使用光电标记对半导体器件进行裸片级唯一认证和序列化的方法技术

一种用于在裸片级标记半导体衬底以提供唯一认证和序列化的方法，该方法包括：使用基于掩模的光刻法将第一图案的光化辐射投射到该衬底上的光刻胶层上，该第一图案限定半导体器件结构；以及使用直写式投射将第二图案的光化辐射投射到该光刻胶层上，该第二图案限定具有唯一电气签名的唯一布线结构。有唯一电气签名的唯一布线结构。有唯一电气签名的唯一布线结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用光电标记对半导体器件进行裸片级唯一认证和序列化的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于2019年4月15日提交的题为“METHOD FOR DIE
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LEVEL UNIQUE AUTHENTICATION AND SERIALIZATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING ELECTRICAL AND OPTICAL MARKING[使用光电标记对半导体器件进行裸片级唯一认证和序列化的方法]”的美国临时专利申请号62/834,093和2019年7月31日提交的题为“METHOD FOR DIE
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LEVEL UNIQUE AUTHENTICATION AND SERIALIZATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING ELECTRICAL AND OPTICALMARKING[使用光电标记对半导体器件进行裸片级唯一认证和序列化的方法]”的美国非临时专利申请号16/528,099并要求其权益和优先权，这两个专利申请的全部内容通过援引并入本文。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种对衬底进行标记的方法，该方法包括：在衬底上形成光刻胶层；使用基于掩模的光刻系统将第一图案的光化辐射投射到该光刻胶层上，该第一图案限定半导体器件结构；使用直写式投射系统将第二图案的光化辐射投射到该光刻胶层上，该第二图案限定具有唯一电气签名的唯一布线结构；对该光刻胶层进行显影以生成浮雕图案；以及形成具有该唯一电气签名的唯一布线结构。2.如权利要求1所述的方法，其中，该布线结构是电气线路。3.如权利要求1所述的方法，进一步包括通过改变该唯一布线结构的形状，来在不同的裸片之间改变该唯一布线结构的电阻。4.如权利要求1所述的方法，其中，该唯一布线结构的形状是通过改变线路长度、线路宽度、线路路径、线路匝数和线路截面面积中的至少一项来改变的。5.如权利要求1所述的方法，其中，该布线结构是导电路径矩阵，其中，每个导电路径的几何形状不同，从而提供多个电阻值中的一个。6.如权利要求1所述的方法，其中，该电气签名包括唯一电阻值或电容值。7.如权利要求1所述的方法，其中，该唯一布线结构位于对应裸片上的与裸片电路系统分开的位置。8.如权利要求1所述的方法，其中，通过坐标位置来改变块在导电路径上的放置，以限定该唯一布线结构的不同图形布置。9.如权利要求1所述的方法，其中，在投射该第二图案之后投射该第一图案。10.如权利要求1所述的方法，其中，在投射该第一图案之后投射该第二图案。11.如权利要求1所述的方法，其中，该唯一布线结构表示序列号或生产日期、芯片规格或哪一代技术。12.一种对衬底进行标记的方法，该方法包括：在具有场效应晶体管的集成电路的预定层上形成布线级，该布线级包括形成与该集成电路的至少一个其他层的电气...

【专利技术属性】
技术研发人员：H，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：