一种用于微制造具有环绕式栅极场效应晶体管器件的三维晶体管堆叠的方法。沟道悬挂在源极区/漏极区之间。每个沟道选择性地沉积有被设计成用于调整沟道的阈值电压的材料层。这些层可以是氧化物、高k材料、功函数材料和金属化部。三维晶体管堆叠在单个封装...

一种基板加工装置，其具有：一对第1基板卡盘，其以基板的第1主表面朝上的状态从下方保持基板；一对第2基板卡盘，其以基板的与第1主表面相反的一侧的第2主表面朝上的状态从下方保持基板；旋转台，其将一个所述第1基板卡盘、一个所述第2基板卡盘、另...

本发明的课题在于提供在使硅氧化膜与硅膜交替地层叠的层叠膜的蚀刻时，提高选择比的技术。本发明提供一种蚀刻方法，其为对于在基板上交替地层叠有硅氧化膜和硅膜的层叠膜，通过等离子体形成所期望的蚀刻形状的蚀刻方法，其包括下述步骤：准备上述基板的步...

本发明提供一种基板处理方法,其高效地对基板进行除电。该基板处理方法包括:(a)将基板吸附于静电卡盘的工序；(b)对上述基板进行处理的工序；(c)基于事先存储于存储部中的表示基板处理时的静电卡盘的最大表面温度与基板的残留电荷量的相关关系的...

一种分离装置，将处理对象体分离为第一分离体和第二分离体，所述分离装置具有：第一保持部，其保持所述第一分离体；第二保持部，其保持所述第二分离体；移动部，其使所述第一保持部和所述第二保持部相对地移动；以及分离面清洗部，其至少对所述第一分离体...

本发明涉及蚀刻方法和等离子体处理装置。在低温环境下使氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜的基底膜露出的蚀刻中，可以维持层叠膜的蚀刻速率，且确保对基底膜的选择比。提供一种蚀刻方法，其为对具有基底膜、前述基底膜上的交替地层叠有第1膜和第2膜的层叠膜、...

本发明提供运送装置、运送系统和末端执行器，其目的在于能够削减含运送装置在内的系统全体的空间量，运送装置是用于同时或分别运送晶片和具有圆形的外形的消耗品的运送装置，其包括末端执行器、机械臂和控制装置，消耗品能够配置在晶片处理模块内，消耗品...

本发明提供一种能够在早期检测处理液的飞散的基板处理装置。基板处理装置具有：基板保持旋转部，其保持基板并使该基板旋转；空气供给部，其向保持于所述基板保持旋转部的所述基板供给空气；处理液供给部，其向保持于所述基板保持旋转部的所述基板供给处理...

本发明提供一种蚀刻方法,其抑制深度装载的产生,并且促进蚀刻。该蚀刻方法包括:(a)在配置于处理腔室内的基板支承台之上提供包括被蚀刻层的基板的工序；(b)对上述基板支承台的温度进行设定的工序；(c)自蚀刻气体生成等离子体的工序；(d)使上...

本发明提供能够抑制设置于开口部的构造物的劣化的基片处理装置和基片运送方法。基片处理装置包括：具有供基片通过的内部空间的基片送入送出模块，在将基片送出到被控制成与大气压相比为正压的外部空间时，该内部空间被控制为大气压环境；开口部，其设置在...

本发明提供能够高效率地向蚀刻形状的底部供给蚀刻剂、提高蚀刻速率的蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。本发明的蚀刻方法包括：工序(a)，将含有硅的基片提供至支承台上；工序(b)，利用从含有含氟气体的第一气体生成的等离子体对所述基片进行蚀刻，形成具...

本发明提供真空处理装置和真空处理装置的控制方法。能够调整载置台的倾斜度并且抑制处理容器内的微粒的产生。载置台设于处理容器内，用于载置基板。支承构件贯穿在处理容器的底部形成的开口部并自下方支承载置台。保持部位于处理容器的外侧，支承构件的端...

本发明涉及蚀刻方法和等离子体处理系统。在表面形成有蚀刻对象层和预先进行了图案形成的掩模层的处理对象体的蚀刻处理中，改善该处理对象体的表面形态学，且抑制该蚀刻处理中的掩模层的消耗。一种蚀刻方法，其为对在表面形成有蚀刻对象层、和形成于比该蚀...

本发明提供一种等离子体处理装置,包括:处理腔室；载置台,其配置于处理腔室内；第一电极,其配置于载置台上；第二电极,其与第一电极相对配置；第一高频电源,其与第一电极连接；以及第二高频电源,其与第一电极或第二电极连接,第一高频电源在第一期间...

本发明提供一种图案形成方法，其能够高精度且不使工序复杂化地进行线材的线切割以形成所希望的图案。在基片形成图案的图案形成方法包括：准备的基片的步骤，其中，所述基片在基体上形成有呈凸状且线状地设置的多个芯材、和分别在所述芯材的一侧及另一侧呈...

本发明提供能够模拟地测量用高温的热板加热时的基片的温度的温度测量装置、基片处理装置和温度测量方法。温度测量装置包括：测量用基片，其搭载有测量温度的传感器；获取上述传感器的检测结果的信息处理部；和将上述传感器与上述信息处理部连接的电缆，上...

本发明提供一种基板拍摄装置。抑制设备事故且谋求基板拍摄装置的小型化和低成本化。检查单元(U3)包括：保持台，其构成为保持晶圆(W)而使晶圆(W)旋转；镜构件(430)，其具有反射面(432)，该反射面(432)相对于保持台的旋转轴线倾斜...

本发明提供一种基板拍摄装置。抑制设备事故且谋求基板拍摄装置的小型化和低成本化。检查单元(U3)包括：保持台，其构成为保持晶圆(W)而使晶圆(W)旋转；镜构件(430)，其具有反射面(432)，该反射面(432)相对于保持台的旋转轴线倾斜...

本发明提供一种提高了处理能力的检查装置的控制方法以及检查装置。该检查装置包括:载置台,其用于载置具有多个被检查体的基板,并且形成有多个分区；以及加热部,其能够针对各个上述分区进行升温控制,该检查装置的控制方法具有如下工序:在对多个上述被...

本发明提供使进行超临界干燥的基板处理装置小型化的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置将形成于水平的基板的上表面的液膜置换为超临界流体，而对所述基板进行干燥。所述基板处理装置包括压力容器、盖体以及支承体。所述压力容器在内部形成所述基板...