本发明提供一种气体检查方法、基板处理方法以及基板处理系统，能够适当地对将气体供给部中的次级阀开启时的动作进行检查，所述气体供给部用于向基板处理装置的处理容器内供给气体。气体检查方法包括以下工序：输入将次级阀开启的信号；使用次级压力计来测...

本发明提供一种等离子体处理装置和消耗量测定方法，能够以不打开腔室的方式高精度地测定导电性构件的消耗量。等离子体处理装置具有处理容器和导电性构件，所述等离子体处理装置还具有：等离子体生成部，其构成为在处理容器内生成等离子体；电力施加部，其...

本发明提供一种基板处理装置及系统、基板处理装置及系统的控制方法。基板处理装置具备：基板载置台，其用于载置基板；第一高频电源，其将第一频率的第一高频电力输出至所述基板载置台；第二高频电源，其将比所述第一频率低的第二频率的第二高频电力输出至...

本发明提供恰当地控制用于载置基板的载置面的温度的基板载置台及基板处理装置。该基板载置台具有：载置台主体，在该载置台主体的内部具有被冷却面；以及供给流路形成构件，该供给流路形成构件由导热性较所述载置台主体低的材料形成，且具有朝向所述被冷却...

本发明提供一种边缘环、基片支承台、等离子体处理系统和边缘环的更换方法，其具有：载置基片的基片载置面；载置边缘环的环载置面，其中所述边缘环以包围被载置于所述基片载置面的基片的方式配置；和用于将所述边缘环通过静电力来吸附并保持于所述环载置面...

本发明的基板支承器具备第1区域、第2区域、第1电极及第2电极。第1区域构成为保持载置于其上的基板。第2区域以包围第1区域的方式设置，构成为保持载置于其上的边缘环。第1电极设置于第1区域内，用于接收第1电偏置。第2电极至少设置于第2区域内...

本发明基片处理装置，包括：成膜处理部，进行基片的表面的覆膜的形成和覆膜的至少一部分的除去；表面检查部，取得表示基片的表面的状态的表面信息；和控制成膜处理部与表面检查部的控制部。控制部实施：调节处理，包括：利用成膜处理部在基片的表面形成覆...

提供能够相对简便地进行载置台的位置调节的基板处理装置。基板处理装置包括分别载置作为处理对象的基板的多个载置台、自下表面侧支承各载置台的多个支柱以及自基端侧支承多个支柱的共用的基台部。位置调节机构具有设于基台部与各支柱之间并固定于基台部侧...

本发明提供能够维持生产率并且检查传送带的状态的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：对基片实施规定处理的处理单元；输送单元，其具有保持基片的保持部及包括传送带并且通过使该传送带移动来使保持部在第1方向上移位的驱动部；能够获取与因...

本披露内容的各方面提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：通过从与衬底的第二侧相反的该衬底的第一侧进入，在该衬底上形成虚拟电力轨。进一步地，该方法包括：通过进入该衬底的第一侧，在该衬底上形成晶体管器件和第一布线层。这些虚拟电力轨...

本发明提供载置台、检查装置以及载置台的翘曲的抑制方法。抑制将由热膨胀率互不相同的材料形成的构件接合而成的载置台的翘曲。载置台供基板载置，包括：顶板部，在其表面载置基板；光照射机构，其具有多个发光元件，以与载置于顶板部的基板相对的方式配置...

一种膜厚测定系统,其取得与形成有膜厚不同的第一膜的N个第一基板的表面的第一位置相关的分光数据,对N个第一基板的每一个取得第一位置的第一膜的膜厚,用摄像部对形成有膜厚不同的第二膜的N个第二基板的表面进行摄像而取得第一图像数据,对N个第二基...

本发明提供能够抑制对基片的基片处理的不均匀，并且抑制生成物的沉积的基片处理装置和基片处理方法。载置台配置在处理容器内，规定载置基片的载置区域。整流壁以形成从载置区域侧贯通至载置台的外周侧的间隙地包围载置区域的方式，配置在载置台的包围载置...

本发明提供一种检测方法和等离子体处理装置，能够提高对等离子体的状态、处理工艺的状态、等离子体处理装置及其零件的状态的至少任一者的监视精度。检测方法包括对下部电极供给偏置功率，并对上部电极或者下部电极供给源功率的步骤；和检测安装在腔室上的...

在本发明的检查方法中，基板及边缘环分别载置于等离子体处理装置的基板支承器的第1区域及第2区域上。第1检查电路与基板连接。第1检查电路具有阻抗。第2检查电路与边缘环连接。第2检查电路具有阻抗。具有相同的频率的第1电偏置及第2电偏置被施加到...

本发明的等离子体处理装置具有基板支承器。基板支承器具有支承基板的第1区域及支承边缘环的第2区域。第1电极设置于第1区域内，第2电极设置于第2区域内。第1偏置电源经由第1电路与第1电极连接。第2偏置电源经由第2电路与第2电极连接。第2电路...

本发明提供一种在被处理体上的图案形成中能够应对伴随高度集成化的微细化和多样的形状图案的形成的等离子体处理装置和被处理体的处理方法。在实施方式的被处理体的处理方法中，被处理体包括第一凸部、第二凸部、被蚀刻层和槽部，槽部设置在该被处理体的主...

本发明提供一种温度控制方法和等离子体处理装置。温度控制方法包括切换工序、点火工序、计算工序、第一控制工序及第二控制工序。在切换工序中，将向载置台的内部的流路供给的热介质从在进行蚀刻处理的情况下由第一温度控制部供给的第一温度的热介质切换为...

本发明提供一种光干涉系统和基板处理装置。提供通过简易的结构来测量测定对象物的物理性质的技术。在一个例示性的实施方式中，提供一种光干涉系统。光干涉系统具备：光源，其构成为产生测定光；光纤，其构成为传输测定光；以及测量部。光纤具有单模光纤、...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理系统，高精度地监视为了进行基板处理而供给的气体的总流量。作为使用被供给至腔室的气体来处理基板的方法，该方法包括以下工序：工序(a)，在测定向所述腔室供给的气体的压力来控制该气体的流量的流量控制器中，设...