描述了一种用于使用光发射光谱法(OES)数据作为输入来确定刻蚀工艺端点的方法。OES数据由等离子体刻蚀加工室中的光谱仪获取。首先对获取的随时间演变的光谱数据进行过滤和去平均，并且随后使用诸如主分量分析等多变量分析将该数据变换为经变换的光...

本发明涉及信息处理装置以及基板处理方法。接收部接收包含配方的处理的指示。计算部根据在接收部中接收的配方计算标识符。判断部判断在存储部中是否存储有与计算出的标识符相同的标识符。在判断部中判断为在存储部中存储有相同的标识符的情况下，控制部使...

一种原料气体供给系统，其将使固体原料气化而生成的原料气体向处理装置供给，其中，该原料气体供给系统包括：气化装置，其使所述固体原料气化而生成所述原料气体；送出机构，其从供在溶剂中溶解有所述固体原料的溶液贮存的溶液源向所述气化装置送出所述溶...

本公开涉及一种接合装置，该接合装置具有：第一保持部，其借助粘接有被分割出多个芯片的第一基板的带和装设了所述带的外周的环形框来保持所述第一基板；第二保持部，其以与所述第一基板隔开间隔的方式保持第二基板，所述第二基板以所述第一基板为基准配置...

本发明的基片处理装置包括：从释放口对下方的基片释放处理液的液喷嘴；对液喷嘴的释放口的附近的全周进行拍摄的拍摄部；和控制部，控制部执行：图像获取控制，其获取在拍摄部中拍摄到的液喷嘴的释放口附近的全周的检查图像；和评价控制，其根据液喷嘴的释...

本发明提供一种能够将附着到杯状件的周壁部的异物去除的基板处理装置和基板处理装置的清洗方法。实施方式的一技术方案的基板处理装置包括保持部、处理液供给部、第1杯状件、第2杯状件以及清洗液供给部。保持部用于保持基板。处理液供给部用于向基板供给...

本公开的检查装置(80)的自我诊断方法包括进行配置的工序、进行照射的工序、接受光的工序以及判定光量的异常的工序。进行配置的工序通过使保持重合基板(T)的外周部并设置有具有使光衰减的衰减构件(720)的诊断部(700)的保持部(400)移...

本公开的基板处理装置(1)包括：液处理部(17)、干燥处理部(18)、输送部(16)以及气体供给部(124、35)。液处理部通过对基板(W)进行液处理而使基板的表面润湿。干燥处理部配置在与液处理部不同的位置，用于进行使表面润湿的基板干燥...

提供一种能够以能够对被检查体均等地进行加热的方式对控制指令进行校正的技术。提供一种检查装置的控制方法，该检查装置包括用于放置具有被检查体的基板的台、以及照射光以对所述基板进行加热的多个光源部，该控制方法包括以下步骤：个别地点亮所述多个光...

本发明提供在对多个基片进行串行输送从而进行规定处理时，能够抑制对多个基片的处理结果的偏差的半导体制造装置、基片输送方法和程序。本发明的半导体制造装置具有：用于对多个基片进行所希望的处理的多个处理模块；和用于对多个处理模块串行输送多个基片...

本发明提供能够实现处理容器内的清洁和部件损耗的抑制的等离子体处理装置和等离子体生成方法。等离子体处理装置包括：处理容器；金属窗，其将所述处理容器的内部划分成上部的天线室和下部的处理室，并具有多个部分窗；感应耦合天线，其在所述天线室配置在...

本发明提供加热装置和加热方法，即使在使用输出功率小的电源的情况下，也能够用来自发光元件的光对基片进行加热。加热基片的加热装置包括：支承基片的支承部；和光照射单元，其通过照射光来加热支承于上述支承部的基片，上述光照射单元被设定多个区块，按...

本发明提供能够高精度地进行机械臂的示教的输送装置和机械臂的示教方法。输送装置包括：具有臂和使臂旋转的驱动部的机械臂、第一照射部、第一受光部以及控制装置。控制装置执行步骤a)～步骤c)。在步骤a)中，检测从第一照射部照射的光的第一光路不被...

本公开的一方式的清洁方法具备如下工序：借助排气管向能进行排气的处理容器的内部供给不含氟的含卤素气体，进行清洁的工序；和，在供给前述含卤素气体进行清洁的工序后，向前述处理容器的内部和前述排气管的内部的至少任一者供给含氟气体，进行清洁的工序...

本发明提供分析装置、分析方法、记录介质及等离子体处理控制系统，用于使用在进行等离子体处理的处理空间中测定的时间序列数据组来定量地评价处理空间的状态。分析装置具有：计算部，其将在进行等离子体处理的处理空间中测定的时间序列数据组中的、在作为...

本发明提供一种在具有能够配备多个靶材的阴极单元的成膜装置中执行的成膜方法，其为提高能够配备多个靶材的成膜装置的工作效率的技术，该成膜方法包括：在安装在阴极单元的同一材料的第一靶材和第二靶材之中，按照第一靶材的方案，使用第一靶材进行成膜处...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够对每个产品基板掌握液处理的结果是否良好。本公开的一个方式的基板处理方法包括进行液处理的工序、进行检测的工序、进行生成的工序以及进行判定的工序。在进行液处理的工序中，使用处理单元对基板进行液处...

本公开涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。提供一种基于向边缘环施加的负的直流电压被施加到边缘环的状态下的边缘环的自偏置电压的估计值来调整该直流电压的技术。在公开的等离子体处理装置中，控制部确定在开始从直流电源向边缘环(ER)施加负的...

本发明的涂敷显影装置(1)包括送入送出站(S1)、处理站(S4)、涂敷前清洗部(23)和涂敷后清洗部(54)。送入送出站包括载置收纳有多个基片(W)的盒(C)的盒载置部(11)。处理站包括：涂敷处理部(COT)，其对基片的正面进行涂敷抗...

本发明涉及处理装置和处理方法。提供一种能够控制基板上的反应活性种的浓度分布的技术。本公开的一技术方案的处理装置包括：大致圆筒形状的处理容器；处理气体喷嘴，其沿着所述处理容器的侧壁的内侧在该处理容器的长度方向上延伸设置；排气构造体，其与所...