本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。接合装置包括第一保持部、第二保持部以及移动机构。所述第一保持部用于从所述第一基板的上方保持所述第一基板。所述第二保持部用于从所述第二基板的下方保持所述第二基板。所述移动机构用于使所述第一保持部与...

本发明提供能够以短间隔且均匀性高地对基片实施低损伤的ALD处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。该等离子体处理装置包括：腔室，其具有对基片实施等离子体处理的处理空间和合成电磁波的合成空间；分隔处理空间和合成空间的电介质窗；天线组件，...

本发明提供成膜装置和具有含硅膜的部件的制造方法。抑制氧化地进行成膜。排气部将腔室内减压到预定的真空度。保持部配置于腔室内，保持成膜对象构件。供给部向成膜对象构件的表面供给含有硅的成膜材料。热源能够在预定的真空度中进行加热，将供给来的成膜...

提供一种提高输送精度的基板输送系统的控制方法和基板输送系统。一种基板输送系统的控制方法，基板输送系统包括：输送机构，其具有保持基板的保持部，输送机构用于输送基板；以及测量部，其对由输送机构输送的基板的外缘进行检测，并对基板的中心位置进行...

提供了一种在基片上形成膜的方法，该基片包括蚀刻层和在蚀刻层上形成的掩模。该方法包括：(a)在反应室中，将基片暴露于前体，以在蚀刻层中的凹槽的至少侧壁上设置前体粒子；(b)向反应室供应抑制剂气体和改性气体，以生成等离子体；以及(c)当在反...

本发明提供使硅膜适当地结晶并使结晶成长的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法是一种通过热处理使硅膜结晶并使结晶成长的基片处理方法，其包括：在进行热处理前，保持形成有硅膜的基片的保持工序；和附着工序，其通过对在保持工序中保持的基片供给...

一种基板处理装置，具有：液处理部，其包括将基板水平地保持的基板保持部以及从被所述基板保持部保持的状态的所述基板的上方对该基板供给处理液的液供给部；液制作部，其制作在所述液处理部中使用的处理液；以及控制部，其控制所述液供给部和所述液制作部...

实施方式所涉及的接合装置(41)具备保持部(111、211)、变形部(114、213)以及控制部(70a)。保持部(111、211)保持要被接合的基板(W1、W2)。变形部(114、213)使被保持于保持部(111、211)的基板(W1...

本披露内容涉及用于通过放大和控制z高度技术来平坦化衬底的技术和方法。可以针对每个器件对z高度的可变性进行建模或测量。然后可以在衬底上形成和加工相对高度图案。通过使用具有不同蚀刻速率的不同材料，可以将平坦化图案转移到该衬底或系统来形成平坦...

本发明提供对基片进行处理的基片处理装置，其包括：对基片进行热处理的热处理部；拍摄基片的拍摄部；和控制部，所述控制部构成为执行用于调节对基片的处理的条件的调节处理，所述调节处理包括：曝光前拍摄步骤，控制所述拍摄部，拍摄形成有抗蚀剂膜的未曝...

在多个晶体管平面上进行晶体管类型集合的微制造，其中，HV(高压晶体管)和LV(低压晶体管)堆叠体都设计在单个衬底上。由于高压晶体管需要更高的漏极

本公开涉及基板处理装置、研磨头和基板处理方法。提供一种有效地去除堆积于基板的周缘部的不需要的膜等牢固的附着物的技术。基板处理装置包括：保持部、旋转部、研磨头以及保持件。所述保持部保持在周缘部具有斜面和端面的基板。所述旋转部使所述保持部旋...

在某些实施例中，一种用于处理衬底的方法包括：将表面处理施加到衬底的选定表面。衬底具有不平坦形貌，该不平坦形貌包括限定凹部的结构。该方法进一步包括：通过旋涂沉积将填充材料沉积在衬底上。表面处理将填充材料引导到凹部和引导远离选定表面，以用填...

本实用新型提供喷嘴单元和液处理装置。使基板面内的温度分布的均匀性提高。本公开的一技术方案所涉及的喷嘴单元是一种对基板施加使用了溶液的液处理的液处理装置用的单元。该喷嘴单元包括气体喷嘴，该气体喷嘴具有：喷出流路，其供气体流通；以及喷出口，...

本披露内容涉及一种用于调整衬底上膜的应力过渡的方法。该方法包括：在该衬底上形成应力调节层，其中，该应力调节层包括由第一材料形成的第一区域以及由第二材料形成的第二区域，其中，该第一材料包括第一内应力，而该第二材料包括第二内应力，并且其中，...

本发明的温度控制装置进行温度控制对象物的温度控制，并包括：加热机构，其具有对温度控制对象物进行加热的加热源；温度测量器，其测量温度控制对象物的附近温度；温度推算部，其利用对加热源供给的功率、对温度控制对象物供给的功率和附近温度，动态地推...

一种处理装置，具备：保持部，其保持处理对象体；改性部，其向处理对象体的内部照射激光，来沿面方向形成多个聚光点；移动机构，其使保持部和改性部在水平方向上相对地移动；旋转机构，其使保持部和改性部相对地旋转；以及控制部，其控制在处理对象体形成...

一种处理装置，对处理对象体进行处理，所述处理装置具备：改性部，其向所述处理对象体的内部照射激光，来沿面方向形成多个改性层；以及控制部，其至少控制所述改性部的动作，其中，所述控制部控制所述改性部，以形成周缘改性层、第一内部面改性层以及第二...

一种处理装置，对处理对象体进行处理，所述处理装置具备：保持部，其保持所述处理对象体；保持部移动机构，其使所述保持部沿水平方向移动；改性部，其向所述处理对象体的内部照射激光，来螺旋状地形成多个内部面改性层；改性部移动机构，其使所述改性部沿...

一种处理装置，对处理对象体进行处理，所述处理装置具备：保持部，其保持所述处理对象体；改性部，其向所述处理对象体的内部照射激光，来沿面方向形成多个内部面改性层；以及控制部，其控制对所述处理对象体形成所述内部面改性层的形成动作，其中，所述控...