本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够以高选择比且高蚀刻速率来蚀刻硅。基板处理方法是基板处理装置中的基板处理方法，并且包括以下工序：提供具有仅由硅构成的第一膜和含硅的第二膜的基板；以及通过由混合气体生成的等离子体来对第一膜进行蚀...

本公开涉及一种液处理装置的运转方法和液处理装置，在使向基板供给处理液来对基板进行处理的液处理装置运转时，可靠且迅速地进行构成装置的流路系统的清洗。实施以下工序：处理工序，利用设置于包括供给路径的流路系统的泵使处理液从处理液供给源向设置有...

本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：能够收纳多个基片的腔室；设置在所述腔室的内部的用于支承各基片的多个基片支承台；多个高频电源，其与所述多个基片支承台对应地设置，对该基片支承台供给高频电功率；和多个屏蔽件，其以划分所...

本发明提供载置台和基板处理装置。抑制基板的处理中的环境控制的精度的降低。载置台包括载置部、基台、电路板、温度调整部。载置部用于载置基板。基台配置于载置部下，在内部形成有空间。电路板配置于基台的空间内，搭载有电子电路。温度调整部对电路板的...

本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够在防止氮化硅的劣化的同时对氧化硅进行蚀刻。所述蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，准备具有由氧化硅形成的第一区域和由氮化硅形成的第二区域的基板；工序(b)，使所述基板暴露在包含碳氟化合物气体的...

本发明能在闸门开放时抑制颗粒的飞扬并能抑制残留气体向气体扩散室的侵入。基片处理方法包括：在由开闭装置进行了阻隔的状态下，从第1气体供给部供给处理气体对基片实施处理的工序；一边从第1气体供给部以第1气体流量供给第1吹扫气体一边排气，将处理...

本发明涉及基板处理装置和清洁方法。提供一种能够选择性地清洁喷射器的内部的技术。本公开的一个方式的基板处理装置具有：处理容器，其容纳基板；喷射器，其包括第1连接口和第2连接口，内部与所述处理容器内连通；排气管，其供所述处理容器内排气；原料...

本发明提供能够进行比气体切换方式高速且高选择比的蚀刻的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法具有：步骤a，向配置有载置台的处理容器中供给包含碳氟化合物和稀有气体的处理气体，其中，在载置台载置有包含由氧化硅构成的第一区域的被处理体；步骤...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够高效地蚀刻基板上的贵金属膜。本公开的一个方式的基板处理装置具备基板旋转部、处理液供给部、阳极及阴极、以及控制部。基板旋转部保持基板并且使该基板旋转。处理液供给部向被基板旋转部保持的基板供给处...

本发明提供一种基板处理系统、基板处理方法以及控制装置，能够更有效地抑制处理结果的变动。基板处理系统具有对基板进行处理的处理模块、向处理模块重复搬送多个基板的搬送机构、以及控制处理模块中的对基板的处理的控制装置。控制装置用于基于工艺制程来...

本发明提供能够实现清扫作业的缩短化和自动化的清扫装置和半导体制造系统。用于清扫半导体制造装置(2)的对象面的自主移动式的清扫装置(3)包括：主体(31)；吸附部(34)，其构成为在对象面为倾斜面的情况下，能够使主体(31)吸附在倾斜面；...

本发明提供一种多个腔室压力传感器的校准方法。在基板处理系统的多个腔室压力传感器的校准方法中，基板处理系统具备多个腔室和多个腔室压力传感器，所述多个腔室压力传感器以分别测定多个腔室内的压力的方式设置。通过针对全部的腔室压力传感器将通过腔室...

提供一种边缘环及等离子体处理装置，该边缘环的耐等离子体性得到提高。该边缘环由包含碳化硼和碳化硅的材料构成，所述材料中含有的碳化硼的含量比为30％～50％。碳化硼的含量比为30％～50％。碳化硼的含量比为30％～50％。

一种蚀刻方法，包括:a工序，在腔室内的载置台上提供基板，基板具有包括第一含硅材料的第一区域以及包括第二含硅材料的第二区域；b工序，对第一区域进行蚀刻直至第二区域露出或者第二区域即将露出；c工序，通过使基板暴露于使用第一RF信号由包括碳原...

本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用...

本发明提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置(10)具备腔室(11)、气体供给源(44)、天线(54)以及多个保持部(55)。腔室(11)在内部具有空间，利用在空间内生成的等离子体对被搬入到空间内的半导体晶圆(W)进行处理。气体供给...

本发明提供一种控制系统、控制方法以及基板处理装置，能够恰当地对装置进行操作。控制对基板进行处理的基板处理装置的控制系统具有：第一终端和第二终端，所述第一终端和所述第二终端配置于与所述基板处理装置相同的场所，从用户处接受针对所述基板处理装...

本发明的目的在于提供能够恰当地蚀刻在晶片形成的含硼硅膜的技术，本发明的一个方式的基片处理方法包括保持工序、供给的工序和蚀刻工序，保持工序保持形成有含硼硅膜的基片，供给工序向所保持的基片供给含有氢氟酸和硝酸的氧化水溶液，蚀刻工序利用氧化水...

本发明提供一种在检查部的基片与探针卡之间，与检查部的基片的翘曲相应地伸缩从而能够确保电连接的伸缩块。本发明的伸缩块包括：导体，其具有：用于与检查部的基片的端子连接的第1端子；用于与探针卡的端子连接的第2端子；和将上述第1端子与上述第2端...

本发明提供能够高精度地检测异常的异常检测装置和异常检测方法。第1生成部生成在正常图像数据的图像的随机位置合成了大致圆形的图像的模拟异常图像数据，其中该正常图像数据是拍摄具有液体供给部并从液体供给部正常地供给液体的设备而得的数据。第2生成...