等离子体处理装置及等离子体处理方法制造方法及图纸

提供一种能够延长干式清洗周期的技术。根据本公开的一个实施方式的等离子体处理装置包括：处理容器，具有在侧壁上形成有开口的筒体状，并且多级地容纳多个基板；等离子体区划壁，气密地设置在所述处理容器的侧壁上，并且覆盖所述开口并对等离子体生成空间进行界定；第一等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力；以及第二等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力。并且被施加RF电力。并且被施加RF电力。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置及等离子体处理方法


[0001]本公开涉及一种等离子体处理装置及等离子体处理方法。

技术介绍

[0002]已知一种技术，其在反应管的外侧以面对用于产生等离子体的区域的方式布置一对颗粒收集用电极，并在成膜周期中，以与置换工序并行的方式对颗粒收集用电极施加正的直流电压(例如参见专利文献1)。
[0003]<现有技术文献>
[0004]<专利文献>
[0005]专利文献1：日本特开2015
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167157号公报

技术实现思路

[0006]<本专利技术要解决的问题>
[0007]本公开提供一种能够延长干式清洗周期的技术。
[0008]<用于解决问题的手段>
[0009]根据本公开的一个实施方式，提供一种等离子体处理装置，包括：处理容器，具有在侧壁上形成有开口的筒体状，并且多级地容纳多个基板；等离子体区划壁，气密地设置在所述处理容器的侧壁上，并且覆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，包括：处理容器，具有在侧壁上形成有开口的筒体状，并且多级地容纳多个基板；等离子体区划壁，气密地设置在所述处理容器的侧壁上，并且覆盖所述开口并对等离子体生成空间进行界定；第一等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力；以及第二等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述第二等离子体电极对在所述处理容器的径向上与所述第一等离子体电极对相邻地布置。3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，所述第二等离子体电极对以与所述第一等离子体电极对之间空出3mm～10mm的距离的方式布置。4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述第二等离子体电极对的电极之间的距离与所述第一等离子体电极对的电极之间的距离相同。5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述第二等离子体电极对的各电极的面积与所述第一等离子体电极对的各电极的面积不同。6.根据权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，还包括：RF电源，向所述第一等离子体电极对和所述第二等离子体电极对施加RF电力；以及切换部，对所述RF电源与所述第一等离子体电极对和所述第二等离子体电极对的连接状态进行切换。7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，所述切换部包括继电器电路。8.根据权利要求1至7中任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：松浦广行，安藤武，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：