一种具有静电吸盘的静电吸附装置，在所述静电吸盘的电介质内内置有电极和加热器，所述静电吸附装置具有：直流电源部，其具有向所述电极供给直流电力的直流电源；第一除电电路，其连接于所述直流电源与所述电极之间的电力供给线路；以及第二除电电路，其连...

本发明提供喷嘴单元、液处理装置以及液处理方法。使基板面内的温度分布的均匀性提高。本公开的一技术方案所涉及的喷嘴单元是一种对基板施加使用了溶液的液处理的液处理装置用的单元。该喷嘴单元包括气体喷嘴，该气体喷嘴具有：喷出流路，其供气体流通；以...

本发明的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器及电源系统。基板支承器具有电极，构成为在腔室内支承基板。电源系统与电极电连接。电源系统构成为在第1期间将第1脉冲作为偏置电压输出至电极，并在第1期间之后的第2期间将第2脉冲作为偏置电压输出至电...

存储器电路系统中存储了数据集，该数据集指示半导体制造工艺或由其制造的半导体结构的状态。该数据集中的特征能够在受数据分辨率限制的限度内被辨别出。该存储器电路系统中还存储了机器学习模型，该机器学习模型包括参数，这些参数具有受模型训练过程约束...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。分隔板具有绝缘性，将处理容器的内部分隔为载置被处理体的反应室和生成等离子体的等离子体生成室。此外，分隔板在等离子体生成室侧的面设置第一电极，形成有用于将在等离子体生成室内生成的等离子体所包含...

本发明涉及配管系统和处理装置，抑制因绝热材料彼此的接触而产生结露。配管系统具有：多个配管，其分别被绝热材料覆盖，在该配管的内部流通冷却介质；以及传热构件，其配置在互相相邻的配管的两个绝热材料之间，传热构件具有：接触部，其与两个绝热材料接...

本发明提供一种提高使载置于对准器之上的晶圆向接触探针卡的探针的位置移动时的位置精度的检查装置。其执行包括如下工序的处理:通过对准载物台侧的第一坐标取得部,取得探针卡的卡重心坐标；通过第一坐标取得部取得设于弹簧框架的基准目标的目标坐标系中...

一种接合系统，具备：表面改性装置，其在减压气氛下对第一基板的包括金属层的接合面和第二基板的包括金属层的接合面一边加热一边改性；以及接合装置，其将所述改性后的所述第一基板的所述接合面和所述改性后的所述第二基板的所述接合面相对来进行接合，所...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，具有：在具有由栅极覆盖呈鳍状隆起的源极和漏极的构造的晶体管上形成第一绝缘膜的工序；牺牲膜形成工序；形成具有所希望的图案的硬掩模膜的工序；在硬掩模膜之上形成切割掩模的工序；仅使用切割掩模作为蚀刻掩模来仅...

本发明涉及异物检查系统、异物检查方法、程序以及半导体制造装置。提供判定附着于检查对象的异物的位置以及种类的技术。是检查附着于检查对象的异物的异物检查系统，并通过具有以下部分来解决上述课题：光源部，向上述检查对象照射激励光；检测部，检测照...

本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法，能够防止向基片无意地排出处理液。基片处理装置的喷嘴单元包括配管和喷嘴。喷嘴单元包括电压施加用导电部、电压检测部、电压施加用导电部与电压检测部之间的非导电部。从电压施加部对电压施加用导电部施加电压...

本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。本发明的一方面的基片处理装置包括：对基片实施规定的处理的处理单元；输送单元，其具有保持基片的保持部，通过使保持着基片的保持部位移来对处理单元进行基片的送入送出；和基片检查单元，其在处理单元的外部...

基板处理装置具有：摄像部，其拍摄被保持部保持的所述第一基板；改性部，其针对被所述保持部保持的所述第一基板的内部，沿着作为去除对象的周缘部与中央部之间的边界照射激光来形成改性层；第一移动部，其使所述保持部和所述摄像部相对地移动；以及控制部...

本发明提供能够使成膜开始时的原料气体的流量在短时间内变得稳定的技术。本发明的一方式的原料供给装置包括：向处理容器内供给原料气体的原料供给通路；设置于所述原料供给通路的阀；检测所述原料供给通路内的压力的压力传感器；与所述原料供给通路连接，...

本发明提供一种减压干燥装置和减压干燥方法，使基片上的溶液中的溶剂在短时间干燥。在减压状态下使基片上的溶液干燥的该减压干燥装置包括：载置基片的载置台；溶剂收集部件，具有多个在厚度方向上贯通的贯通孔，以与载置于载置台的基片相对的方式设置，并...

本发明提供能够容易地进行卡盘顶部的角度调整的检查装置和卡盘顶部的位置调整方法。本发明提供一种检查装置，其包括：多个检查部，其对多个卡盘顶部上的作为被检查体的电子器件分别进行检查；测量部，其测量与上述多个检查部对应地分别配置的上述多个卡盘...

处理装置具有：保持部，其保持处理体；改性部，其向被保持部保持的处理体的内部照射激光，来沿着面方向形成改性层；旋转机构，其使保持部和改性部相对地旋转；以及移动机构，其使保持部和改性部沿水平方向相对地移动。在一边通过旋转机构使被保持部保持的...

基片保持装置具有工作台和吸气路径。工作台用于载置基片，通过真空吸附基片的背面来保持基片。吸气路径与用于进行真空吸附的真空泵连接。工作台的基片载置面被划分为多个区域。能够使用设置在与多个区域各自对应的吸气路径中的阀，对多个区域各自切换真空...

本发明提供一种边缘环,其能够降低导热气体的泄露。该边缘环配置于基板的周缘,其以如下方式形成:以将上述边缘环的中心轴线上的一点设定为中心点的、上述边缘环的内径以上外径以下的直径的假想圆为基准,自上述假想圆上的多个点至上述边缘环的下表面的垂...

本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置抑制顶部构件与上部构件之间的接触压力的变化。上部构件配置于对基板实施基板处理的处理室内的上部。顶部构件构成处理室的顶部，在与上部构件相对的相对面形成有贯通孔。支承构件贯穿贯通孔，并且设为能够在贯...