本发明提供一种成膜方法和成膜装置，用于检测在形成有包括凹部的图案的基板上成膜出的膜的状态。在第一测定工序中，通过红外光谱法来测定形成有包括凹部的图案的基板。在成膜工序中，在第一测定工序之后，对基板进行膜的成膜。在第二测定工序中，在成膜工...

本发明涉及气体喷嘴、基板处理装置以及基板处理方法。本发明提供一种能够抑制气体喷嘴顶端的气体滞留的技术。本公开的一个方式的气体喷嘴是沿着大致圆筒形状的处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸的气体喷嘴，所述气体喷嘴具有：多个第1气体孔，其沿着长...

本发明提供能够减少所占空间的收纳装置、基片处理系统和消耗部件的输送方法。收纳装置包括载置台、传感器、旋转部、收纳部和升降部。载置台载置消耗部件。传感器检测消耗部件的方向。旋转部基于由传感器检测出的消耗部件的方向，使消耗部件向规定的方向旋...

本发明提供接触解除方法和检查装置，在将探针按压在基片上使二者接触来进行基片检查时，无需降低按压力就能够防止解除接触时产生较长的接触痕。该方法用于在对基片进行检查的检查装置中解除检查用的探针与基片之间的接触，在探针按压于基片而与之接触的状...

本发明提供检查装置和检查方法，能够以简易的结构除去检查室内的晶片的热量。检查装置包括：排列有多个检查室的多层的检查室排，上述检查室能够收纳用于检查吸盘顶部之上的被检查体的测试器；供给致冷剂气体的致冷剂供给部；和控制部，上述致冷剂供给部具...

本发明提供能够抑制供给配管内的腐蚀，并且更安全地将处理腔室大气开放的基片处理装置和气体供给配管的吹扫方法。基片处理装置包括处理腔室、气体供给配管、处理气体配管、吹扫气体配管和连动开放部。处理腔室是在内部能够用腐蚀性的处理气体对基片实施处...

本发明提供一种能够使形成在基片上的覆膜的去除宽度的调节变得快速的基片处理装置、基片处理的推断方法和存储介质。基片处理装置包括：周缘去除部，其去除形成在基片的表面上的覆膜的周缘部分；分布获取部，其获取表示基片的周向上的位置与基片中被去除了...

本发明的课题在于提供一种导热良好，线膨胀系数低，并且分量轻的载置台。作为解决本发明课题的方法为提供一种载置台，其具有：由密度为5.0g/cm3以下的材料形成的第1构件；与上述第1构件接合，由线膨胀系数为5.0

本发明要解决的技术问题是，防止因功能液中的溶质凝集并附着在与接收从释放头释放的功能液的液体接收部连接或者对释放头内的功能液进行抽吸的排液管上，而导致功能液的抽吸性能、排出性能受损。本发明提供液体排出装置和液体排出方法。本发明的液体排出装...

示例性实施方式所涉及的执行装置具备动作装置、第1加速度传感器、第2加速度传感器及控制装置。动作装置执行规定动作。第1加速度传感器检测沿水平方向的第1方向上的加速度。第2加速度传感器检测沿水平方向的与第1方向相交的第2方向上的加速度。控制...

本发明提供边缘环和等离子体处理装置。抑制反应产物在载置处理对象体的载置台中附着于载置面的周缘部。一种边缘环，其以包围在载置台的载置面载置的处理对象体的方式设于所述载置台，其中，该边缘环包括：第1环部，其在低于所述载置面的位置具有表面；以...

一种基板处理方法，其对在表面形成有器件的处理对象基板进行处理，其中，该基板处理方法具有以下步骤：准备对器件基板进行分离而得到的具有器件侧的第1分离基板和不具有器件侧的第2分离基板中的所述第2分离基板；以及将所述第2分离基板再利用地与处理...

本公开涉及基板排列装置和基板输送装置。提供一种针对基板的每个处理以适当的基板的间距处理基板的技术。基板排列装置对多个基板进行排列。基板排列装置包括移动机构、控制部和多个保持部。多个所述保持部沿所述基板的排列方向排列，彼此保持不同的所述基...

本发明提供一种等离子体处理装置，其在进行偏置电功率的大小的切换的等离子体处理中，抑制形成在被处理基片上的倾斜。等离子体处理装置包括：基座，能够被施加在对被处理基片进行等离子体处理期间中能够切换大小的偏置电功率；静电卡盘，其设置在基座上，...

将第一基板与第二基板进行接合的接合装置具有：第一保持部，其保持所述第一基板；第二保持部，其保持所述第二基板，所述第二保持部与所述第一保持部相向地配置；两个摄像单元，两个所述摄像单元具备第一摄像部和第二摄像部，所述第一摄像部拍摄在所述第一...

一种用于相对于氮化硅选择性蚀刻氧化硅的方法包括：将衬底暴露于第一气体，该第一气体在氧化硅膜上形成第一层并且在氮化硅膜上形成第二层，其中该第一气体含有硼、铝、或硼和铝二者；将该衬底暴露于含氮气体，该含氮气体与该第一层反应在该氧化硅膜上形成...

将第一基板与第二基板进行接合的接合装置具有：第一保持部，其保持所述第一基板；第二保持部，其保持所述第二基板，所述第二保持部与所述第一保持部在铅垂方向上相向地配置；处理容器，其用于收容所述第一保持部和所述第二保持部；以及水平位置调整部，其...

本公开提供一种成膜装置和成膜方法，能够进行抑制了微粒的影响的成膜。在基板上形成膜的成膜装置具有：腔室；基板载置台，其设置于腔室内，载置基板并且将基板保持为成膜温度；气体供给部，其供给包含成膜原料气体的气体；气体喷出构件，其与基板载置台相...

本发明提供一种蚀刻方法和基板处理装置。蚀刻方法包括：工序(a)，将形成有具有第一钛膜和铝膜的层叠膜的基板配置在处理室内；工序(b)，一边追随处理室内或排气管内的压力的变化地对压力控制阀的开度进行自动控制，一边借助掩模来蚀刻第一钛膜；工序...

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。提供如下技术：将基板用拒水剂拒水化，抑制基板的凹凸图案的倒塌、另外抑制拒水剂所导致的颗粒的发生。基板处理方法包括下述(A)～(E)。(A)将附着有处理液的基板搬入至处理容器的内部。(B)对前述搬入后...