本发明提供使进行超临界干燥的基板处理装置小型化的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括：输送模块，其配置有用于输送基板的输送装置；以及处理模块，其与所述输送模块相邻。所述处理模块包括：液膜形成单元，其在水平的所述基板的上表面形成液...

本公开涉及一种基板处理装置和搬送时间表制作方法。基板处理装置具备多个处理部和搬送机构，多个搬送对象体按预先决定的搬入顺序被搬入基板处理装置内，基板处理装置还具备控制部，所述控制部获取工艺任务，所述工艺任务用于将搬送对象体通过所述搬送机构...

一种分离装置，将处理对象体分离为第一分离体和第二分离体，所述分离装置具有：第一保持部，其保持所述第一分离体；第二保持部，其保持所述第二分离体；移动部，其使所述第一保持部和所述第二保持部相对地移动；以及转动部，其至少使所述第一分离体或所述...

本发明提供在驱动部位也能够准确地测量压力的基板处理装置和中继构件的驱动方法。基板处理装置具有腔室、屏蔽构件以及中继构件。腔室具有利用导入的气体执行对基板的处理的处理室和对处理室内的气体进行排气的排气室。屏蔽构件设于腔室的侧壁附近的至少局...

本发明提供能够提高溅射颗粒的入射角的控制性，且提高膜的均匀性的溅射装置和成膜方法。溅射装置包括：释放溅射颗粒的第一靶材和第二靶材；支承基片的基片支承部；以及隙缝板，其配置在上述靶材与上述基片之间，具有供上述溅射颗粒通过的隙缝部，上述隙缝...

本发明提供能够抑制基片的处理不均匀、抑制基片与抓持基片的抓持部的摩损、并且抑制由摩损导致的颗粒的产生的基片处理方法和基片处理装置。基片处理装置包括：用于水平地保持基片的保持部；用于使保持部旋转的旋转部；和控制部。保持部包括：旋转盘，能够...

本发明提供载置台和等离子体处理装置。减少沉积物在槽的沉积。载置台具有静电卡盘、基台以及遮蔽物。静电卡盘吸附基板。基台被呈环状延伸的槽分割成支承静电卡盘的第1区域和支承配置于基板的周围的边缘环的第2区域。遮蔽物设于槽，该遮蔽物将第1区域与...

本公开涉及一种真空搬送装置、基板处理系统和基板处理方法。真空搬送装置具备：平面马达，其具有主体部、排列于主体部内的多个电磁线圈、以及向电磁线圈供电并控制供电的电流的电流控制部；搬送单元，其具有基板保持部和基部，所述基板保持部保持基板，所...

本发明提供一种成膜条件输出装置、输出方法、输出程序以及成膜装置,其能够输出更合适的成膜条件。成膜条件输出装置具有:第一计算部,其使用将基于成膜装置的成膜处理模型化的线性模型,对用于实现目标成膜结果的第一成膜条件进行计算；第二计算部,其使...

本发明提供一种对流通有要供给到基片的液体的供给路径中的杂质进行光学检测的基片处理装置和基片处理方法。该基片处理装置包括：使要供给到基片的液体流通的供给路径；和杂质检测单元，其基于信号来检测所述液体中的杂质，其中所述信号是由投光部向形成所...

本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理部、贮存部、处理线路、循环线路和气体供给线路。处理部用碱性的药液对形成于基片的多晶硅膜或非晶硅膜进行蚀刻。贮存部回收并贮存所述处理部使用了的药液。处理线路将贮存于所述贮存部中...

本发明所公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、高频电源及偏置电源。高频电源向高频电极供给高频电力。偏置电源向偏置电极施加电偏置。搭载于基板支承器上的边缘环接收电偏置的一部分或其他电偏置。外圈相对于边缘环在径向上且在外侧延伸，接收高...

本实用新型提供一种反应管的组装用治具。提供一种能够准确且容易地组装反应管的技术。本实用新型的一形态的反应管的组装用治具为具有内管和外管的反应管的组装用治具，其中，该反应管的组装用治具具有：保持部，其用于保持支承所述内管的歧管和支承所述外...

本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体处理方法，以更简易的方法从排出气体中分离回收稀有气体。等离子体处理系统具备腔室、第一气体供给部、排气部、气体纯化单元、升压泵以及储存部。第一气体供给部向腔室内供给第一稀有气体和工艺气体。腔室用于利...

一种涂布方法，是向基板供给处理液并通过旋涂法来在基板上涂布上述处理液的涂布方法，在所述涂布方法中，在上述处理液的供给开始的同时或者晚于上述处理液的供给开始地将表面张力比上述处理液的表面张力小的上述处理液的溶剂与上述处理液混合地供给到上述...

本发明的基片处理设备包括：罐；循环管线，其供从罐出发并返回罐的处理液流动；供给调整部，其调整第一液、第二液和处理液中的至少任一者向罐的供给；排放管线，其供从罐或者循环管线排出的处理液流动；排放调整部，其处理液调整经由排放管线的排出；以及...

本发明提供一种基板处理方法、计算机可读存储介质以及基板处理装置，能够实现基板面内的显影处理的均匀化。基板处理方法包括：进行第一显影处理，在所述第一显影处理中，将具有一个端面和在端面开设的喷出口的喷嘴以端面与基板的表面相向的方式配置，在一...

本公开提供一种处理方法和基板处理系统，向处理容器稳定地供给原料气体。一种处理方法，是基板处理系统的处理方法，所述基板处理系统具备：处理容器，其具有用于载置基板的载置台；安装部，其能够装卸用于收容固体原料的原料容器；加热部，其用于使收容于...

本发明提供一种能够获得均匀的等离子体空间的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：处理容器、载置台、遮护部件、开口用的可升降的闸门、第1驱动部和第2驱动部。处理容器具有侧壁，在该侧壁形成有被处理体的搬入搬出用的输送通路。载置台设置在处理...

本发明提供限制靶材颗粒相对于基片入射的角度，控制靶材颗粒的指向性的进行溅射处理的装置和方法。在进行由形成于处理容器内的等离子体，从靶材使靶材颗粒释放而使其附着到载置于载置台的基片的溅射处理的装置中，利用磁体移动机构使设置于靶材的背面侧的...