基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板处理装置和基板处理方法。使用单一的冷机将分别设于多个处理模块的多个温度控制对象部独立地调整为期望的温度。一种基板处理装置，其为处理基板的装置，其中，该基板处理装置具有：多个腔室，其收纳所述基板；多个温度控制对象部，其分别设于所述多个腔室；单一的冷机，其设为共用于所述多个温度控制对象部，供给第1调温介质和第2调温介质；多个流量调整部，其分别与所述多个温度控制对象部连接，且与所述冷机连接，构成为能够调整所述第1调温介质与所述第2调温介质的流量比；以及控制部，其通过控制所述流量调整部而对每个所述温度控制对象部独立地调整温度。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法
本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。
技术介绍
专利文献1中公开有一种真空处理装置，该真空处理装置具有：多个处理单元；以及冷机，该冷机与在这些处理单元内的各个试样台内配置的制冷剂流路连结而供给调节成了期望的温度的制冷剂并使其循环。该真空处理装置包括一个循环路径和另一路径。一个循环路径为如下这样的循环的路径：制冷剂自冷机喷出后分支并向多个试样台的制冷剂流路供给，分别自这些试样台的制冷剂流路流出并合流之后，返回冷机。另一循环路径为如下这样的循环的路径：制冷剂自冷机喷出，绕过分支部、多个试样台以及合流部而返回冷机。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016－162794号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开所涉及的技术使用单一的冷机而将分别设于多个处理模块的多个温度控制对象部独立地调整为期望的温度。用于解决问题的方案本公开的一技术方案为一种基板处理装置，其为处理基板的装置，其中，该基板处理装置具有：多个腔室，其收纳所述基板；多个温度控制对象部，其分别设于所述多个腔室；单一的冷机，其设为共用于所述多个温度控制对象部，供给第1调温介质和第2调温介质；多个流量调整部，其分别与所述多个温度控制对象部连接，且与所述冷机连接，构成为能够调整所述第1调温介质与所述第2调温介质的流量比；以及控制部，其通过控制所述流量调整部而对每个所述温度控制对象部独立地调整温度。专利技术的效果根据本公开，能够使用单一的冷机将分别设于多个处理模块的多个温度控制对象部独立地调整为期望的温度。附图说明图1是表示本实施方式所涉及的晶圆处理装置的结构的概略的俯视图。图2是表示处理模块的结构的概略的纵剖视图。图3是表示冷却模块的结构的概略的侧视图。图4是表示冷却模块的结构的概略的俯视图。图5是表示每个处理模块的腔室的温度切换时刻的说明图。具体实施方式在半导体装置的制造工艺中，通过激励处理气体，从而生成等离子体，利用该等离子体处理半导体晶圆(以下称作“晶圆”)。具体而言，在将晶圆保持于设于腔室的内部的载置台的状态下进行等离子体处理。在进行等离子体处理时，需要根据蚀刻处理、成膜处理、扩散处理等目的的工艺来调整晶圆的温度。于是，例如自冷机向载置台供给冷却介质，调整该载置台的温度。在此，在半导体装置的制造工艺中，在一个晶圆处理装置内设置多个处理模块，使该多个处理模块同时工作，从而高效地制造半导体装置。而且，以往以来，为了调整多个处理模块的载置台的温度，在各处理模块设有冷机。然而，若这样地设置多个冷机，则存在耗费设置成本、晶圆处理装置的占地面积(占用面积)变大、由于使多个冷机工作而耗费能源、维护也变得复杂等问题。这一方面，在专利文献1所记载的真空处理装置中，相对于多个处理单元(处理模块)设有单一的冷机。另外，在专利文献1中记载有：在多个处理模块中，在以相同或实质上相等的条件进行处理的情况下，将多个处理模块的试样台(载置台)设定为相同的温度。而且，在专利文献1中记载有：在多个处理模块中，在进行不同的多个处理的情况下，在短时间内调整多个处理模块的载置台的温度。然而，在专利文献1所公开的冷机中，使用所谓的单冷机，自该冷机仅供给单一温度的冷却介质。因此，多个处理模块的载置台被调整为相同的温度，而无法根据处理调整为不同的温度。因而，以往的晶圆处理装置存在改善的余地。本公开所涉及的技术使用单一的冷机将分别设于多个处理模块的多个温度控制对象部独立地调整为期望的温度。以下，参照附图说明本实施方式所涉及的作为基板处理装置的晶圆处理装置和作为基板处理方法的晶圆处理方法。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。＜晶圆处理装置＞首先，说明本实施方式所涉及的晶圆处理装置。图1是表示本实施方式所涉及的晶圆处理装置1的结构的概略的俯视图。在晶圆处理装置1中，对作为基板的晶圆W进行例如蚀刻处理、成膜处理、扩散处理等处理。如图1所示，晶圆处理装置1具有大气部10和减压部11借助装载锁定模块20、21连接成一体的结构。大气部10包括在大气气氛下对晶圆W进行期望的处理的大气模块。减压部11包括在减压气氛下对晶圆W进行期望的处理的减压模块。装载锁定模块20、21设定为借助闸阀(未图示)连结大气部10的后述的装载模块30和减压部11的后述的传递模块50。装载锁定模块20、21构成为暂时保持晶圆W。另外，装载锁定模块20、21构成为能够使内部在大气气氛和减压气氛(真空状态)之间进行切换。大气部10具有：具备后述的晶圆输送机构40的装载模块30和载置可保管多个晶圆W的环箍31的装载口32。此外，还可以与装载模块30相邻地设有调节晶圆W的水平方向上的朝向的定向模块(未图示)、存储多个晶圆W的存储模块(未图示)等。装载模块30包括内部为矩形的壳体，壳体的内部维持为大气气氛。多个、例如5个装载口32并列设置于装载模块30的构成壳体的长边的一侧面。装载锁定模块20、21并列设置于装载模块30的构成壳体的长边的另一侧面。在装载模块30的内部设有输送晶圆W的晶圆输送机构40。晶圆输送机构40具有：输送臂41，其保持晶圆W并移动；旋转台42，其将输送臂41支承为能够旋转；以及旋转载置台43，其搭载有旋转台42。另外，在装载模块30的内部设有沿装载模块30的长度方向延伸的导轨44。旋转载置台43设于导轨44上，晶圆输送机构40构成为能够沿着导轨44移动。减压部11具有：传递模块50，其同时输送晶圆W；以及处理模块60，其对自传递模块50输送来的晶圆W进行期望的处理。传递模块50的内部和处理模块60的内部分别维持为减压气氛。对于一个传递模块50，设有多个、例如6个处理模块60。在以下的说明中，有时将6个处理模块60分别称作处理模块60a～60f。此外，处理模块60的数量、配置并不限定于本实施方式，而能够任意地设定。传递模块50包括内部为多边形(图示的例子中为五边形)的壳体，如上所述地连接于装载锁定模块20、21。传递模块50在将送入到装载锁定模块20的晶圆W输送到一个处理模块60并施加了期望的处理之后，经由装载锁定模块21将其送出到大气部10。处理模块60进行例如蚀刻处理、成膜处理、扩散处理等处理。在处理模块60中，能够任意地选择进行与晶圆处理的目的对应的处理的模块。另外，处理模块60借助闸阀61连接于传递模块50。在以下的说明中，有时将6个闸阀61相对于处理模块60a～60f分别称作闸阀61a～61f。此外，关于该处理模块60的结构，后述说明。在传递模块50的内部设有输送晶圆W的晶圆输送机构70。晶圆输送机构70具有：输送臂71，其保持晶圆W并移动；旋转台72，其将输送臂71支承为能够旋转；以及旋转载置台73，其搭载有旋转台72。另外，在传递模块50的内部设有沿传递模块50的长度方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其为处理基板的装置，其中，/n该基板处理装置具有：/n多个腔室，其收纳所述基板；/n多个温度控制对象部，其分别设于所述多个腔室；/n单一的冷机，其设为共用于所述多个温度控制对象部，供给第1调温介质和第2调温介质；/n多个流量调整部，其分别与所述多个温度控制对象部连接，且与所述冷机连接，构成为能够调整所述第1调温介质与所述第2调温介质的流量比；以及/n控制部，其通过控制所述流量调整部而对每个所述温度控制对象部独立地调整温度。/n

