【技术实现步骤摘要】
液处理装置的运转方法和液处理装置
[0001]本公开涉及一种液处理装置的运转方法和液处理装置。
技术介绍
[0002]在半导体器件的制造工序中,使用液处理装置对作为基板的半导体晶圆(下面记载为晶圆)供给各种处理液来对半导体晶圆进行液处理。作为液处理的一例,有向晶圆供给抗蚀剂等处理液来形成涂布膜的处理。为了防止异物与处理液一起被供给到晶圆,要求构成液处理装置的配管系统保持干净。在专利文献1中示出有构成为利用多种药液来清洗配管的涂布装置。在专利文献2中示出了利用含有特定的成分的药液来对液处理装置的配管进行清洗的方法。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本特开2005
‑
131637号公报
[0006]专利文献2:日本特开平6
‑
320128号公报
技术实现思路
[0007]专利技术要解决的问题
[0008]本公开提供一种在使向基板供给处理液来对基板进行处理的液处理装置运转时能够可靠且迅速地进行构成装置的流路系统的清洗的技术。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]本公开的液处理装置的运转方法包括以下工序:
[0011]处理工序,利用设置于包括供给路径的流路系统的泵使处理液从处理液供给源向设置有过滤器的所述供给路径的下游侧流通,使处理液从形成所述供给路径的下游端的供给部供给到基板来对该基板进行处理;
[0012]清洗工序,向所述流路系统供给清洗液来清洗该流 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种液处理装置的运转方法,其特征在于,包括以下工序:处理工序,利用设置于包括供给路径的流路系统的泵使处理液从处理液供给源向设置有过滤器的所述供给路径的下游侧流通,使处理液从形成所述供给路径的下游端的供给部供给到基板来对该基板进行处理;清洗工序,向所述流路系统供给清洗液来清洗该流路系统;以及供给路径清洗工序,包括在所述清洗工序中,在所述供给路径中的流体的压力损失比所述处理工序中的该压力损失低的清洗用状态下从该供给路径的上游侧向下游侧供给所述清洗液,来清洗该供给路径。2.根据权利要求1所述的液处理装置的运转方法,其特征在于,所述清洗工序包括在进行所述处理工序之前进行的异常消除工序中,所述异常消除工序包括在所述清洗工序之后向所述流路系统供给吹扫气体来吹扫流路的清洗液吹扫工序,该清洗液吹扫工序包括从处于所述清洗用状态的所述供给路径的上游侧向下游侧供给所述吹扫气体的工序。3.根据权利要求1所述的液处理装置的运转方法,其特征在于,所述清洗工序包括在进行所述处理工序之前进行的异常消除工序中,所述异常消除工序还包括以下工序:解除工序,解除所述清洗用状态;处理液填充工序,在所述解除工序之后进行该处理液填充工序,从所述处理液供给源向所述流路系统供给所述处理液来填充所述处理液;以及处理液吹扫工序,在所述处理液填充工序之后进行该处理液吹扫工序,利用所述泵使所述处理液以比所述处理工序中的所述处理液的流速低的流速从所述供给路径的上游侧向下游侧流通后从所述供给部排出。4.根据权利要求3所述的液处理装置的运转方法,其特征在于,所述处理液填充工序包括使所述处理液以比所述处理液吹扫工序中的流速高的流速在所述流路系统中流通的工序。5.根据权利要求3所述的液处理装置的运转方法,其特征在于,所述异常消除工序还包括加压工序,该加压工序在所述处理液吹扫工序之后进行,使所述泵以比所述处理工序中的喷出压力大的喷出压力进行动作,来使所述处理液从所述供给路径的上游侧向下游侧流通后从所述供给部排出。6.根据权利要求5所述的液处理装置的运转方法,其特征在于,所述异常消除工序还包括在所述处理液吹扫工序之后判定所述流路系统中的所述处理液有无异常的判定工序,基于所述判定工序的判定结果来进行所述加压工序。7.根据权利要求6所述的液处理装置的运转方法,其特征在于,所述判定工序包括以下工序:拍摄所述供给部中的所述处理液来获取图像数据;以及基于该图像数据来进行有无异常的所述判定。8.根据权利要求3所述的液处理装置的运转方法,其特征在于,
所述处理液吹扫工序包括在互不相同的期间使所述处理液以不同的流速流通的工序。9.根据权利要求1~8中的任一项所述的液处理装置的运转方法,其特征在于,所述清洗用状态是在所述供给路径中替代所述过滤器而安装了流路形成构件的状态。10.根据权利要求1~8中的任一项所述的液处理装置的运转方法,其特征在于,所述清洗工序包括在互不相同的期间使所述清洗液以不同的流速流通的工序。11.根据权利要求1~8中的任一项所述的液处理装置的运转方法,其特征在于,所述清洗工序还包括以下工序:从清洗液供给源向所述流路系统供给所述清洗液,根据该流路系统中的...
【专利技术属性】
技术研发人员:西畑广,李贤友,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:
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