本发明提供载置台、基板处理装置以及基板处理方法。在包括载置基板的载置面的载置台中，使该载置面的平坦度提高。一种载置台，其用于载置基板，其中，该载置台具有：静电卡盘，其具有载置基板的载置面；支承构件，其支承所述静电卡盘；以及吸收构件，其配...

一种用于在裸片级标记半导体衬底以提供唯一认证和序列化的方法，该方法包括：使用基于掩模的光刻法将第一图案的光化辐射投射到该衬底上的光刻胶层上，该第一图案限定半导体器件结构；以及使用直写式投射将第二图案的光化辐射投射到该光刻胶层上，该第二图...

本发明提供能够载置检查对象体的载置台，其包括：能够在表面载置上述检查对象体的顶板部；流路形成部件，其安装在上述顶板部的背面，并在其与上述顶板部之间形成供可透射光的致冷剂流动的致冷剂流路；和光照射机构，其以与载置于上述顶板部的上述检查对象...

本发明提供一种抑制蚀刻不良的基板处理方法。一种基板处理方法，其为将具有被蚀刻膜和覆盖上述被蚀刻膜的掩模膜的基板进行蚀刻的基板处理方法，上述掩模膜具有将上述被蚀刻膜的一部分露出的开口，所述基板处理方法包括下述工序：A)通过上述开口向上述被...

本发明涉及一种静电卡盘部件的自动原地更换结构，其中基板支撑件包括：基台；以及静电卡盘，静电卡盘的上部与下部可分离，下部保持在基台上，上部能够原地更换，其中：静电卡盘的上部包括顶部陶瓷板，顶部陶瓷板具有：第一电极，通过响应于施加到第一电极...

本发明提供能够提高将基片载置在基片处理部内时的定心精度的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括基片处理部、基片输送部、第1检测部、第2检测部和第3检测部。基片处理部用于保持基片并对基片进行处理。基片输送部具有转动...

本发明提供一种等离子体处理装置，能够在控制基板边缘处的倾斜的同时抑制基板的中央和中间区域的工艺变化。等离子体处理装置具有：等离子体处理容器；基板支承部，其配置于等离子体处理容器内，包括静电吸盘；第一环，其以包围静电吸盘上的基板的方式配置...

本发明提供一种捕集装置和基板处理装置，能够高效地捕获排出气体中包含的对象物。捕集装置具有：筒状的壳体，其具有供经由排气管排出的排出气体流通的流路；板状的第一捕集构件，其以在从沿着壳体的中心轴的方向观察时遮蔽流路的中央部的方式配置于壳体内...

描述了一种用于在给定的分配期间以极高的均匀性和可重复性按动态变化或静态的比率混合液体化学品的方法和系统。混合器包括多个流体供应管线，该多个流体供应管线包括细长囊，这些细长囊限定线性流动路径且被配置为横向地扩展以收集过程流体并且横向地收缩...

本发明提供一种能够更切实地抑制显影的进行量由于基板上的位置的不同而产生偏差的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括：在使晶圆以第一转速旋转、使接液面与晶圆的表面相对的状态下，从喷出口向晶圆的表面供给显影液，一边使接液面与显影液接触...

本发明的课题在于提供一种提高掩膜选择比，并且抑制形成于被蚀刻膜的各开口的形状产生差异的技术。作为解决本发明课题的手段为提供一种蚀刻方法，其特征在于，包括下述工序：工序(A)，准备基板，所述基板具有第1膜和第2膜交替地层叠的层叠膜以及上述...

本发明提供能够在使用液处理装置对基片进行液处理时，提高生产率的液处理方法和液处理装置。对基片供给处理液以进行液处理的液处理方法中，当在第一涂敷模块中执行第一喷嘴的试喷时，在第二涂敷模块中成为能够对作为下一个液处理对象的基片开始液处理的状...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。提供一种能够使处理的面内均匀性提高的技术。本公开的一技术方案所涉及的基板处理装置包括：处理容器，其具有大致圆筒形状；气体喷嘴，其沿着所述处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸设置，在内部形成气体流路；以...

本发明提供能够抑制基片的产品缺陷的显影处理装置和显影处理方法。实施方式的显影处理装置包括运送机构、送入部、显影部和气体供给部。运送机构平流地运送抗蚀剂膜的一部分被曝光了的基片。送入部能够供基片送入。显影部具有显影液供给嘴，该显影液供给嘴...

本发明提供能够抑制与排气口连通的真空泵的旋转叶片导致的反弹颗粒向处理容器内的侵入，且排气性能优异的基片处理装置及其制造方法和排气结构。在基片处理装置的处理容器的内部，在比底板靠上方处配置有具有载置基片的载置面且平面面积比底板小的载置台，...

本发明提供一种使利用等离子体的成膜处理的性能稳定的技术。等离子体处理方法包括工序a)、工序b)和工序c)。在工序a)中，将具有凹部的基片提供到处理容器内。在工序b)中，在处理容器内生成等离子体，在凹部上形成膜。在工序c)中，监控在工序b...

本发明涉及形成用于抑制弧状弯曲的保护侧壁层的方法以及装置。基板处理装置实施蚀刻基板的方法。本方法包括蚀刻基板而在基板形成凹部的第一部分的第一工序。凹部的第一部分包括底面和侧壁。本方法还包括：在侧壁内或侧壁上形成氟硅酸铵(AFS)层的第二...

本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。适当地实施利用包含磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液进行的蚀刻处理。本公开的一个方式的基板处理装置具备处理槽、混合装置、送液路径以及控制部。处理槽使基板浸渍于处理液来对基板进行处理。混合装置将磷酸水溶...

本发明提供一种贮存装置和贮存方法。本发明的一个方式的贮存装置包括贮存槽、加热机构和控制部。贮存槽用于贮存含有磷酸水溶液和添加剂的处理液。加热机构能够对贮存于贮存槽中的处理液进行加热。控制部执行浓度维持处理，在该浓度维持处理中，控制加热机...

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。提供一种能够针对基板处理装置减小占地面积的技术。对于包含处理模块的基板处理装置，该处理模块设有分别对基板进行液处理的多个液处理组件，其中，基板输送模块设于处理模块的左侧。基板输送模块具有：容器载置部...