本发明提供一种加热源的寿命估计系统、寿命估计方法以及检查装置，用于简单地估计装置中的加热源的寿命，所述装置利用加热源将对象物进行加热，并基于温度测定器测定出的该对象物的测定温度，通过温度控制器对该对象物的温度进行反馈控制。温度控制器实施...

本实用新型提供一种涂敷装置。提供一种能够针对涂敷装置简化装置结构的技术。本公开的涂敷装置具备涂敷处理部、输送部以及层叠起来的3个以上的处理模块。涂敷处理部配置于3个以上的处理模块中的至少1个处理模块，用于向基板涂敷成膜材料。输送部在3个...

本发明涉及半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括孔形成工序、第一填埋工序、第二填埋工序以及蚀刻工序。在孔形成工序中，在层叠于基板上的绝缘膜的区域形成孔。在第一填埋工序中，在孔内将第一导电材料填埋到比构成孔的侧壁的高度低的位置。在...

提供显影处理装置和显影处理方法：短尺寸的第1显影液供给部和长度为俯视时基板直径以上的长尺寸的第2显影液供给部能共用接收从基板飞散的显影液的液接收部。显影处理装置对基板上的抗蚀膜进行显影，具有：基板保持部，将基板保持为水平；旋转机构，使基...

提供一种测定方法及测定系统，其能够去除半导体制造装置内的噪声，并对半导体制造装置内的物理特性精确地进行预测。该测定方法由具有腔室的半导体制造装置进行，该测定方法包括：基于在未将能够进行无线通信的夹具布置在所述腔室内的状态下发送至所述腔室...

本发明提供能够将基片和边缘环定位的定位装置、处理系统和定位方法。本发明的一个方式的定位装置包括：保持基片的基片保持台；保持边缘环的第一保持销；在上述第一保持销以外另设的、保持上述边缘环的第二保持销；使上述基片保持台和上述第一保持销旋转的...

本实用新型提供一种涂布显影装置，该涂布显影装置能够应对高生产率的处理且为小型的。所述涂布显影装置具备：处理块，其设置有处理模块；以及中继块，其将所述处理块与所述曝光装置沿宽度方向进行连结，其中，所述中继块设置有搬入搬出机构，所述处理块沿...

描述了照射刻蚀溶液提从而供对材料的受控刻蚀的加工系统和平台实施例。这些加工系统和平台将液体刻蚀溶液沉积在待刻蚀的材料上并且照射该液体刻蚀溶液从而调节反应物水平。该液体刻蚀溶液具有第一反应物水平，并且该照射使该液体刻蚀溶液具有不同于该第一...

本发明提供半导体装置的制造方法，包括：平坦化工序、层叠工序、孔形成工序、埋入工序以及去除工序。在平坦化工序中，通过使在第一孔埋入有导电材料的基板的表面平坦化，使被埋入至第一孔的导电材料露出，其中，形成该第一孔的区域是在层叠在基板上的绝缘...

一种加工装置，其用于对基板进行加工，其中，该加工装置包括：基板保持部，其具有用于吸附保持所述基板的基板保持面；以及外缘清洗部，其用于清洗所述基板保持面的外缘部。此外，一种加工方法，其对使用所述加工装置的基板的背面进行加工，该加工方法包含...

本发明提供使等离子体密度的均匀性提高的天线段和电感耦合等离子体处理装置。一种天线段，其通过呈筒状卷绕天线线材而形成，由所述天线线材的局部形成第1平面，其中，该天线段包括：第1天线线材，其位于卷绕轴线方向上的一侧且至少局部形成所述第1平面...

本发明提供一种基板处理装置和载置台，使基板处理装置小型化。使用等离子体来处理基板的基板处理装置具备收容基板的腔室、以及配置于腔室内的用于载置基板的载置台。载置台具有基台、基板保持部、多个加热器、加热器控制部以及RF滤波器。基台由导体形成...

提供使等离子体密度的均匀性提高的电感耦合天线和等离子体处理装置。一种电感耦合天线，其为矩形框状，在对载置于载置台的载置面的矩形基板进行等离子体处理的处理容器内形成生成所述等离子体的感应电场，并具有与所述载置面相对的相对面，其中，该电感耦...

本发明提供一种等离子体处理装置和构件温度判定方法，高精度地判定处理容器内的构件的温度是否饱和。等离子体处理装置具有处理容器和电极，该等离子体处理装置还具有：预处理部，其构成为执行使等离子体点火来使处理容器内的构件的温度上升的预处理；功率...

本发明提供信息处理装置、信息处理方法以及计算机可读记录介质，能够在基板上高精度地形成膜等构造物。信息处理装置的一例具备：预测部，其构成为基于膜厚模型和事前数据来计算基板处理装置对基板进行处理时的预测膜厚，所述膜厚模型表示基板处理装置的状...

本发明提供一种流量测量方法和流量测量装置，能高精度地测量气体的流量。在流量测量方法中：测量第一、第二流路的气体的第一压力；重复进行向第一流路的气体的供给和停止，来向第一、第二流路供给气体；在供给气体时，测量从各开信号到关信号期间的气体供...

本发明涉及成膜装置和成膜方法。提供能够形成高品质的半导体膜的技术。本公开的一技术方案的成膜装置具有：旋转台，其设于真空容器内；载置台，其沿着所述旋转台的周向设置，用于载置基板；处理区域，在该处理区域，朝向所述旋转台的上表面供给处理气体；...

披露了照射刻蚀溶液以提供对材料的受控刻蚀的方法。将具有第一水平的反应物的刻蚀溶液(例如，气态、液态、或其组合)施加到要刻蚀的材料的表面上。照射该刻蚀溶液以导致该刻蚀溶液具有第二水平的反应物，该第二水平大于该第一水平。用经照射的刻蚀溶液改...

本发明说明对基于基片的表面图像，以高可靠性评价基片的表面的处理状态有效的信息处理方法、信息处理装置和计算机可读取的存储介质。信息处理方法的一个例子可以包括：获取对象基片的表面的变形因子的信息的步骤；获取对象基片的表面图像的步骤；基于表面...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。使用单一的冷机将分别设于多个处理模块的多个温度控制对象部独立地调整为期望的温度。一种基板处理装置，其为处理基板的装置，其中，该基板处理装置具有：多个腔室，其收纳所述基板；多个温度控制对象部，其分别设...