【技术特征摘要】
20200219 JP 2020-0262601.一种基板处理装置，其为处理基板的装置，其中，
该基板处理装置具有：
多个腔室，其收纳所述基板；
多个温度控制对象部，其分别设于所述多个腔室；
单一的冷机，其设为共用于所述多个温度控制对象部，供给第1调温介质和第2调温介质；
多个流量调整部，其分别与所述多个温度控制对象部连接，且与所述冷机连接，构成为能够调整所述第1调温介质与所述第2调温介质的流量比；以及
控制部，其通过控制所述流量调整部而对每个所述温度控制对象部独立地调整温度。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述冷机具有：第1调温介质调整部，其将所述第1调温介质调整为第1温度；以及第2调温介质调整部，其将所述第2调温介质调整为高于所述第1温度的第2温度，
所述第1调温介质调整部包括：第1供给口，其向所述温度控制对象部供给所述第1调温介质；以及第1回收口，其回收对所述温度控制对象部的温度进行了调整后的调温介质，
所述第2调温介质调整部包括：第2供给口，其向所述温度控制对象部供给所述第2调温介质；以及第2回收口，其回收对所述温度控制对象部的温度进行了调整后的调温介质。


3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有：
第1供给路，其连接所述第1供给口和所述流量调整部；
第1回收路，其连接所述第1回收口和所述流量调整部；
第2供给路，其连接所述第2供给口和所述流量调整部；以及
第2回收路，其连接所述第2回收口和所述流量调整部。


4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述第1供给路的长度、所述第1回收路的长度、所述第2供给路的长度以及所述第2回收路的长度分别相等。


5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置，其中，
所述第1供给口和所述第1回收口配置于所述第1调温介质调整部的中心，
所述第1供给路和所述第1回收路配置于不同的高度，
所述第2供给口和所述第2回收口配置于所述第2调温介质调整部的中心，
所述第2供给路和所述第2回收路配置于不同的高度。


6.根据权利要求3～5中任一项所述的基板处理装置，其中，
在所述第1调温介质调整部设有俯视时呈多边形的第1供给歧管和俯视时呈多边形的第1回收歧管，
所述第1供给路自所述第1供给口借助所述第1供给歧管分支并与所述多个流量调整部连接，
所述第1回收路自所述第1回收口借助所述第1回收歧管分支并与所述多个流量调整部连接，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：金子美翔，有田毅彦，坂井隼人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP