理容器的内...

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤启，三好秀典，土场重树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：