基片处理装置和基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够利用臭氧水高效地处理基片的基片处理装置和基片处理方法。本发明专利技术的一个方式的基片处理装置包括基片旋转部、臭氧水释放部、加压部和控制部。基片旋转部保持基片并使之旋转。臭氧水释放部具有基片的半径以上的长度，能够对基片释放臭氧水。加压部在比臭氧水释放部靠上游侧处将臭氧水加压到比大气压高的压力。控制部控制各部。此外，控制部对由基片旋转部保持的基片旋转释放臭氧水，在释放了臭氧水之后使向基片的臭氧水的释放流量减少。在使臭氧水的释放流量减少之后使对基片释放的臭氧水的释放流量增加。此外，控制部至少在使对基片释放的臭氧水的释放流量减少时，使基片旋转。基片旋转。基片旋转。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片处理方法


[0001]本专利技术的实施方式涉及基片处理装置和基片处理方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，已知有利用臭氧水对半导体晶片(以下，也称为晶片)等基片进行处理的技术(参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2001
‑
326210号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供一种能够利用臭氧水高效地处理基片的技术。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一个方式的基片处理装置包括基片旋转部、臭氧水释放部、加压部和控制部。基片旋转部保持基片并使之旋转。臭氧水释放部具有上述基片的半径以上的长度，能够对上述基片释放臭氧水。加压部在比上述臭氧水释放部靠上游侧处将臭氧水加压到比大气压高的压力。控制部控制各部。此外，上述控制部对由上述基片旋转部保持的上述基片释放臭氧水，在释放了上述臭氧水之后使对上述基片释放的臭氧水的释放本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：保持基片并使其旋转的基片旋转部；臭氧水释放部，其具有所述基片的半径以上的长度，能够对所述基片释放臭氧水；加压部，其在比所述臭氧水释放部靠上游侧处将臭氧水加压到比大气压高的压力；和控制各部的控制部，所述控制部进行控制，以使得：对由所述基片旋转部保持的所述基片释放臭氧水，在释放了臭氧水之后使对所述基片释放的臭氧水的释放流量减少，在使臭氧水的释放流量减少之后使对所述基片释放的臭氧水的释放流量增加，至少在使对所述基片释放的臭氧水的释放流量减少时，使所述基片旋转。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部进行控制，以使得：对由所述基片旋转部保持的所述基片释放臭氧水，在对所述基片释放了臭氧水之后，使对所述基片释放的臭氧水的释放流量减少而使其成为零，在使臭氧水的释放流量成为零之后使对所述基片释放的臭氧水的释放流量增加，至少在使对所述基片释放的臭氧水的释放流量减少而使其成为零时，使所述基片旋转。3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部进行控制，以使得：对由所述基片旋转部保持的所述基片释放臭氧水，在释放了臭氧水之后，使对所述基片释放的臭氧水的释放流量减少而使其成为零，并且使所述基片旋转，在使所述基片旋转之后，使所述基片停止旋转，对所述基片释放臭氧水。4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述基片旋转部具有在保持所述基片时包围所述基片的端部的堤堰部，所述控制部对由所述基片旋转部保持的所述基片释放臭氧水而使臭氧水从所述堤堰部溢出。5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述臭氧水释放部对整个所述基片同时释放臭氧水。6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：还包括对即将释放到所述基片的臭氧水进行加热的加热器。7.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：还包括对由所述基片旋转部保持的所述基片进行加热的加热机构。8.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩下泰治，香川兴司，天井胜，森川胜洋，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：