基板处理装置具有：保持部(31)，其用于保持在表面形成有膜的基板；摄像部(33)，其拍摄保持于保持部(31)的所述基板的表面来获取图像数据；分光测定部(40)，其将来自保持于保持部(31)的所述基板的表面的光进行分光来获取分光数据；以及...

提供一种对基片进行检查的基片检查装置，包括：取得部，其基于图像估计模型和经基片处理装置处理前的检查对象基片的拍摄图像，取得经所述基片处理装置处理后的所述检查对象基片的估计图像，其中，所述图像估计模型是使用多个基片各自的经所述基片处理装置...

本发明提供一种等离子体处理方法以及等离子体处理装置，能够减少反应生成物向载置台的载置面的附着。等离子体处理方法包括以下工序：将基板搬入处理容器内并载置于处理容器内的载置台的载置面上；在处理容器内将第一气体等离子体化，由此对基板执行等离子...

本公开涉及基板处理装置和研磨头。提供一种有效地去除堆积于基板的周缘部的不需要的膜等牢固的附着物的技术。基板处理装置包括：保持部、旋转部、研磨头以及保持件。所述保持部保持在周缘部具有斜面和端面的基板。所述旋转部使所述保持部旋转。所述研磨头...

本发明提供一种温度传感器和等离子体处理装置，能够提供能使在生成等离子体时产生的高频噪声减少的技术。本公开的一个方式的温度传感器是测定用于进行等离子体处理的处理容器内的温度的温度传感器，所述温度传感器具有：热电偶，其在所述处理容器内具有测...

本发明提供一种显示方法和基板处理装置。该显示方法用于显示表示与基板处理有关的信息的多个参数，包括以下工序：获取以预先设定的周期进行采样得到的多个所述参数的测定值、以及与所述测定值的采样时间有关的信息；基于与所述测定值的采样时间有关的信息...

本发明提供一种提高被检查体的温度均匀性的检查装置和检查装置的控制方法。本发明的检查装置包括：用于载置具有被检查体的基板的载置台；具有对所述被检查体供给电流的探针的探针卡；照射光来加热所述基板的光照射机构；和所述控制部执行如下步骤：利用来...

本发明提供能够在等离子体处理中恰当地控制基片的边缘区域的倾斜角度、并抑制基片与边缘环之间的放电的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：腔室；设置在腔室内部的载置台，其具有电极、设置在电极上的静电卡盘、和以包围被载置在...

本发明提供一种抑制颗粒的产生的蚀刻处理装置、石英构件以及等离子体处理方法。一种蚀刻处理装置，其具备：载置基板的载置台；收容上述载置台的腔室；在上述腔室内生成等离子体的等离子体生成部以及配置于生成上述等离子体的空间的环状的石英构件，上述石...

提供一种能够延长干式清洗周期的技术。根据本公开的一个实施方式的等离子体处理装置包括：处理容器，具有在侧壁上形成有开口的筒体状，并且多级地容纳多个基板；等离子体区划壁，气密地设置在所述处理容器的侧壁上，并且覆盖所述开口并对等离子体生成空间...

所公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、等离子体生成部、第1电源及第2电源。基板支承器具有下部电极，并且设置于腔室内。第1电源构成为产生电偏置，并且与下部电极电连接。第2电源构成为：在从第1电源输出至下部电极的电偏置在其周期内具有...

描述了一种用于干式去除微电子工件上的材料的方法。该方法包括接收衬底，该衬底具有暴露金属层的工作表面并且具有至少一种暴露于该金属层或在该金属层下方的其他材料；以及通过将该衬底暴露于含有无水卤素化合物的受控气相环境，相对于该其他材料有差别地...

本实用新型涉及基板处理装置。提供一种能够针对基板处理装置减小占地面积的技术。对于包含处理模块的基板处理装置，该处理模块设有分别对基板进行液处理的多个液处理组件，其中，基板输送模块设于处理模块的左侧。基板输送模块具有：容器载置部，其供用于...

本实用新型提供一种基板处理装置。提供能够针对该基板处理装置缩小占地面积的技术。对于包括设有分别对基板进行液处理的多个液处理组件的处理模块的基板处理装置，将基板输送模块设于处理模块的左侧。基板输送模块具备供用于收纳多个基板的容器载置的容器...

本发明提供有选择地且高效地蚀刻氧化硅和氮化硅的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置包括控制部，其执行以下步骤，即：在腔室内准备被加工物的步骤；在被加工物的温度被设定为第一温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子...

本公开涉及一种基板处理方法。基板处理方法包括以下工序：液膜形成工序，一边使旋转台以第一速度旋转，一边向基板的中心部供给药液，由此使得基板的表面的整体被具有第一厚度的药液的液膜覆盖；液膜厚度调整工序，在液膜形成工序之后，一边使旋转台以比所...

本发明提供能够以简单的构造抑制从高温的基板向真空密封部、机构部的热的影响的真空输送装置和基板处理系统。在真空中输送高温的基板的真空输送装置包括：主体部，其包括真空密封部和在内部具有机构部的臂部；基板保持部，其与所述主体部连接，用于保持基...

本公开提供一种基板脱离方法和等离子体处理装置，抑制对基板的静电吸附力的下降。是使通过对被埋设于处理容器的内部的静电吸盘的吸附电极施加直流电压而被静电吸附的基板从所述静电吸盘脱离的方法，所述基板脱离方法包括以下工序：在被实施等离子体处理后...

本发明提供能够抑制对基片的离子冲击的同时高效地生成等离子体来进行等离子体处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置对基片实施等离子体处理，其包括：处理容器；设置在处理容器内的能够载置基片的基片载置台；基片载置台所包含的接...

本发明提供一种可提高基片的温度调节的响应性的检查装置。本发明的检查装置包括：能够载置基片的载置台；冷却部，其对载置在所述载置台上的所述基片进行冷却；探针卡，其具有与所述基片接触来进行供电的探针；光照射机构，其对所述基片的与载置面相反的面...