基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板处理装置和基板处理方法。提供一种能够使处理的面内均匀性提高的技术。本公开的一技术方案所涉及的基板处理装置包括：处理容器，其具有大致圆筒形状；气体喷嘴，其沿着所述处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸设置，在内部形成气体流路；以及气体喷出部，其设于所述处理容器之上，与所述气体流路连通，对自所述气体喷嘴导入的气体进行分配并将其自所述处理容器的外周部喷出。将其自所述处理容器的外周部喷出。将其自所述处理容器的外周部喷出。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法


[0001]本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。

技术介绍

[0002]公知有一种成膜方法，在该成膜方法中，在处理容器内配置多个晶圆，自多个晶圆的侧方的规定的位置沿着多个晶圆的表面供给成膜原料气体，利用由成膜原料气体产生的反应活性种，在多个晶圆上形成规定的膜(例如，参照专利文献1)。在专利文献1中，自与规定的位置不同的位置向多个晶圆的表面供给有浓度调整用的气体。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2018
‑
195727号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够使处理的面内均匀性提高的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一技术方案所涉及的基板处理装置包括：处理容器，其具有大致圆筒形状；气体喷嘴，其沿着所述处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸设置，在内部形成气体流路；以及气体喷出部，其设于所述处理容器之上，与所述气体流路连通，对自所述气体喷嘴导入的气体进行分配并将其自所述处理容器的外周部喷出。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够使处理的面内均匀性提高。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式的基板处理装置的一个例子的概略图。
[0013]图2是图1的II－II截面向视图。
[0014]图3是表示喷嘴支承部的一个例子的剖视图。r/>[0015]图4是表示稀释气体喷出部的一个例子的立体图(1)。
[0016]图5是表示稀释气体喷出部的一个例子的立体图(2)。
[0017]图6是从侧方观察稀释气体喷出部时的图。
[0018]图7是从上方观察稀释气体喷出部时的图。
[0019]图8是从下方观察稀释气体喷出部时的图。
[0020]图9是放大地表示图8的局部的立体图。
[0021]图10是从上方观察内管时的图。
[0022]图11是放大地表示稀释气体喷出部的嵌合部的立体图。
[0023]图12是放大地表示稀释气体喷出部的嵌合部的剖视图。
[0024]图13是放大地表示稀释气体喷出部的喷出部的剖视图。
[0025]图14是表示稀释气体喷出部的分配部的外观的立体图。
[0026]图15是表示稀释气体喷出部的分配部的内部的立体剖视图。
[0027]图16是用于说明稀释气体的流动的图(1)。
[0028]图17是用于说明稀释气体的流动的图(2)。
[0029]图18是用于说明分析模型的图。
[0030]图19是表示晶圆的面内的成膜速度的数值分析结果的图。
[0031]图20是表示晶圆的面内的膜厚的均匀性的数值分析结果的图。
具体实施方式
[0032]以下，参照附图，说明本公开的非限定性的例示的实施方式。在全部附图中，对相同或对应的构件或部件标注相同或对应的附图标记，并省略重复的说明。
[0033]〔基板处理装置〕
[0034]参照图1～图3说明实施方式的基板处理装置的一个例子。图1是表示实施方式的基板处理装置的一个例子的概略图。图2是图1的II－II截面向视图。图3是表示喷嘴支承部的一个例子的剖视图。
[0035]基板处理装置1包括处理容器10、气体供给部30、排气部50、加热部70、稀释气体喷出部100以及控制部90。
[0036]处理容器10收容舟皿16。舟皿16将多个基板在铅垂方向上具有间隔地保持为大致水平。基板例如可以为半导体晶圆(以下称作“晶圆W”。)。处理容器10具有内管11和外管12。内管11也被称作内筒，形成为下端开放的有顶的大致圆筒形状。内管11的顶部11a例如形成为平坦。外管12也被称作外筒，形成为下端开放并覆盖内管11的外侧的有顶的大致圆筒形状。内管11和外管12以同轴状配置而成为双层管构造。内管11和外管12例如由石英等耐热材料形成。
