一种半导体器件包括同轴接触件，该同轴接触件具有导电层，这些导电层从局部互连延伸并且耦合到金属层。这些局部互连堆叠在衬底上方，并且沿着该衬底的顶表面侧向延伸。这些金属层堆叠在这些局部互连上方，并且沿着该衬底的顶表面侧向延伸。这些导电层是封...

提供一种用于对台的倾倒进行抑制的检查装置及检查方法。该检查装置包括：探针卡，具有与被检查体抵接的探针；上部模块，具有用于放置所述被检查体的载置部；移动机构，以能够升降的方式对所述上部模块进行支承，并且能够在水平方向上移动所述上部模块；以...

本发明提供一种等离子体处理装置。在气体供给管从构成喷淋头的上部电极的中央向上方延伸的等离子体处理装置中，提高通过电磁波在腔室内生成的等离子体的密度的分布的均匀性。公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承部、喷淋头、气体供给管、导入部以及...

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。在包括进行周缘部处理的处理部和对基板的周缘部进行检查的检查部的基板处理装置中，抑制由基板输送引起的生产率的降低。本公开的基板处理装置包括处理部、交接部、对处理部输送装置、检查部以及对检查部输送装置。...

本实用新型提供一种基板处理装置。使基板处理装置的生产率提高。基板处理装置具备：基板出入部；第1群组的处理部，其对第1状态的基板进行一系列的处理；第2群组的处理部，其对第1状态的基板进行与由第1群组的处理部进行的一系列的处理同样的一系列的...

本实用新型涉及基板磨削系统。提供在洁净度较高的区域搭载多个清洗装置并抑制由于搭载数量的增加导致的设置面积增加的技术。基板磨削系统包括：载置台、第1清洗装置、第2清洗装置、磨削装置、第1输送区域和第2输送区域。在俯视时，第1输送区域与载置...

本发明提供能够同时实现升华物的高效率回收和低氧状态下的热处理这两者的热处理单元、基片处理装置、热处理方法和存储介质。热处理单元包括：加热部，其支承形成有覆膜的基片并对基片进行加热；腔室，其具有周壁部和盖部，周壁部包围加热部的周围，盖部通...

本发明提供能够抑制翘曲的载置台和检查装置。载置台包括：载置部，其具有用于载置被检查体的板部件和透光性部件；以及光照射机构，其照射光以使上述被检查体升温，上述板部件和上述透光性部件由线膨胀系数为1.0

本发明所公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、高频电源及偏置电源。高频电源为了生成等离子体而产生高频电力。偏置电源与基板支承器的偏置电极电连接，产生电偏置。搭载于基板支承器上的边缘环经由阻抗调节器接收电偏置的一部分，或接收其他电偏...

一种半导体器件包括电介质层和局部互连，这些电介质层和局部互连交替地堆叠在衬底上方、并且沿着该衬底的顶表面侧向延伸。这些电介质层的侧壁和这些局部互连的侧壁具有阶梯构型。这些局部互连通过电介质层彼此间隔开，并且具有未被这些电介质层覆盖的部分...

根据公开的一个方面的搬送系统包括移动式的盒单元，该盒单元能够容纳多个结构体，并且对检查单元供给所述结构体，其中，所述结构体具有：基板，形成有多个器件；以及线路部件，包括与所述多个器件的电极电接触的接触部。包括与所述多个器件的电极电接触的...

本发明提供载置台的温度控制方法，其为进行能够载置基片的载置台的温度控制的方法，上述载置台的基片载置面被划分为多个区域，对上述多个区域分别设置加热器，上述载置台的温度控制方法包括以下步骤，即：对上述基片载置面中的上述多个区域中的最中心的区...

本发明提供一种高频供电部件,其降低高频的传输路径中的热负载。该高频供电部件用于供给高频电力,其具有:内部导体,其形成中空；以及外部导体,其以包围上述内部导体的方式配置,在上述内部导体和上述外部导体的至少一者的壁面的内部设有制冷剂流路。的...

本发明提供能够提高处理液的清洁度的液处理装置和液处理方法。本发明的实施方式的液处理装置包括储存罐、循环管线、供给管线、返回管线和至少一个过滤器。储存罐用于储存处理液。循环管线用于使从储存罐输送的处理液返回到储存罐。供给管线用于将循环管线...

本发明提供一种能够容易地维护腔室的基片处理装置，该腔室规定在其中进行对基片的处理的基片处理空间。本发明的基片处理装置包括第一腔室、基片支承器、致动器、第二腔室和至少一个固定器具。基片支承器和第二腔室配置在第一腔室的内部空间内。致动器使基...

本发明提供测量器和求取鞘层的厚度的方法，能够在等离子体处理装置中不安装专用的测量装置，而求取鞘层的厚度。一种公开的测量器包括基片以及设置于基片中或者基片上的发送电路、发送天线、接收天线、接收解调电路和运算器。发送电路生成微波。发送天线将...

本发明提供成膜装置和成膜方法。不用事先对靶进行加工，就能够判断靶的更换时刻。一种成膜装置，其利用磁控溅射法在基板上形成膜，其中，该成膜装置具有：基板保持部，其保持基板；保持件，其以强磁性材料的靶朝向所述基板保持部的方式保持该靶；磁体单元...

一种半导体器件，包括具有多个晶体管器件的第一层级、以及定位在第一层级上的第一布线层级。第一布线层级包括平行于第一层级延伸的多条导电线、以及平行于第一层级延伸的一个或多个可编程水平桥。一个或多个可编程水平桥中的每一个可编程水平桥电连接第一...

一种半导体器件包括具有多个晶体管器件的第一层级、以及定位在第一层级上的第一布线层级。第一布线层级包括平行于第一层级延伸的多条导电线、垂直于第一层级延伸的多个导电垂直互连、以及垂直于第一层级延伸并且包括具有可变电阻率的可编程材料的一个或多...

本发明提供一种为了对基片进行蚀刻而形成保护膜的技术。所公开的蚀刻方法包括：在基片的表面上形成保护膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和设置在该区域上的掩模。保护膜包含锡原子。蚀刻方法还包括：蚀刻基片内的区域的步骤。骤。骤。