等离子体处理方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够一边抑制施加到基片整体的等离子体的特性的偏移，一边对边缘环施加直流电压。等离子体处理方法包括：步骤(a)，在腔室的内部生成等离子体；步骤(b)，在生成上述等离子体时，对包围基片周围的边缘环施加直流电压；步骤(c)，在施加上述直流电压时获取上述边缘环的第一电压；步骤(d)，停止施加上述直流电压；步骤(e)，在停止施加上述直流电压时获取上述边缘环的第二电压；和步骤(f)，基于上述第一电压和上述第二电压计算上述直流电压的控制用的参数。用的参数。用的参数。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理方法和等离子体处理装置


[0001]本专利技术涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]例如，专利文献1、2公开了在载置于载置台的基片的周围设置边缘环，对边缘环施加直流电压的等离子体处理装置。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2007
‑
258417号公报
[0006]专利文献2：日本特开2019
‑
145729号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术问题
[0008]本专利技术提供一种技术，能够一边抑制施加到基片整体的等离子体的特性的偏移(shift)，一边对边缘环施加直流电压。
[0009]用于解决技术问题的技术方案
[0010]依照本专利技术的一个方式，提供一种等离子体处理方法，其包括：步骤(a)，在腔室的内部生成等离子体；步骤(b)，在生成上述等离子体时，对包围基片周围的边缘环施加直流电压；步骤(c)，在施加上述直流电压时获取上述边缘环本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：步骤(a)，在腔室的内部生成等离子体；步骤(b)，在生成所述等离子体时，对包围基片周围的边缘环施加直流电压；步骤(c)，在施加所述直流电压时获取所述边缘环的第一电压；步骤(d)，停止施加所述直流电压；步骤(e)，在停止施加所述直流电压时获取所述边缘环的第二电压；和步骤(f)，基于所述第一电压和所述第二电压计算所述直流电压的控制用的参数。2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：包括步骤(g)，基于所述参数决定施加到所述边缘环的所述直流电压的值。3.如权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：所述步骤(f)中，计算所述第一电压与所述第二电压的差除以所述第二电压而得的值作为所述参数。4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：包括步骤(h)，基于所述边缘环的消耗量或表示所述消耗量的指标，设定参数的初始值，所述步骤(f)中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：高良穣二，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：