本发明提供抑制基板变形的基板载置方法和基板载置机构。其具有：设于载置区域的角部的第1升降销、设于载置区域的短边中央部的第2升降销、设于载置区域的长边中央部的第3升降销、以及设于载置区域的表面中央部的第4升降销，该基板载置方法具有如下工序...

本发明提供基片处理装置和基片处理装置的控制方法，在等离子体处理装置中，能够相对于吸引用的高频电功率调整以高功率对等离子体供给等离子体产生用的高频电功率的时刻。基片处理装置包括：载置基片的基片载置台；第一高频电源，其对上述基片载置台供给第...

本发明提供一种基板的处理方法和基板处理装置，能够抑制掩模图案的偏差并且改善生产率。包括以下工序：工序(a)，将在蚀刻对象膜之上具有掩膜的基板提供至载置台；工序(b)，利用包括第一气体和第二气体且所述第一气体相对于所述第二气体的流量比(R...

本发明提供一种校正方法和等离子体处理装置，用于导出从开始向腔室供给处理气体起至处理气体到达腔室内为止的到达时间。校正方法包括以下工序：开始检测腔室的阻抗，在该腔室的内部设置有用于载置基板的载置台；开始向腔室供给处理气体；以及根据检测到的...

一种方法包括提供衬底，该衬底包括由第一材料制成并且定位于下层上的芯棒。这些芯棒中的每一个包括第一侧壁和相反的第二侧壁。该方法进一步包括形成侧壁间隔物，这些侧壁间隔物由第二材料制成并且包括邻接每个相应的第一侧壁的第一侧壁间隔物和邻接每个相...

一种用于在裸片级标记半导体衬底以提供唯一认证和序列化的方法，该方法包括：使用基于掩模的光刻法将第一图案的光化辐射投射到该衬底上的光刻胶层上，该第一图案限定半导体器件结构；以及使用直写式投射将第二图案的光化辐射投射到该光刻胶层上，该第二图...

一种激光加工装置，其中，该激光加工装置包括：保持部，其保持基板，该基板包含基底基板、在所述基底基板的主表面形成的凹凸图案以及模仿所述凹凸图案地形成的凹凸层；照射部，在利用所述保持部保持着所述基板的状态下，该照射部向所述凹凸层的凸部照射激...

描述了一种用于相对于氮化硅选择性等离子体蚀刻氧化硅的方法。该方法包括提供含有氧化硅膜和氮化硅膜的衬底，以及通过以下方式相对于该氮化硅膜选择性蚀刻该氧化硅膜：a1)将该衬底暴露于含有碳、硫或碳和硫两者的等离子体激发的钝化气体，其中该等离子...

本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够一边抑制施加到基片整体的等离子体的特性的偏移，一边对边缘环施加直流电压。等离子体处理方法包括：步骤(a)，在腔室的内部生成等离子体；步骤(b)，在生成上述等离子体时，对包围基片周围的边缘...

本发明提供一种等离子体处理装置中的等离子体处理方法，所述等离子体处理装置包括腔室、用于在所述腔室内载置基片的载置台、用于辐射多个电磁波的多个辐射部、和配置在多个所述辐射部与所述载置台之间的电介质窗，所述等离子体处理方法的特征在于，包括：...

本发明提供状态判断装置、状态判断方法和计算机可读取的存储介质，判断构成为能够在基片处理装置中保持基片并且使之动作的驱动机构的状态。该状态判断装置包括：构成为能够获取驱动机构的动作数据的获取部；模型生成部，其构成为能够基于正常动作数据，执...

本发明提供一种等离子体处理装置。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至...

本发明提供一种基板处理装置、载置台以及温度控制方法，能够控制载置台的变形。基板处理装置具有用于载置基板的载置台，所述载置台具有：第一板；第一温度调节机构，其控制所述第一板的温度；第二板，其配置于所述第一板的下部；第二温度调节机构，其控制...

本发明提供一种基板处理方法及等离子体处理装置。本发明的示例性实施方式的基板处理方法包括向等离子体处理装置的腔室内提供基板的工序。基板具有含硅膜及设置于含硅膜上的掩模。基板处理方法还包括将载置基板的基板支撑体的温度控制为0℃以下的工序。基...

本发明增加处理系统的工作时间。处理系统包括真空输送组件、多个处理组件、多个负载锁定组件、多个大气输送组件。真空输送组件在比大气压低的压力气氛下输送基片。多个处理组件与真空输送组件连接，用于处理基片。多个负载锁定组件与真空输送组件连接。多...

本发明提供能够削减半导体装置的制造中的系统的设置面积的部件更换系统和部件更换装置。进行消耗部件的更换的部件更换系统包括部件收纳装置和部件更换装置。部件收纳装置收纳使用前的消耗部件。部件更换装置与处理装置和部件收纳装置连接，能够将安装于该...

本发明提供一种对基片进行蚀刻的装置，其包括：腔室；基片支承体，其设置在所述腔室的内部，具有电极、设置在所述电极上的静电吸盘和以包围载置在所述静电吸盘上的基片的方式配置的导电性的边缘环；高频电源，其供给用于从所述腔室的内部的气体生成等离子...

本发明提供一种基片处理装置，其能够抑制从基片流出的处理液沿着抓持机构和基座板而到达驱动部。本发明的基片处理装置包括抓持机构和基座板。抓持机构抓持基片的周缘部。基座板位于被抓持机构抓持的基片的下方，用于支承抓持机构。此外，基座板包括液排放...

本披露涉及一种使用传输天线进行VHF等离子体加工的等离子体加工系统，该传输天线被设计为在用于制造半导体器件的等离子体加工室内部实现谐振VHF驻波。该系统包括传输元件，该传输元件能够电磁耦合到连接到电源的传入电力线。该传输元件、电力传输线...

本实用新型提供一种接合系统，抑制形成于基板的表面的布线发生不良情况。基板输送装置输送第一基板和第二基板。改性处理装置对第一基板的表面和第二基板的表面中的一方或双方进行改性。湿处理装置对第一基板的表面和第二基板的表面中的一方或双方进行湿处...