本发明提供能够利用臭氧水高效地处理基片的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括基片旋转部、臭氧水释放部、加压部和控制部。基片旋转部保持基片并使之旋转。臭氧水释放部具有基片的半径以上的长度，能够对基片释放臭氧水。加...

本发明提供基板处理装置和喷射器的安装方法。提供能够抑制喷射器的倾斜的技术。本公开的一形态所涉及的基板处理装置包括：处理容器，其具有大致圆筒形状；喷射器，其沿着所述处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸设置；以及保持部，其将所述喷射器向所述内...

本发明提供一种药液供给装置和涂敷显影系统，其能够高精度地检测在流路部流动的微小的异物。本发明的药液供给装置包括：供流体流动的流路部；激光照射部，其以光路与上述流路部中的流体的流动方向交叉的方式设置，用于对该流路部内照射来自激光光源的激光...

一种对处理对象体进行处理的处理装置，该处理装置包括：改性部，其通过向所述处理对象体的内部照射激光束来沿着面方向形成多个改性层；以及控制部，其至少对所述改性部的动作进行控制，所述控制部控制所述改性部，以形成：第1改性层形成区域，在该第1改...

本发明涉及一种基板处理装置和参数获取方法，用于提高加热器的温度的控制精度。基板处理装置具备：加热器电阻器；数字滤波器，其对检测电压和检测电流中的至少一方进行滤波，所述检测电压是被设为施加于加热器电阻器的电压来检测出的数字电压值，所述检测...

本发明所公开的蚀刻方法包括：(a)使用第1等离子体对氮化钛膜进行蚀刻的工序；及(b)使用第2等离子体对氮化钛膜进行蚀刻的工序。第1等离子体由第1处理气体生成，第2等离子体由第2处理气体生成。第1处理气体及第2处理气体中的一者包含含氯气体...

本发明提供连接处理容器、基板处理系统以及基板处理方法。对于相连接的处理容器，能够进行稳定的支承并且抑制由热膨胀导致的基板的输送位置的偏移。连接处理容器构成为包括：第1处理容器和第2处理容器，其以形成有间隙的方式在横向上并列设置，分别收纳...

本实用新型涉及基板处理装置。使基板处理装置得到较高的生产率并减小占地面积。该装置包括：第1单位模块，其包括第1基板输送区域、分别设为面向第1基板输送区域的左右的一侧、另一侧的第1处理组件、第2处理组件、分别设于第1基板输送区域的左右的一...

本发明提供一种能够实现载置台的小型化和构造的简化的基板处理系统。基板处理系统具备基板处理装置和控制装置。基板处理装置具有：腔室；载置台，其设置在腔室内，用于载置被处理基板；以及加热器，其被嵌入到载置台的内部的与各个分割区域对应的位置，该...

本发明提供有利于检测处理液的泄漏等不良情况的发生的基片液处理装置和基片液处理方法。基片液处理装置包括：供处理液流动的液配管；释放嘴，其释放经由液配管供给的处理液；阀机构，其调节液配管中的处理液的流动；和液检测传感器，其检测液配管中是否存...

本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，以高选择性蚀刻含Si和O的膜。选择性地蚀刻含Si和O的材料的蚀刻方法包括以下工序：将具有含Si和O的材料的基板设置于腔室内；重复先开始的供给碱性气体的第一期间和接着开始的供给含氟气体的第二期间，使第二期...

本发明提供一种减少发射光谱分析的机械误差的校准方法和校准系统。提供的校准方法包括以下工序：在基准装置内配置具有给定的波长带的LED光源；使从所配置的所述LED光源输出的光量发生变化，并获取被阶段性地进行了调整的光量中的每个波长的发光强度...

本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够提高等离子体的处理性能。等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、源RF生成部、偏置RF生成部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内。源RF生成部与等离子体处理腔室结合，生成包...

本发明提供一种基板处理装置。使基板处理装置的生产率提高。基板处理装置具备：基板出入部；第1群组的处理部，其对第1状态的基板进行一系列的处理；第2群组的处理部，其对第1状态的基板进行与由第1群组的处理部进行的一系列的处理同样的一系列的处理...

本发明提供一种等离子体处理装置，其包括等离子体处理腔室、基片支承部、生成源RF产生部和偏置RF产生部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内。生成源RF产生部构成为能够产生生成源RF信号。生成源RF信号包含多个生成源周期，各生成源周期包含生...

本发明提供一种接合装置和接合方法，提高基板的接合精度。实施方式所涉及的接合装置具备保持部、按压部以及曲率调整部。保持部用于对要被接合的基板进行吸附保持。按压部与被保持部吸附保持的基板的中心部接触地按压基板，来使基板的中心部突出。曲率调整...

一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，抑制因蚀刻产生的形状异常，提高等离子体蚀刻的处理性能。等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、源RF生成部和偏置DC生成部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内，包括下部电极。源RF生成部...

本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法，在一并地蚀刻多个基板的技术中提高蚀刻处理的均匀性。本公开的基板处理装置具备处理槽、第一和第二喷出口群、第一变更部、第二变更部以及控制部。处理槽用于使多个基板浸渍于处理液来进行蚀刻处理。第一和第二...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。提供能够针对该基板处理装置缩小占地面积的技术。对于包括设有分别对基板进行液处理的多个液处理组件的处理模块的基板处理装置，将基板输送模块设于处理模块的左侧。基板输送模块具备供用于收纳多个基板的容器...

本发明提供基片运送装置和基片运送方法。基片运送装置包括：非导电性的支承部，其上表面与基片相对以支承基片；用于使该支承部移动以运送上述基片的移动机构；将上述支承部与移动机构连结并且接地的连结部；导电性的接触部，其设置在上述支承部的上表面，...