蚀刻方法及等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于提供在使硅氧化膜与硅膜交替地层叠的层叠膜的蚀刻时，提高选择比的技术。本发明专利技术提供一种蚀刻方法，其为对于在基板上交替地层叠有硅氧化膜和硅膜的层叠膜，通过等离子体形成所期望的蚀刻形状的蚀刻方法，其包括下述步骤：准备上述基板的步骤；将上述基板的表面温度冷却至

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法及等离子体处理装置


[0001]本公开涉及蚀刻方法以及等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]例如，专利文献1提出将交替地层叠有硅氧化膜和硅氮化膜的多层膜进行蚀刻的方法。此外，例如，专利文献2提出将交替地层叠有硅氧化膜和多结晶硅膜的多层膜进行蚀刻的方法。
[0003]专利文献2中，通过由作为蚀刻气体，包含含有溴的气体、含有氯的气体、含有碘的气体的至少任一者的气体与氟碳气体的气体而生成的等离子体将多层膜进行蚀刻。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2016
‑
39310号公报
[0007]专利文献2：国际公开第2013/118660号公报

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的课题
[0009]本公开提供在交替地层叠有硅氧化膜和硅膜的层叠膜的蚀刻时，能够提高选择比的技术。
[0010]用于解决课题的方法
[0011]根据本公开的一方式，提供一种蚀刻方法，其为对于在基板上交替地层叠有硅氧化膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻方法，其为对于在基板上交替地层叠有硅氧化膜和硅膜的层叠膜，通过等离子体形成所期望的蚀刻形状的蚀刻方法，其包括下述步骤：准备所述基板的步骤；将所述基板的表面温度冷却至
‑
40℃以下的步骤；通过等离子体生成用的高频电力来生成含有氢和氟的气体的等离子体的步骤；以及通过生成的等离子体将所述层叠膜进行蚀刻的步骤。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，进行冷却的步骤为将基板冷却至
‑
55℃以上。3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，在所述气体中，氢元素相对于氢元素和氟元素的总和的比例为25％以上67％以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，所述气体包含氟碳气体(CF系)和氢氟碳气体(CHF系)中的至少一者，包含氢氟碳气体(CHF系)、氢碳气体(CH系)以及含有氢的气体中的至少一者，所述含有氢...

【专利技术属性】
技术研发人员：中谷理子，后平拓，宋孝锡，田所昌洋，沼田健太郎，八重樫圭太，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：