[0037]在内管11的一侧沿着其长度方向(铅垂方向)形成有收容气体喷嘴的收容部13。对收容部13而言，例如图2所示，通过使内管11的侧壁的局部朝向外侧突出而形成凸部14，将凸部14内形成为收容部13。与收容部13相对地在内管11的位于相反的一侧的侧壁沿着其长度方向(铅垂方向)形成有矩形状的开口15。开口15为以能够将内管11内的气体排出的方式形成的气体排出口。开口15通过开口15的长度与舟皿16的长度相同或者长于舟皿16的长度地沿上下方向分别延伸而形成。
[0038]处理容器10的下端被例如由不锈钢形成的大致圆筒形状的歧管17所支承。在歧管17的上端形成有凸缘18，将外管12的下端设置在凸缘18上而对其进行支承。将O形密封圈等密封构件19夹在外管12的下端与凸缘18之间而使外管12内成为气密状态。
[0039]在歧管17的上部的内壁设有圆环形状的支承部20，将内管11的下端设置在支承部20上而对其进行支承。在歧管17的下端的开口借助O形密封圈等密封构件22气密地安装有盖体21，而气密地封闭处理容器10的下端的开口、即歧管17的开口。盖体21例如由不锈钢形成。
[0040]在盖体21的中央部借助磁性流体密封件23贯穿地设有旋转轴24，该旋转轴24将舟皿16支承为能够旋转。旋转轴24的下部以旋转自如的方式支承于由舟皿升降机构成的升降
机构25的臂25A。
[0041]在旋转轴24的上端设有旋转板26，在旋转板26上借助石英制的保温台27载置有用于保持晶圆W的舟皿16。因而，通过使升降机构25升降，从而盖体21和舟皿16一体地上下移动，而能够相对于处理容器10内插拔舟皿16。
[0042]气体供给部30安装于歧管17。气体供给部30具有稀释气体喷嘴32、喷嘴支承部33以及多个(例如7个)处理气体喷嘴31a～31g。
[0043]如图2所示，处理气体喷嘴31a～31g位于内管11的内壁内侧的收容部13，并以沿着周向成为一列的方式相互空开间隔地配设。此外，在图1中，省略处理气体喷嘴31b～31g的图示。各处理气体喷嘴31a～31g在内管11的内壁内侧沿着内管11的长度方向(铅垂方向)延伸设置，且下端插入于喷嘴支承部33。各处理气体喷嘴31a～31g为截面呈圆形的直管，例如由石英形成。各处理气体喷嘴31a～31g的顶端(上端)封闭，并在基端(下端)具有开口。在各处理气体喷嘴31a～31g沿着长度方向以规定的间隔开设有多个气体孔36a～36g。多个气体孔36a～36g例如朝向内管11的中心侧(晶圆W侧)。
[0044]该处理气体喷嘴31a～31g将自处理气体供给源34导入的各种处理气体自多个气体孔36a～36g朝向搭载于舟皿16的多个晶圆W喷出。作为各种处理气体，例如可列举含有硅或金属的原料气体、含有氧或氮的反应气体等成膜气体。
[0045]如图2所示，稀释气体喷嘴32位于内管11的内壁内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：处理容器，其具有大致圆筒形状；气体喷嘴，其沿着所述处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸设置，在内部形成气体流路；以及气体喷出部，其设于所述处理容器之上，与所述气体流路连通，对自所述气体喷嘴导入的气体进行分配并将其自所述处理容器的外周部喷出。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述气体喷出部包含：流入部，其形成与所述气体流路连通的流入路径；流出部，其形成向所述处理容器内喷出所述气体的多个流出路径；以及分配部，其形成使所述流入路径与所述多个流出路径连通的分配路径。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述流入部包含：嵌合部，其供所述气体喷嘴的上部插入；以及水平部，其一端与所述嵌合部连接，另一端与所述分配部连接。4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其中，所述流出部包含：水平部，其一端与所述分配部连接，另一端沿着所述处理容器的径向延伸到所述处理容器的外周部；以及喷出部，其自所述水平部的所述另一端向下方延伸，并开设有气体孔。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述喷出部在所述处理容器的包含上部在内的局部的高度区域延伸设置。6.根据权利要求2～5中任一项所述的基板处理装...

【专利技术属性】
技术研发人员：木镰英司，竹内千明，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：