本发明提供能够使基片输送的误差减少的基片处理装置和基片处理方法。本发明的实施方式的基片处理装置包括引导部、输送装置和加工部。引导部沿着基片的输送方向延伸。输送装置用于沿着输送方向输送基片。加工部用于对沿着输送方向被输送的基片实施加工处理...

本实用新型提供一种清洗用治具，当对旋转涂布装置的容器内进行清洗时，与以往相比在高度方向上清洗更广的范围。该清洗用治具呈圆盘状，用于在向配置于容器内的旋转保持装置所保持的基板上供给处理液并通过所述基板的旋转来在所述基板上形成所述处理液的膜...

本公开的基板处理装置(1)包括液处理槽(61、62、71、72、91)和疏水化气体供给部(410、440、450)。液处理槽用于贮存处理液，将多个基板(W)浸渍在处理液中，从而对多个基板进行液处理。疏水化气体供给部用于向液处理后的多个基...

本发明提供能够提高检查基片的检查装置的吞吐量的检查装置和基片运送方法。检查装置包括：分别载置收纳基片的收纳容器第一、第二载置部；分别具有拍摄基片的拍摄单元的第一、第二检查部；设置有第一运送机构的第一运送区域，第一运送机构进行在载置于第一...

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，提供一种能够抑制微粒向基板的附着的技术。本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有纵型的筒体状，在处理容器的侧壁形成有开口，在所述处理容器内部将多个基板分多层收容；等离子体...

本发明提供载置台、处理基片的装置和对基片进行温度调节的方法，能够对基片在面内均匀地进行温度调节。载置台包括：载置台主体，其能够载置基片，并且至少接收来自外部的热输入；冷媒流路，其设置于上述载置台主体，用于用冷媒从上述载置台主体吸收热；切...

本发明提供载置台装置和基片处理装置，能够抑制载置台中的供升降销升降的销孔的周围、升降销成为低温部位，而载置面的温度在面内变得不均匀的情况，其中，载置台具有能够载置基片的载置面。载置台装置包括：载置台，其具有销孔，并且具有能够载置基片的载...

本发明提供一种载置台的温度调节方法和检查装置。所述载置台的基片载置面被划分为多个区域，对多个区域分别设置有加热器，温度调节方法包括：对多个区域中的与检查对象器件对应的主区域的加热器进行反馈控制，以使该主区域的温度成为设定温度的步骤；和控...

本发明涉及液滴释放装置和位置调整方法，其在液滴释放装置中进行头部的位置调整。本发明的液滴释放装置包括释放单元、运送单元和调整单元。释放单元具有：形成有多个开口部的承载器；多个头部，其以覆盖开口部的方式设置在承载器，能够释放功能液的液滴；...

一种基板加工装置，其具备：卡盘，其将基板保持为水平；加工单元，其将加工工具压靠于由所述卡盘保持着的状态的所述基板的外周，加工所述基板；以及下杯，其在所述基板的外周整周的范围内回收从所述基板落下的加工屑，在所述下杯形成有排出所述加工屑的排...

披露了一种用于光学地诊断半导体制造过程的改进的设备和系统以及相关联的方法的实施例。在等离子体加工系统中，使用高光谱成像系统来采集来自等离子体的发射的光谱解析图像。采集的高光谱图像可以用来确定等离子体的化学成分和等离子体过程端点。替代地，...

本发明提供曝光装置和曝光方法。曝光装置(3)包括：多个光照射部(4)，向基片(W)的表面的左右彼此不同的位置各自独立地照射光，形成从基片的表面的一端至另一端的带状的照射区域(30)；旋转机构(34)，其使载置于载置部的基片相对于照射区域...

本发明提供边缘环和蚀刻装置。提供能够抑制边缘环的内周部的消耗的边缘环。一种边缘环，其围绕在被等离子体处理腔室内的基板支承部支承着的被蚀刻物的外周，其中，所述边缘环具有自外周部朝向内周部去而变低的倾斜面，将位于所述倾斜面上的比距离所述边缘...

本发明提供能够容易地更换等离子体处理装置的消耗部件的等离子体处理装置和等离子体处理装置的载置台。等离子体处理装置的载置台包括晶片载置面、环载置面、升降销和驱动机构。晶片载置面用于载置晶片。环载置面用于载置第1环和第2环。第2环配置在第1...

本发明提供真空处理装置和真空处理装置的控制方法。改善由处理容器的变形引起的载置台的位置和倾斜度的偏离。真空处理装置具有：处理容器，其能够将其内部维持为真空气氛；载置台，其设于处理容器内，用于载置基板；支承构件，其贯穿处理容器的底部的孔而...

本发明提供等离子体处理系统、等离子体处理装置和边缘环更换方法。等离子体处理系统包括等离子体处理装置和与其连接的减压输送装置，等离子体处理装置包括：能够减压的处理容器；设置在处理容器内的、能载置边缘环组装体的支承台；和交接部件，减压输送装...

本发明提供一种加热装置、基片处理系统和加热方法，在处理装置的外部预先对基片进行加热并将加热后的基片用输送机构保持并输送到处理装置情况下，能够使到达处理装置的时刻的基片的温度在基片面内均匀。一种在向处理装置输送基片之前对该基片进行加热的加...

一种3D IC，包括：具有衬底表面的衬底；第一半导体器件堆叠体，该第一半导体器件堆叠体沿着该衬底的厚度方向堆叠；以及第二半导体器件堆叠体，该第二半导体器件堆叠体沿着该衬底的厚度方向堆叠并且在沿着该衬底表面的方向上邻近该第一堆叠体设置。该...

本发明提供载置台、检查装置和温度校正方法。载置台是载置被检查基片的载置台，具有多个温度传感器和电极焊盘。多个温度传感器分别测量载置台的多个部位的温度。电极焊盘与温度传感器分别连接，并设置于载置面。并设置于载置面。并设置于载置面。

一种基板调温装置，其调节基板的温度，其中，该基板调温装置包括：载置台，其载置基板；调温部，其调节该载置台的温度，以调节载置于所述载置台的基板的温度；抽吸力产生部，其产生对基板进行抽吸的抽吸力，将该基板吸附于调节了温度的所述载置台，该抽吸...